分类： 电源解决方案

电源解决方案

美格纳开始全面量产面向电动助力转向系统的新款 30V MXT LV MOSFET

– 新款 30V MXT LV MOSFET 采用先进的沟槽 MOSFET 技术开发，确保为电动助力转向系统提供可靠的电源供给

 

韩国首尔，2023 年 12 月 18 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司已开始全面量产其新款 30V MXT LV 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)*，此款产品适用于电动助力转向 (EPS) 系统的电子控制单元 (ECU)。本 MOSFET 产品已用于一家全球性汽车制造商生产的汽车中。

Magnachip’s new automotive 30V MXT LV MOSFET美格纳的新款 30V MXT LV MOSFET

 

新款 30V MXT LV MOSFET 为 EPS 提供可靠的电源，帮助车辆通过电动机进行方向控制。本产品还符合严格的 AEC-Q101 标准，保证工作结温宽幅范围于 -55°C 到 175°C 内。

新产品在厚栅极氧化物中融入了先进的沟槽 MOSFET 结构，能够提供低阻抗和出色的开关特性。这些特点降低了应用中的开关噪音，提高了系统性能和电源效率。此外，通过应用 3.3 毫米 x 3.3 毫米的 PDFN 33 封装，降低了产品尺寸，使 ECU 有了灵活的设计选择。

“美格纳面向 EPS 的新款紧凑型和高度可靠的 MOSFET 展示了我们出色的技术能力，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“我们将利用创新性的电源解决方案和严格的质量控制程序积极拓展汽车行业市场。”

 

 

 

*MXT MV MOSFET（美格纳极限沟槽中压 MOSFET）：美格纳的 40~200V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合

 

相关链接

电源解决方案 > MXT MOSFETs > 30V

 

关于美格纳半导体

美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

 

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美格纳发布第 8 代新款 150V MXT MV MOSFET

– 美格纳通过增加采用 D2PAK-7L 和 PDFN56 封装的新款 150V MXT MV MOSFET，扩展了其第 8 代 MXT MV MOSFET 产品组合

 

韩国首尔，2023 年 10 月 10 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了利用其第 8 代沟槽 MOSFET 技术的两款新 150V *MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 。

美格纳第 8 代新款 150V MXT MV MOSFET
美格纳第 8 代新款 150V MXT MV MOSFET

 

要降低高功率设备的功耗和确保稳定性，能效至关重要。这些新发布的第 8 代 150V MXT MV MOSFET（MDES15N056PTRH、MDU150N113PTVRH）基于美格纳的前沿沟槽 MOSFET 技术而开发。特别是，与前一代相比，MDES15N056PTRH 的 RDS(on)（MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值）降低了 22%，因此增强了应用的能效。

通过改进晶胞和封装设计，MDES15N056PTRH 和 MDU150N113PTVRH 的品质因素（FOM：RDS(on) x Qg）与前一代相比分别提高了 23% 和 39%。而且，通过采用贴片封装，例如 D2PAK-7L (TO-263-7L) 和 PDFN56，减小了 MOSFET 的尺寸，可实现对各种应用进行灵活设计，这些应用包括电机控制器、电池管理系统 (BMS)、家用太阳能逆变器和工业电源等。

“在去年推出五款第 8 代 200V 和 150V MOSFET 后，现在我们很高兴地再推出两款采用新封装的 150V MXT MV MOSFET 产品，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“美格纳将继续扩展其高效 MXT MOSFET 产品组合，包括即将发布的基于 180 纳米微结构技术的新款产品。”

 

第 8 代 MXT MV MOSFET 系列

 

*MXT MV MOSFET（美格纳极限沟槽中压 MOSFET）：美格纳的 40~200V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合

 

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电源解决方案 > MXT MOSFETs > 150V

 

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美格纳面向电动汽车市场发布采用先进场截止沟槽技术的新款 1200V 和 650V IGBT

– 美格纳开始全面量产面向电动汽车 PTC 加热器的 1200V 和 650V IGBT

 

韩国首尔，2023 年 9 月 11 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了新款 1200V 和 650V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，用于电动汽车 (EV) 的正温度系数 (PTC) 加热器。面向电动汽车 PTC 加热器的新款 IGBT

新推出的 AMBQ40T120RFRTH (1200V) 和 AMBQ40T65PHRTH (650V) 基于前沿“场截止沟槽”技术而打造，提供最低 10 微秒的耐受短路时间。由于具备这种强大的性能，即使发生过流的情况下，PTC 加热器也能得到良好保护，不会发生永久性故障。

此外，TO-247 封装采用厚和大的散热片，使这些新款 IGBT 具备出色的散热性能。因此，这些 IGBT 非常适合需要高功率和高效率的应用，例如 PTC 加热器的电源管理集成式电路的高边与低边。

“自去年的年初以来，美格纳发布了多款遵从严格的 AEC-Q101 标准的高性能汽车电源解决方案，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“现在，我们成功发布了面向电动汽车的首款 IGBT 产品，我们将继续扩大我们的产品阵容，满足电动汽车市场和我们尊贵客户的各种需求。”

面向电动汽车 PTC 加热器的新款 IGBT

相关链接

电源解决方案 > IGBT Chip for Standard Module > 1200V

 

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美格纳扩大面向移动设备电池保护电路的第 7 代 MXT LV MOSFET 阵容

韩国首尔，2023 年 7 月 10 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了四款新型 MXT LV 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)*，这些产品使用超短通道技术而打造，进一步扩大了美格纳面向移动设备电池保护电路的第 7 代 MXT LV MOSFET 阵容。

 

第 7 代 MXT LV MOSFET 系列

第 7 代 MXT LV MOSFET 系列

 

超短通道是美格纳的最新设计技术，通过缩短源极与漏极之间的通道长度，降低 Ron（MOSFET 在通态运行期间的电阻）。相比前几代产品，这些新款 MOSFET 的 Ron 降低了 24~40%，因而电池充放电时的功率损失低，提高了电池的性能。

此外，美格纳还可以根据具体的应用规格和电池容量，为这些产品提供定制的设计服务，这样 MOSFET 的尺寸可以分别降低 5% 到 20%。

凭借这样的技术实力、灵活的设计和可选的紧凑尺寸，扩大的 MXT LV MOSFET 阵容能够满足各种移动设备的不同技术要求，无论是高端折叠手机还是无线耳机。

“今年到目前为止，美格纳已发布了面向电池保护电路的五款新型 MXT LV MOSFET，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“我们将继续打造高端 MOSFET，助力移动设备实现出色的电源效率和优异的性能，进而巩固我们的市场地位。”

 

* MXT LV MOSFET（美格纳极限沟槽低压 MOSFET）：美格纳的 12~40V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合

 

产品特性

  • 第 7 代硅沟槽技术
  • 相比前几代产品，Ron 降低了约 24%~40%
  • 较低的总栅极电荷量提高了开关速度
  • 出色的散热性能
  • 适用于各种移动设备的解决方案

 

 

相关链接

电源解决方案 > MXT MOSFETs > 12V

电源解决方案 > MXT MOSFETs > 24V

 

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美格纳开始量产面向汽车能量回收系统的 40V MXT MOSFET

– RDS(on) 低至 1.4 毫欧的 40V MXT MOSFET 助力汽车实现有效的动能回收

 

韩国首尔，2023 年 6 月 12 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司已开始量产面向汽车能量回收系统的新款 40V MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 1 。本产品已用于一家全球性汽车制造商生产的汽车中。

 

40V MXT MOSFET

 

汽车能量回收系统可在制动时存储车辆的动能，然后将回收的能量用于空调或音响系统等各种功能。因此，该系统将改善燃油经济性和降低碳排放。

40V MXT MOSFET (AMDU040N014VRH) 基于功率双边扁平无引脚 (PDFN) 56 封装制造，具备增强的晶胞和封端设计，可实现低至 1.4 毫欧的 RDS(on)2，将提高动能回收的效率。此外，高至 175°C 的工作结温和较强的抗雪崩能力，提升了能量回收系统的功率密度和效率。

相对于其他采用封装 (DPAK) 设计的 40V MOSFET 产品，应用 PDFN56 封装的此新款 MOSFET 的尺寸降低了约 80%。PDFN56 封装广泛用于汽车领域中，因此这款新产品非常适合各种应用，例如内燃机的反向电压保护电路和无刷直流电机，以及电动车辆的再生制动系统。

“我们很高兴再次推出创新性的汽车电源解决方案，新的解决方案具备卓越的性能和可靠性，完全符合 AEC – Q101 标准，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“秉持我们的创新技术传统，美格纳将继续开发高端产品，满足汽车市场不断变化的各种要求。”

 

【1】 MXT MOSFET（美格纳极端沟槽 MOSFET）：美格纳的前沿沟槽 MOSFET 产品组合，包括中低压 （12V to 200V）MOSFET

【2】 RDS(on)：通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值

 

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电源解决方案 > MXT MOSFETs > 40V

 

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美格纳首次发布配备快恢复体二极管的新 600V SJ MOSFET 产品系列

– 美格纳推出面向电动汽车充电器和服务器且 RDS(on)* 低至 44 毫欧的新款 600V SJ MOSFET

韩国首尔，2023 年 5 月 2 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了新的 600V 超结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET) 系列，此系列包含采用专有设计技术的九种不同产品。

 

美格纳的新 600V SJ MOSFET 产品系列

 

美格纳的专有设计可将特定通态电阻 (RSP) 降低约 10%，同时仍能够保持前一代 MOSFET 的相同单元间距。

此外，新的 600V SJ MOSFET 产品系列配备快恢复体二极管。这种二极管技术可显著提高系统效率，同时降低反向恢复时间 (trr) 和开关损耗。相比前一代产品，此款产品用于评估 MOSFET 的总体性能的评价指标提高了 10% 以上。因此，这些 600V SJ MOSFET 可以广泛用在各种工业应用中，例如太阳能逆变器、能量存储系统、不间断电源系统和各种电子产品。

在这些新的 MOSFET 中，MMQ60R044RFTH 产品具有低至 44 毫欧的 RDS(on)，是用于电动车充电器和服务器的理想选择。根据市调机构 Omdia 的数据估测，混合动力及电动车辆和服务器的 Si MOSFET 市场的年复合增长率从 2023 年到 2026 年将分别为 11% 和 7%。

“我们已推出了 600V SJ MOSFET 产品，目标是在 2023 年的下半年发布配备快恢复体二极管的新 650V 和 700V SJ MOSFET 产品系列，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“这些新的 MOSFET 代表了公司取得的重大成就，我们将在此基础上，打造下一代电源解决方案，满足不断变化的市场需求和客户期望。”

 

 

* RDS(on):通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值。

 

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电源解决方案 > SJ MOSFETs > 600V

 

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美格纳发布适用于智能手机电池保护电路模块的超短通道 MXT MOSFET

韩国首尔，2023 年 3 月 2 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了两款第七代 MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)1，这两款产品基于公司的超短通道技术而打造，适用于智能手机中的电池保护电路模块。

 

美格纳的超短通道 MXT MOSFET
美格纳的超短通道 MXT MOSFET

 

超短通道是美格纳的最新设计技术，可在通态运行期间缩短源极与漏极之间的通道长度，这将显著降低 RDS(on)2，从而获得较高的性能。美格纳会首先将此技术应用于最新发布的 MDWC12D028ERH (12V MOSFET) 和 MDWC24D031ERH (24V MOSFET) 上。

得益于超短通道技术，与先前的版本相比，这些新款 MOSFET 的尺寸减小了 20%，MDWC12D028ERH 和 MDWC24D031ERH 的 RDS(on) 分别降低了 40% 和 24%。借助这些增强的产品功能，降低了电池充放电时的功率损失，并且对电池进行快速充电时可以保持一个较低的温度。

美格纳计划于 2023 年下半年发布大小紧凑的超短通道 MXT MOSFET，这些产品具有出色的电源效率，适用于如智能手表和耳机的可穿戴设备的小型电池。

“超短通道技术将该 MXT MOSFET 性能提升到了一个全新的水平 ，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“美格纳将继续努力推进技术创新，提供出色的电源管理 IC，满足移动设备制造商不断变化的各种要求。”

 

【1】 MXT MOSFET（美格纳极端沟槽 MOSFET）：美格纳的前沿沟槽 MOSFET 产品组合，包括中低压 （12V to 200V）MOSFET

【2】 RDS(on)：通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值

 

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美格纳推出面向轻型电动车辆的第 8 代 150V MXT MOSFET

– 美格纳的第 8 代 150V MXT MOSFET 具备更低的 RDS(on) 并采用 TOLL 封装，支持高效管理电机控制器和电池管理系统

 

韩国首尔，2022 年 12 月 29 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司推出了其第 8 代 150V MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)1， 此款产品为轻型电动车辆 (LEV) 电机控制器和电池管理系统 (BMS)优化而成。

电子设备的能效对于降低功耗和提高产品稳定性至关重要。这款新发布的 MOSFET (MDT15N054PTRH) 采用美格纳的第 8 代沟槽 MOSFET 技术，与上一代产品相比，RDS(on)2 降低了 28%。基于芯片和封装框架的增强设计，本产品具有高品质因数，并且可以避免总栅极电荷量3 增加。

MDT15N054PTRH 适用于贴片 TO-Leadless (TOLL) 封装，可降低产品尺寸并改善散热效果。由于可进行快速开关并且支持高功率密度，因此能效也得到极大增强。此外，从 -55°C 到 175°C 的工作结温和较强的抗雪崩能力，助力该新款 MXT MOSFET 超出轻型电动车辆电机控制器和电池管理系统的性能要求。

“自 2008 年以来，我们已发布面向电机控制器和电池管理系统的超过 40 款 MOSFET 产品，2017 年起的大多数产品均为轻型电动车辆应用而打造。”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“作为高性能 MOSFET 的供应商，美格纳将继续提供满足市场复杂要求的创新性解决方案。”

 

产品特性

  • 低 RDS(on) 和开关损耗
  • 出色的散热性能
  • 从 -55°C 到 175°C 的工作结温
  • 适用于广泛应用，例如 轻型电动车辆电机控制器和电池管理系统以及各种消费电子产品的开关模式电源

 

美格纳推出面向轻型电动车辆的第 8 代 150V MXT MOSFET
美格纳推出面向轻型电动车辆的第 8 代 150V MXT MOSFET

 

 

【1】 MXT MOSFET（美格纳极端沟槽 MOSFET）：美格纳的前沿沟槽 MOSFET 产品组合，包括中低压 MOSFET

【2】 RDS(on)：通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值

【3】 总栅极电荷量 (Qg)：需要注入栅电极以打开（驱动）MOSFET 的电荷量

 

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美格纳发布第三代 200V MV MOSFET

– 3 款新型 200V MV MOSFET 将帮助公司在 LEV 电机控制器和工业电源领域扩大其全球市场份额

 

韩国首尔，2022 年 9 月 6 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司推出了其第三代 200V 中压 (MV) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，此款产品适用于轻型电动车辆 (LEV) 电机控制器和工业电源。

美格纳发布第三代 200V MV MOSFET
美格纳发布第三代 200V MV MOSFET

 

为了最大限度地提高电源设备的能效，美格纳的新型 200V MOSFET 融入了第三代沟槽 MOSFET 技术。与先前版本的 100V MV MOSFET 相比，此款产品的电容量降低了 50%，并且晶胞和封端的设计得到增强，有助于降低 RDS(on)* 和总栅极电荷量 **，展现出本产品的高品质因数。

这些第三代 MOSFET 还适用于表面贴装的 TO-Leadless (TOLL)、M2PAK 封装和通孔类型的 TO-220，可降低产品尺寸并增强散热能力。此外，由于可进行快速开关并且具有高功率密度，这些 MOSFET 的能效得到进一步增强。加上从 -55°C 到 175°C 的工作结温和出色的雪崩能力，这些 MOSFET 非常适用于需要高能效且稳定供电的 LEV 电机控制器和工业电源。

据全球市场调研公司 Omdia 估测，在全球硅电源 MOSFET 市场中，汽车和工业领域的年增长率从 2020 年到 2025 年将分别为 11.5% 和 9.6%。特别是，为了加快碳减排以及对高能效经济型车辆需求的提升，LEV 市场正在快速扩大。

“汽车和工业领域中先进应用的开发推动了对高性能 MV MOSFET 需求，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“美格纳将持续升级 MV MOSFET 产品线，包括从 40V 到 200V 的整个产品范围，以支持我们的客户增强其产品竞争力。”

 

美格纳 200V MV MOSFET 非常适用于需要高能效且稳定供电的 LEV 电机控制器和工业电源。
美格纳 200V MV MOSFET 非常适用于需要高能效且稳定供电的 LEV 电机控制器和工业电源。

 

*RDS(on)：通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值

**总栅极电荷量 (Qg)：需要注入栅电极以开启（驱动）MOSFET 的电荷量

 

产品特性

  • 低 RDS(on) 和开关损耗
  • 出色的散热性能
  • 从 -55°C 到 175°C 的工作结温
  • 适用于各种应用，例如 LEV、电源管理系统和开关电源

 

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电源解决方案 > MV MOSFETs > 200V

 

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美格纳推出适用于无线耳机电池的新型 24V MOSFET

– 新产品可为电池电路提供强效保护，有助于提升美格纳电池电子设备产品的全球市场占有率

 

韩国首尔 2022 年 7 月 18 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称 “美格纳”，NYSE：MX）当日宣布，公司推出了一款适用于无线耳机电池的新型 24V 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。

新型 24V MOSFET 可有效减少导通损耗，实现电池设计人员所期望的延长快充电池寿命的目标。这款新产品的核心元件密度相较先前版本提升了 30%，与此同时，核心元件、终端和源极焊盘的设计在原有基础上得到进一步增强，成功将 *RDS(on) 降低了 24%。

如此一来，即可大幅减少电池充放电时的导通损失，显著提高电池电路保护的整体效率。此外，这款 24V MOSFET 还采用了静电 (ESD) 保护功能，可以抑制高于 5V 的异常电压，提供最大 2kV 的 ESD 防护能力，实现强效的电路保护。得益于上述功能，这款 24V MOSFET 可以有效延长耳机电池的服务寿命。

据全球市场研究公司 Omdia 估测，从 2020 年到 2026 年，无线耳机市场的年增长率将达到 15.1%。这款新型 24V MOSFET 现已投入量产，主要面向全球耳机制造商的高端耳机电池供货。

“继先前发布了三种低压 MOSFET 之后，美格纳如今又开发了这款性能优越的 24V MOSFET，我们的设计初衷在于满足智能电池的严苛要求，”美格纳首席执行官YJ Kim 说，“而这款新产品的问世再一次证明了美格纳的技术领先地位，我们期待在不久的将来推出适用于 VR 眼镜和可穿戴设备的 24V MOSFET，进一步丰富我们的电池供电设备产品系列。”

 

* RDS(on)： 导通电阻，即 MOSFET 在导通时漏极与源极之间的电阻值

 

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