分类： 电源解决方案

韩国首尔，2023 年 3 月 2 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了两款第七代 MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)¹，这两款产品基于公司的超短通道技术而打造，适用于智能手机中的电池保护电路模块。

 

 

超短通道是美格纳的最新设计技术，可在通态运行期间缩短源极与漏极之间的通道长度，这将显著降低 R_DS(on)²，从而获得较高的性能。美格纳会首先将此技术应用于最新发布的 MDWC12D028ERH (12V MOSFET) 和 MDWC24D031ERH (24V MOSFET) 上。

得益于超短通道技术，与先前的版本相比，这些新款 MOSFET 的尺寸减小了 20%，MDWC12D028ERH 和 MDWC24D031ERH 的 R_DS(on) 分别降低了 40% 和 24%。借助这些增强的产品功能，降低了电池充放电时的功率损失，并且对电池进行快速充电时可以保持一个较低的温度。

美格纳计划于 2023 年下半年发布大小紧凑的超短通道 MXT MOSFET，这些产品具有出色的电源效率，适用于如智能手表和耳机的可穿戴设备的小型电池。

“超短通道技术将该 MXT MOSFET 性能提升到了一个全新的水平 ，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“美格纳将继续努力推进技术创新，提供出色的电源管理 IC，满足移动设备制造商不断变化的各种要求。”

 

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^【1】 MXT MOSFET（美格纳极端沟槽 MOSFET）：美格纳的前沿沟槽 MOSFET 产品组合，包括中低压 （12V to 200V）MOSFET

^【2】 R_DS(on)：通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值

 

相关链接

电源解决方案 > MXT MOSFETs > 12V

电源解决方案 > MXT MOSFETs > 24V

 

关于美格纳半导体

美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

 

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美国媒体/行业分析师: Mike Newsom LouVan Communications, Inc. Tel. +1-617-803-5385 mike@louvanpr.com

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– 美格纳的第 8 代 150V MXT MOSFET 具备更低的 R_DS(on) 并采用 TOLL 封装，支持高效管理电机控制器和电池管理系统

 

韩国首尔，2022 年 12 月 29 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司推出了其第 8 代 150V MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)¹， 此款产品为轻型电动车辆 (LEV) 电机控制器和电池管理系统 (BMS)优化而成。

电子设备的能效对于降低功耗和提高产品稳定性至关重要。这款新发布的 MOSFET (MDT15N054PTRH) 采用美格纳的第 8 代沟槽 MOSFET 技术，与上一代产品相比，R_DS(on)² 降低了 28%。基于芯片和封装框架的增强设计，本产品具有高品质因数，并且可以避免总栅极电荷量³ 增加。

MDT15N054PTRH 适用于贴片 TO-Leadless (TOLL) 封装，可降低产品尺寸并改善散热效果。由于可进行快速开关并且支持高功率密度，因此能效也得到极大增强。此外，从 -55°C 到 175°C 的工作结温和较强的抗雪崩能力，助力该新款 MXT MOSFET 超出轻型电动车辆电机控制器和电池管理系统的性能要求。

“自 2008 年以来，我们已发布面向电机控制器和电池管理系统的超过 40 款 MOSFET 产品，2017 年起的大多数产品均为轻型电动车辆应用而打造。”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“作为高性能 MOSFET 的供应商，美格纳将继续提供满足市场复杂要求的创新性解决方案。”

 

产品特性

• 低 R_DS(on) 和开关损耗
• 出色的散热性能
• 从 -55°C 到 175°C 的工作结温
• 适用于广泛应用，例如 轻型电动车辆电机控制器和电池管理系统以及各种消费电子产品的开关模式电源

 

 

 

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^【1】 MXT MOSFET（美格纳极端沟槽 MOSFET）：美格纳的前沿沟槽 MOSFET 产品组合，包括中低压 MOSFET

^【2】 R_DS(on)：通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值

^【3】 总栅极电荷量 (Q_g)：需要注入栅电极以打开（驱动）MOSFET 的电荷量

 

相关链接

电源解决方案 > MV MOSFETs > 150V

 

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– 3 款新型 200V MV MOSFET 将帮助公司在 LEV 电机控制器和工业电源领域扩大其全球市场份额

 

韩国首尔，2022 年 9 月 6 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司推出了其第三代 200V 中压 (MV) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，此款产品适用于轻型电动车辆 (LEV) 电机控制器和工业电源。

 

为了最大限度地提高电源设备的能效，美格纳的新型 200V MOSFET 融入了第三代沟槽 MOSFET 技术。与先前版本的 100V MV MOSFET 相比，此款产品的电容量降低了 50%，并且晶胞和封端的设计得到增强，有助于降低 R_DS(on)^* 和总栅极电荷量 ^**，展现出本产品的高品质因数。

这些第三代 MOSFET 还适用于表面贴装的 TO-Leadless (TOLL)、M2PAK 封装和通孔类型的 TO-220，可降低产品尺寸并增强散热能力。此外，由于可进行快速开关并且具有高功率密度，这些 MOSFET 的能效得到进一步增强。加上从 -55°C 到 175°C 的工作结温和出色的雪崩能力，这些 MOSFET 非常适用于需要高能效且稳定供电的 LEV 电机控制器和工业电源。

据全球市场调研公司 Omdia 估测，在全球硅电源 MOSFET 市场中，汽车和工业领域的年增长率从 2020 年到 2025 年将分别为 11.5% 和 9.6%。特别是，为了加快碳减排以及对高能效经济型车辆需求的提升，LEV 市场正在快速扩大。

“汽车和工业领域中先进应用的开发推动了对高性能 MV MOSFET 需求，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“美格纳将持续升级 MV MOSFET 产品线，包括从 40V 到 200V 的整个产品范围，以支持我们的客户增强其产品竞争力。”

 

 

^*R_DS(on)：通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值

^**总栅极电荷量 (Q_g)：需要注入栅电极以开启（驱动）MOSFET 的电荷量

 

产品特性

• 低 R_DS(on) 和开关损耗
• 出色的散热性能
• 从 -55°C 到 175°C 的工作结温
• 适用于各种应用，例如 LEV、电源管理系统和开关电源

 

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电源解决方案 > MV MOSFETs > 200V

 

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– 公司计划利用新发布的这一款 IGBT 产品扩大在全球太阳能市场的份额

 

韩国首尔，2022 年 6 月 17 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司已发布适用于太阳能逆变器的新款 650V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。

 

 

随着气候变化对环境的影响越来越严重，为了减少碳排放，全球对像太阳能这样的可再生能源的使用不断扩大。根据市调机构 Omdia 的估算，可再生能源领域的全球 IGBT 市场从 2022 年到 2025 年将每年增长 15%。在 2022 年 3 月，美格纳开发出新款 650V IGBT，此款产品基于先进的“场截止沟槽技术”而打造，具备较快的转换速度和较高的击穿电压，公司将于本月开始量产这款产品。

由于采用了最新的技术，与上一代产品相比，此新款 650V IGBT 的电流密度性能提高了 30%。此外，这一款 IGBT 设计为提供最低 5 微秒的耐受短路时间，由于其正温度系数，因而进行了并联转换优化。此款 IGBT 的并联转换将提高负载电流，因而将提高最大输出功率。

此外，650V IGBT 采用二极管并联量测技术，可实现快速转换和低转换损耗，同时保证最高 175°C 的工作结温。根据电子设备工程联合委员会 (JEDEC) 发布的标准，此新款 IGBT 可以广泛用于需要严格功率水平和高效率的各种应用，例如太阳能升压逆变器和转换器、不间断电源和通用电源逆变器。

“美格纳的首款 IGBT 产品发布于 2013 年，自那之后，我们一直致力于为各种市场开发高效率的产品，同时强化我们在全球的地位，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“通过此新款产品，我们将进一步加强为环保可再生能源市场提供高性能产品的目标。”

 

美格纳面向太阳能市场的 IGBT 产品

型号	VCES [V]	IC [A] TC=100℃	封装
MBQ75T65P	650V	75A	TO-247
MBQ40T120Q	1200V	40A	TO-247

 

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电源解决方案 – IGBT Chip for Standard Module

 

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– 40V MOSFET 的低 R_DS(on) 有助于高效控制 BLDC 电机

– 美格纳扩展汽车业务，旨在提高全球市场份额

 

韩国首尔，2022 年 4 月 28 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了一款新型 40V 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，可供在汽车应用中用于控制无刷直流 (BLDC) 电机。

 

 

鉴于对全球气候变化的担忧和为降低碳排放而做出的努力，电动汽车 (EV) 市场预计将会显著增长。根据市调机构 Omdia 的估算，全球电动汽车市场预计在 2022 年到 2025 年期间将每年增长 27%。因此，对用于电动汽车的高效且耐用的 BLDC 电机的需求将会提高，而中压 (MV) MOSFET 对于确保 BLDC 电机高效运行非常重要。美格纳开发了一款具备较低 R_DS(on)* 的新型 40V MOSFET，可降低汽车 BLDC 电机的导通损耗，公司已于 2022 年 4 月开始量产这款新型 MOSFET。

汽车半导体的可靠性对于车辆安全至关重要，新型 40V MOSFET 已完全通过 AEC-Q101（汽车电子协会-Q101）认证。这款新产品的首次应用客户即是一家全球性汽车制造商，用于控制其新电动车型的电动水泵。此款 MOSFET 也适合各种 BLDC 应用，例如电动油泵、发动机冷却风扇、电动助力转向系统和电池冷却风扇等。

美格纳持续开发新的产品和先进的技术，以期扩大其在汽车半导体领域的市场份额。尽管由于疫情的原因，全球供应链中断，影响了汽车半导体行业，而据预测这一局面会持续到 2023 年，但作为集成设备制造商的美格纳仍成为电源半导体产品的稳定供应商。

“汽车领域中电动机和内燃机市场的竞争相比以往更为激烈，对高性能 MV MOSFET 的需要正在快速增长，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“因此，我们正在开拓全球市场，相信这款新型 40V MOSFET 的发布将帮助我们取得更大的市场份额。”

* R_DS(on)：通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值

 

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MV MOSFETs – 40V

 

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高端和低端开关的同步架构创造高效率

韩国首尔，2022 年 3 月 15 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了一款面向各种应用的同步升压转换器，适用于 SSD 的 NAND 闪存、OLED 面板、蓝牙扬声器等。

 

 

新型同步升压转换器具备快速的瞬态响应能力，可在较短的响应时间内降低输出电压波动，实现稳定的供电。因此，此款新产品非常适合电流波动较大的设备。

全新推出的转换器的重要特点是可将静态电流降低至 1.5mA，而目前市场上销售的异步升压转换器最多可将静态电流降低至 2mA。美格纳之所以达到这一性能，是因为采用了低电阻高端和低端同步开关。此外，当升压转换器关闭时，内置的隔离开关可防止输入电压通过输出引脚发生泄漏。并且可以通过控制外部电容和电阻值，对软启动时间进行编程。上述措施可降低浪涌电流，确保向外部电路稳定供电。

此款同步升压转换器采用 2.5mm x 2.5mm 的小型双平面无铅封装 (DFN)，还提供强大的电路保护功能，包括过流和过压保护、过热关机、快速放电功能和欠压锁定。此款转换器工作时的开关频率为 1.2MHz，可外接小型 4.7µH 电感。这样，印刷电路板 (PCB) 的尺寸也将变小。

此外，这款产品的封装技术满足无卤素要求，并符合“电气电子设备中某些有害物质使用限制”(RoHS) – 这是美格纳对于提供环保且可持续的半导体产品的另一项承诺。

美格纳首席执行官 YJ Kim 称：“在过去的 10 年中，美格纳开发出用于电视、照明、显示面板、移动设备和 IT 设备的各种电源解决方案。” “基于我们已获得认可的技术实力，我们将继续向产品中整合各种功能，例如降压、升压、多通道、运算放大器和开关 IC 集成到产品中，并扩展我们的下一代集成电源管理 IC 产品组合。”

 

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DC-DC Conversions

 

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