分类： 电源解决方案

– 新款 40V MXT MV MOSFET 经优化用于汽车电机和低功率控制系统，具有紧凑的外形和低栅极阈值电压

 

韩国首尔，2024 年 9 月 9 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了面向汽车应用的四款新型 40V 1)MXT MV MOSFET，这些产品采用功率双边扁平无引脚 (PDFN) 33 封装设计。

 

 

随着自动驾驶和信息娱乐系统这类汽车技术的进步，车辆中安装的电机的数量和种类越来越多。因此，为了高效驱动这些电机，功耗低、外形紧凑且重量轻的高性能 MOSFET 越来越重要。

美格纳新发布的 40V MXT MV MOSFET 采用 PDFN33 封装，相比于采用 PDFN56 封装的 40V MOSFET 产品，面积缩小超过 60%，重量降低约 75%。新产品更适合对性能、燃油效率和空间灵活性要求高的汽车电机及低功率控制系统。

在这些新产品中，三个型号（AMDV040N029LVRH、AMDV040N036LVRH 和 AMDV040N042LVRH）具有 1.8V 的低栅极阈值电压。栅极阈值电压决定了 MOSFET 从关断切换到导通的时间点。更低的阈值电压将降低运行 MOSFET 所需的能量，从而降低系统的总体功耗。

四款新型汽车 40V MXT MV MOSFET 的关键规格如下：

 

 

“随着这些新产品的发布，美格纳进一步增强了其汽车电源产品阵容，这些产品的设计可满足汽车零部件行业的各种需求，”美格纳首席执行官金荣俊说。“我们将继续通过技术创新和稳定的产品供应，扩展我们在这个不断发展的市场中的全球份额。”

 

 

 

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¹MXT MV MOSFET（美格纳极限沟槽中压 MOSFET）：美格纳的 40~200V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

²R_DS(on)：MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻。

 

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如需了解有关美格纳汽车解决方案的更多详细信息和数据表，请访问https://www.magnachip.com/cn/automotive-solutions.

 

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关于美格纳半导体

美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,050 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

 

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韩国/亚洲媒体: 金旼娥 公共关系高级经理 Tel. +82-2-6903-3211 pr@maganachip.com

 

韩国首尔，2024 年 7 月 30 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了面向智能手机电池保护电路的第 8 代 MXT LV MOSFET¹。

美格纳首次在公司的新款 12V 双 N 通道 MOSFET (MDWC12D024PERH) 中引入其专属超短通道 FET II (SSCFET® II) 技术。SSCFET® II 是美格纳的最新设计技术，可显著缩短通道长度，从而降低R_SS(on)²。

与相同尺寸的前代产品相比，此款产品的 R_SS(on) 降低了约 22%。这降低功率损失，缩短智能手机充电时间，在快充模式下可使智能手机内部温度降低约 12%。

随着全球智能手机制造商在智能手机中提升 AI 功能，MOSFET 产品的重要性在不断增强。美格纳的新款 12V MXT LV MOSFET 具备较高的电源效率，经优化可适用于高端智能手机中的各种电池保护应用，尤其是设备端 AI 智能手机

根据市调机构 Omdia 的数据估测，从 2024 年到 2028 年，设备端 AI 智能手机的发货量有望平均每年增长 50%，到 2028 年将达到 6.06 亿台。

“去年早期在开发超短通道 FET I 技术并与成功推出相应产品后，美格纳现在发布了升级的超短通道 FET II 技术，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“我们计划继续开发创新性的高密度单元沟槽技术，并于今年下半年推出面向智能手机、智能手表和耳机的先进电源解决方案。”

 

 

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¹ MXT LV MOSFET（美格纳极限沟槽低压 MOSFET）：美格纳的 12~40V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

² R_SS(on):通态电阻; 即两个受保护的 MOSFET 在工作期间 (ON) 的源极之间电阻值。

 

 

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电源解决方案 > MXT MOSFETs > 12V

 

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美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

 

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– 公司的各种 IGBT 和 MXT MV MOSFET¹ 产品为太阳能市场提供了优化的解决方案

 

韩国首尔，2024 年 7 月 29 日 – – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司完成了 1200V 75A 绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）的开发，这款产品采用 TO-247PLUS 封装，设计用于太阳能逆变器。公司计划于今年十月开始进行量产。

美格纳在 2020 年进入太阳能逆变器市场时推出了 1200V 40A IGBT (MBQ40T120QFS)，并在 2022 年开始提供 650V 75A IGBT (MBQ75T65PEH)。现在，公司发布了最新的 1200V 75A IGBT (MBQA75T120RFS)，这款产品采用美格纳的先进设计技术和工艺。

这款新产品采用 TO-247PLUS 封装，配备一个宽型散热器，相比 TO-247 封装，提高了散热性能。此外，与该公司的前代产品相比，导通损耗降低超过 14%，提升了电源效率。这一性能的改善确保了产品即使在过载状态下也能稳定运行，从而提高系统稳定性。

此外，新款 IGBT 产品具备相当于两个 40A IGBT 的性能，可实现灵活的应用设计。另外一项重要特性是融入了快速恢复二极管并联量测技术，可快速消除多余电流，降低开关损耗，同时保证最高 175°C 的工作结温。此款产品根据电子设备工程联合委员会 (JEDEC) 发布的标准设计，适合需要严格额定功率和高效率的各种应用，包括太阳能逆变器、转换器、不间断电源系统和通用电源逆变器。

根据市调机构 Omdia 的数据，从 2024 年到 2028 年，可再生能源市场中的分立型 IGBT 和基于硅的 MOSFET 领域有望实现 15% 的年复合增长率。

“随着这款新产品的发布，美格纳的太阳能电源产品阵容进一步增强，现在可提供高性能的 IGBT 和 MXT MV MOSFET，能够满足太阳能市场中各种应用的技术要求 ”，美格纳首席执行官金荣俊说。“我们将继续供应面向可再生能源应用的创新性电源解决方案，并充分利用行业中的发展机会。”

 

 

 

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¹ MXT MV MOSFET（美格纳极限沟槽中压 MOSFET）：美格纳的 40~200V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

² R_DS(on)：MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻。

 

 

 

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电源解决方案 > Discrete IGBTs

 

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美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

 

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韩国首尔，2024 年 6 月 10 日 – Magnachip Mixed-Signal, Ltd.（以下简称“MMS”或“公司”）当日宣布，公司发布了一款多功能电源管理集成电路 (PMIC) 和一款多通道电平转换器，用于调节 IT 设备显示面板内的不同电压和信号。

 

 

作为 Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）的子公司，十多年来，MMS 一直致力于开发和供应各种电源 IC，包括用于电视背光单元的 LED 驱动器以及 LED 照明驱动器。通过与领先的电视制造商、OLED 面板制造商和智能手机制造商的成功合作，公司的产品质量得到了有效检验，同时助力 MMS 扩展其全球客户群。

当日发布的新产品采用了 PMIC 和电平转换器技术，这些技术源于美格纳自 2019 年以来的研发成果，具有高效率、低能耗、多功能和多通道的几大优点。

多功能 PMIC 按照单芯片解决方案进行开发，其中集成了：内置控制器、开关、逻辑电路、两个升压稳压器、两个负低压降稳压器、三个用于降压的高电流稳压器以及两个正运算放大器。利用 I²C*，此款 PMIC 可以控制动态电压管理、内置开关定时器、保护电路和开关频率转换。因此，新款 PMIC 将提高应用效率并降低能耗。这样，IT设备中高端显示面板运行所需的电能将得到稳定的转换和分配。

新款多通道电平转换器专门设计用于调节超过 24 个通道的开关电压，并高效地管理电压信号。所以，该电平转换器完全满足高分辨率显示面板甚至 UHD 面板的严苛通道需求。

“我们相信，IT 显示面板行业将从 MMS 推出的这些新的优质电源解决方案中受益匪浅”，美格纳首席执行官金荣俊说。“我们将继续发扬公司的优秀传统，积极进行产品开发和生产并及时提供技术支持。”

 

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*  I²C：也称为 I2C 或 IIC，是一种同步多控制器/多目标、单端串行通信总线。

 

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美格纳是一家模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，其方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有约1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

 

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– 美格纳的汽车 MOSFET 和 IGBT 产品系列赢得全球众多大型汽车制造商的设计采纳

– 新发布的 40V MXT MV MOSFET 非常适合车辆的电机控制系统

 

韩国首尔，2024 年 4 月 30 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了新款 40V MXT MV MOSFET¹。增加此最新产品后，公司现在提供 13 款 MOSFET 和 IGBT 产品，面向各种汽车应用（请参阅下表）。

随着汽车行业采用先进技术，例如自动驾驶系统和增强的信息娱乐系统，对高效电源解决方案的需求也随之增加。根据市调机构 Omdia 的数据估测，汽车电源细分市场从 2024 年到 2027 年将每年增长 14%。

美格纳于 2022 年 4 月推出进入汽车行业后的首款 40V MOSFET，此后发布了面向汽车的 30V、-40V（P 通道 MOSFET²）、60V 和 250V MOSFET，丰富了公司的产品阵容。在 2023 年 9 月，公司推出了面向汽车的正温度系数 (PTC) 加热器和空压机的 650V 和 1200V IGBT。在过去两年中，美格纳的电源产品已应用于美国、韩国、日本和中国的主要汽车制造商生产的汽车。

基于公司的技术实力，美格纳现在发布了这款采用封装 (DPAK) 的 40V MXT MV MOSFET (AMDD040N055RH)。这一新款 MOSFET 具备出色的通用性，适合各种汽车应用，例如电机控制系统或电动座椅模块和电力稳定控制系统，用于逆接电池保护。

“美格纳致力于提供高端产品，满足汽车行业不断变化的需求，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“我们的技术创新，加之稳定的供应和全面的产品系列，将增强我们在汽车行业的根基，扩展我们的全球市场份额。”

 

 

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¹ MXT MV MOSFET（美格纳极限沟槽中压 MOSFET）：美格纳的 40~200V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

² P 通道 MOSFET：P 通道 MOSFET 相较于 N 通道 MOSFET，需要开启低于源极的栅极电压。因此，漏源电压通常以负值表示（例如 -40V）。

 

 

 

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美格纳面向电动汽车市场发布采用先进场截止沟槽技术的新款 1200V 和 650V IGBT 

 

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美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

 

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– 新款 30V MXT LV MOSFET 采用先进的沟槽 MOSFET 技术开发，确保为电动助力转向系统提供可靠的电源供给

 

韩国首尔，2023 年 12 月 18 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司已开始全面量产其新款 30V MXT LV 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)*，此款产品适用于电动助力转向 (EPS) 系统的电子控制单元 (ECU)。本 MOSFET 产品已用于一家全球性汽车制造商生产的汽车中。

美格纳的新款 30V MXT LV MOSFET

 

新款 30V MXT LV MOSFET 为 EPS 提供可靠的电源，帮助车辆通过电动机进行方向控制。本产品还符合严格的 AEC-Q101 标准，保证工作结温宽幅范围于 -55°C 到 175°C 内。

新产品在厚栅极氧化物中融入了先进的沟槽 MOSFET 结构，能够提供低阻抗和出色的开关特性。这些特点降低了应用中的开关噪音，提高了系统性能和电源效率。此外，通过应用 3.3 毫米 x 3.3 毫米的 PDFN 33 封装，降低了产品尺寸，使 ECU 有了灵活的设计选择。

“美格纳面向 EPS 的新款紧凑型和高度可靠的 MOSFET 展示了我们出色的技术能力，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“我们将利用创新性的电源解决方案和严格的质量控制程序积极拓展汽车行业市场。”

 

 

 

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*  MXT LV MOSFET（美格纳极限沟槽低压 MOSFET）：美格纳的 12~40V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

 

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电源解决方案 > MXT MOSFETs > 30V

 

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– 美格纳通过增加采用 D²PAK-7L 和 PDFN56 封装的新款 150V MXT MV MOSFET，扩展了其第 8 代 MXT MV MOSFET 产品组合

 

韩国首尔，2023 年 10 月 10 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了利用其第 8 代沟槽 MOSFET 技术的两款新 150V *MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 。

 

要降低高功率设备的功耗和确保稳定性，能效至关重要。这些新发布的第 8 代 150V MXT MV MOSFET（MDES15N056PTRH、MDU150N113PTVRH）基于美格纳的前沿沟槽 MOSFET 技术而开发。特别是，与前一代相比，MDES15N056PTRH 的 R_DS(on)（MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值）降低了 22%，因此增强了应用的能效。

通过改进晶胞和封装设计，MDES15N056PTRH 和 MDU150N113PTVRH 的品质因素（FOM：R_DS(on) x Qg）与前一代相比分别提高了 23% 和 39%。而且，通过采用贴片封装，例如 D²PAK-7L (TO-263-7L) 和 PDFN56，减小了 MOSFET 的尺寸，可实现对各种应用进行灵活设计，这些应用包括电机控制器、电池管理系统 (BMS)、家用太阳能逆变器和工业电源等。

“在去年推出五款第 8 代 200V 和 150V MOSFET 后，现在我们很高兴地再推出两款采用新封装的 150V MXT MV MOSFET 产品，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“美格纳将继续扩展其高效 MXT MOSFET 产品组合，包括即将发布的基于 180 纳米微结构技术的新款产品。”

 

 

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*MXT MV MOSFET（美格纳极限沟槽中压 MOSFET）：美格纳的 40~200V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

 

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电源解决方案 > MXT MOSFETs > 150V

 

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– 美格纳开始全面量产面向电动汽车 PTC 加热器的 1200V 和 650V IGBT

 

韩国首尔，2023 年 9 月 11 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了新款 1200V 和 650V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，用于电动汽车 (EV) 的正温度系数 (PTC) 加热器。

新推出的 AMBQ40T120RFRTH (1200V) 和 AMBQ40T65PHRTH (650V) 基于前沿“场截止沟槽”技术而打造，提供最低 10 微秒的耐受短路时间。由于具备这种强大的性能，即使发生过流的情况下，PTC 加热器也能得到良好保护，不会发生永久性故障。

此外，TO-247 封装采用厚和大的散热片，使这些新款 IGBT 具备出色的散热性能。因此，这些 IGBT 非常适合需要高功率和高效率的应用，例如 PTC 加热器的电源管理集成式电路的高边与低边。

“自去年的年初以来，美格纳发布了多款遵从严格的 AEC-Q101 标准的高性能汽车电源解决方案，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“现在，我们成功发布了面向电动汽车的首款 IGBT 产品，我们将继续扩大我们的产品阵容，满足电动汽车市场和我们尊贵客户的各种需求。”

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电源解决方案 > IGBT Chip for Standard Module > 1200V

 

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第 7 代 MXT LV MOSFET 系列

 

超短通道是美格纳的最新设计技术，通过缩短源极与漏极之间的通道长度，降低 R_on（MOSFET 在通态运行期间的电阻）。相比前几代产品，这些新款 MOSFET 的 R_on 降低了 24~40%，因而电池充放电时的功率损失低，提高了电池的性能。

此外，美格纳还可以根据具体的应用规格和电池容量，为这些产品提供定制的设计服务，这样 MOSFET 的尺寸可以分别降低 5% 到 20%。

凭借这样的技术实力、灵活的设计和可选的紧凑尺寸，扩大的 MXT LV MOSFET 阵容能够满足各种移动设备的不同技术要求，无论是高端折叠手机还是无线耳机。

“今年到目前为止，美格纳已发布了面向电池保护电路的五款新型 MXT LV MOSFET，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“我们将继续打造高端 MOSFET，助力移动设备实现出色的电源效率和优异的性能，进而巩固我们的市场地位。”

 

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^* MXT LV MOSFET（美格纳极限沟槽低压 MOSFET）：美格纳的 12~40V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

 

产品特性

• 第 7 代硅沟槽技术
• 相比前几代产品，R_on 降低了约 24%~40%
• 较低的总栅极电荷量提高了开关速度
• 出色的散热性能
• 适用于各种移动设备的解决方案

 

 

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电源解决方案 > MXT MOSFETs > 12V

电源解决方案 > MXT MOSFETs > 24V

 

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– R_DS(on) 低至 1.4 毫欧的 40V MXT MOSFET 助力汽车实现有效的动能回收

 

韩国首尔，2023 年 6 月 12 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司已开始量产面向汽车能量回收系统的新款 40V MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) ¹ 。本产品已用于一家全球性汽车制造商生产的汽车中。

 

 

汽车能量回收系统可在制动时存储车辆的动能，然后将回收的能量用于空调或音响系统等各种功能。因此，该系统将改善燃油经济性和降低碳排放。

40V MXT MOSFET (AMDU040N014VRH) 基于功率双边扁平无引脚 (PDFN) 56 封装制造，具备增强的晶胞和封端设计，可实现低至 1.4 毫欧的 R_DS(on)2，将提高动能回收的效率。此外，高至 175°C 的工作结温和较强的抗雪崩能力，提升了能量回收系统的功率密度和效率。

相对于其他采用封装 (DPAK) 设计的 40V MOSFET 产品，应用 PDFN56 封装的此新款 MOSFET 的尺寸降低了约 80%。PDFN56 封装广泛用于汽车领域中，因此这款新产品非常适合各种应用，例如内燃机的反向电压保护电路和无刷直流电机，以及电动车辆的再生制动系统。

“我们很高兴再次推出创新性的汽车电源解决方案，新的解决方案具备卓越的性能和可靠性，完全符合 AEC – Q101 标准，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“秉持我们的创新技术传统，美格纳将继续开发高端产品，满足汽车市场不断变化的各种要求。”

 

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^【1】 MXT MOSFET（美格纳极端沟槽 MOSFET）：美格纳的前沿沟槽 MOSFET 产品组合，包括中低压 （12V to 200V）MOSFET

^【2】 R_DS(on)：通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值

 

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电源解决方案 > MXT MOSFETs > 40V

 

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