分类： 电源解决方案

– 推出 25 款新型第六代 SJ MOSFET，这些产品改进了特定通态电阻 (R_SP)，提高了开关速度，并且增强了静电放电 (ESD) 保护

 

韩国首尔，2025 年 3 月 12 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了 25 款新型第六代 SJ MOSFET（超结金属氧化物半导体场效应晶体管），显著扩展了公司的产品阵容。

与上一代相比，新开发的第六代 SJ MOSFET 的开关速度提高了约 23%，应用的 R_SP 降低了约 40%，并因此将品质因数提升了 40%。

此外，栅极和源极之间嵌入了齐纳二极管，以提高 SJ MOSFET 的可靠性并保护其免受静电放电引起的损害。新产品的芯片尺寸也比其前代产品小约 30%。

新产品阵容包括 600V、650V 和 700V 电压等级，并提供 7 种封装类型: TO220、TO220FT、SOT223、PDFN88、 D²PAK和高需求封装 DPAK、TO220F。

因此，这些 SJ MOSFET 非常适合要求高电源效率的各种应用，例如 AI 电视、智能冰箱、AI 笔记本电脑适配器和电源。根据市调机构 Omdia 的数据估测，全球智能家居设备市场从 2025 年到 2028 年预计将每年增长 20%。

“随着集成了美格纳最新技术的 25 款新型第六代 SJ MOSFET 的成功推出，我们进一步加强了产品阵容，以满足客户不断变化的技术需求，”美格纳首席执行官金荣俊说。“通过为 AI、工业应用和智能家电提供最佳电源解决方案，我们旨在助力这些领域的客户取得业务增长和成功，并在我们转型为专注于电源 IC 业务的公司时，进一步提升我们的技术和市场领导地位。”

 

 

 

 

 

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美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史大约 45年，并拥有1,000 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

 

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• 新一代产品凸显公司对电源 IC 领域的日益关注
• 优化导通传导和开关损耗，以提升系统效率
• 推出款式多样的 IGBT 产品，以满足太阳能市场不断变化的需求

 

韩国首尔，2025 年 3 月 12 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了两款新型第六代 650V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，这两款产品专为太阳能逆变器而设计。

新推出的第六代 IGBT 融入聚酰亚胺绝缘层，通过了高电压、高湿度和高温反向偏置 (HV-H3TRB) 测试，展现出卓越的性能。这些产品在极端条件（包括高温和高湿环境）下运行的工业设备中具备出色的可靠性。

此外，集成的快速恢复反并联二极管能够迅速消除多余电流，降低应用中的开关损耗，同时支持高达 175°C 的工作温度范围。

在这两款新产品中，MBQ40T65S6FHTH 在减少导通损耗方面表现出色。与前代产品相比，用在 15kW 太阳能逆变器中时，此款 IGBT 可降低导通损耗约 25%，可提高系统效率约 15%。

MBQ40T65S6FSTH 经过精心设计，可显著降低开关损耗。与前代产品相比，用在 3kW 太阳能逆变器中时，开关损耗可降低约 15%，导通损耗可降低约 8%，系统效率可提高约 11%。

凭借这些性能升级，新款 IGBT 经过优化后，适用于要求高可靠性和高效率的应用，例如太阳能逆变器、工业电机驱动器、电源设备和不间断电源。

根据市调机构 Omdia 的数据估测，从 2025 年到 2028 年，可再生能源领域中的分立型 IGBT 市场预计将实现 19% 的年复合增长率。

“今年下半年，我们计划推出一系列更广泛的第六代 650V IGBT 产品，额定电流从 5A 到 75A 不等，这是我们大幅扩展新一代电源产品线战略的一部分，”美格纳首席执行官金荣俊说。“自 2007 年启动电源 IC 业务以来，我们在电源领域取得经过实践检验的良好成果，设计了近 1,000 款芯片，制造并发货超过 230 亿片。未来，我们将继续加强 IGBT 产品系列，推动在可再生能源、汽车、工业应用和 AI 应用领域实现更多创新。”

 

 

 

 

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韩国首尔，2024 年 10 月 28 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司将扩大其第 7 代MXT LV MOSFET1 产品系列的生产，这款产品基于美格纳的超短沟道 FET (SSCFET^®) 技术设计。

随着移动设备变得越来越先进，对具有低²R_SS(on) ² 的紧凑型低压 (LV: Low Voltage) MOSFET 的需求持续增长。美格纳的 MXT LV MOSFET 产品系列采用 SSCFET^® 技术，具备出色的低 R_SS(on) 性能。此技术可在通态运行期间显著缩短源极与漏极之间的沟道长度，从而有效提升电池性能和效率、延长电池寿命并减少发热问题。

此外，该系列 MXT LV MOSFET 采用薄至 100 微米的晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 技术制造，提升了设计的灵活性。因此，这些产品非常适合各种移动设备，包括智能手机、智能手表、无线耳机和下一代环形设备。

得益于经实践检验的高质量产品以及可靠的供应能力，美格纳的 MXT LV MOSFET (MDWC0151ERH) 已集成到全球主要智能手机制造商的高端智能手机型号中。而且，MDWC12D025ERH 现在也应用于该制造商的大量中端型号中。在 2024 年的前三季度中，与去年同期相比，MXT LV MOSFET 产品系列的生产增长了约 120%。

“美格纳已与全球主要智能手机制造商建立了牢固的合作关系”，美格纳首席执行官金荣俊说。“通过持续的技术开发和创新，我们将进一步增强 MXT LV MOSFET 产品系列的技术水平，这些产品不仅面向移动设备市场，还将面向各种电池供电的设备，例如电动自行车、滑板车、电子烟和无人机等。”

 

 

 

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¹ MXT LV MOSFET（美格纳极限沟槽低压 MOSFET）：美格纳的 12~40V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

² R_SS(on):通态电阻; 即两个受保护的 MOSFET 在工作期间 (ON) 的源极之间电阻值。

 

 

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美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,050 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

 

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– 新款 40V MXT MV MOSFET 经优化用于汽车电机和低功率控制系统，具有紧凑的外形和低栅极阈值电压

 

韩国首尔，2024 年 9 月 9 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了面向汽车应用的四款新型 40V 1)MXT MV MOSFET，这些产品采用功率双边扁平无引脚 (PDFN) 33 封装设计。

 

 

随着自动驾驶和信息娱乐系统这类汽车技术的进步，车辆中安装的电机的数量和种类越来越多。因此，为了高效驱动这些电机，功耗低、外形紧凑且重量轻的高性能 MOSFET 越来越重要。

美格纳新发布的 40V MXT MV MOSFET 采用 PDFN33 封装，相比于采用 PDFN56 封装的 40V MOSFET 产品，面积缩小超过 60%，重量降低约 75%。新产品更适合对性能、燃油效率和空间灵活性要求高的汽车电机及低功率控制系统。

在这些新产品中，三个型号（AMDV040N029LVRH、AMDV040N036LVRH 和 AMDV040N042LVRH）具有 1.8V 的低栅极阈值电压。栅极阈值电压决定了 MOSFET 从关断切换到导通的时间点。更低的阈值电压将降低运行 MOSFET 所需的能量，从而降低系统的总体功耗。

四款新型汽车 40V MXT MV MOSFET 的关键规格如下：

 

 

“随着这些新产品的发布，美格纳进一步增强了其汽车电源产品阵容，这些产品的设计可满足汽车零部件行业的各种需求，”美格纳首席执行官金荣俊说。“我们将继续通过技术创新和稳定的产品供应，扩展我们在这个不断发展的市场中的全球份额。”

 

 

 

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¹MXT MV MOSFET（美格纳极限沟槽中压 MOSFET）：美格纳的 40~200V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

²R_DS(on)：MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻。

 

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如需了解有关美格纳汽车解决方案的更多详细信息和数据表，请访问https://www.magnachip.com/cn/automotive-solutions.

 

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