[카테고리:] 파워 솔루션

– 소형 패키지 적용 및 낮은 문턱 전압(gate threshold voltage) 특성으로 자동차 모터와 저전력 제어 시스템에 최적화된 40V MXT MV MOSFET 신제품 출시

 

2024년 9월 9일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 PDFN(Power Dual Flat No-Lead)33 패키지로 설계된 차량용 40V ¹⁾MXT MV MOSFET 신제품 4종을 출시했다고 밝혔다.

 

 

자율주행, 인포테인먼트 등 자동차 기술이 고도화되면서 차량에 탑재되는 모터의 종류와 수량이 증가하는 추세다. 그리고, 이러한 모터를 효율적으로 구동시키기 위한 낮은 전력, 컴팩트한 크기와 가벼운 중량을 가진 고성능 MOSFET의 중요도가 높아지고 있다.

이번에 출시된 매그나칩 40V MXT MV MOSFET 신제품 4종은 PDFN33 패키지를 적용하여 PDFN56 패키지 40V MOSFET에 비해 면적은 60% 이상, 무게는 75% 정도 감소했다. 그래서, 성능, 연비, 공간 유연성이 중요한 자동차 모터와 저전력 제어 시스템에 더욱 적합해졌다.

이번 신제품 중 AMDV040N029LVRH, AMDV040N036LVRH 및 AMDV040N042LVRH 3종은 1.8V의 낮은 문턱 전압이 특징이다. 문턱 전압이란 MOSFET이 꺼진 상태에서 켜지는 상태로 전환되는 지점을 결정하는 전압으로, 문턱 전압이 낮으면 MOSFET을 작동시키기 위해 필요한 에너지가 줄어들어 전체 시스템의 전력 소비가 감소하게 된다.

이번에 출시된 매그나칩 차량용 40V MXT MV MOSFET 신제품 4종의 주요 스펙은 아래와 같다.

 

 

매그나칩 김영준 대표 이사는 “이번 신제품 출시로 매그나칩은 변화하는 자동차 부품 시장의 다양한 수요를 충족하는 차량용 전력 반도체 라인업을 한층 더 강화했다”라며 “앞으로도 기술 혁신과 안정적인 제품 공급으로 글로벌 시장에서 입지를 강화해 나갈 것”이라고 말했다.

 

 

 

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¹⁾MXT MV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Medium Voltage MOSFET): 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군 중 40V~200V MOSFET

²⁾온저항(R_DS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

 

관련 링크

매그나칩 차량용 전력 반도체에 대한 제품 스펙과 데이터시트는 https://www.magnachip.com/kr/automotive-solutions를 참고하세요.

 

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매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,050건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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미국 (투자자): Steven C. Pelayo, CFA The Bueshirt Group Tel. +1(360) 808-5154 steven@ blueshirtgroup.co

미국 미디어 / 업계 분석가: Mike Newsom LouVan Communications, Inc. Tel. +1-617-803-5385 mike@louvanpr.com

한국 / 아시아 미디어: 김민아 Senior manager of Public Relations Tel. +82-2-6903-3211 pr@maganachip.com

 

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   매그나칩, 40V MXT MV MOSFET 신제품 4종 출시

2024년 7월 30일, 매그나칩반도체 유한회사(“매그나칩”) (대표이사 김영준, NYSE:MX)는 스마트폰 배터리 보호 회로용 8세대 ¹⁾MXT LV MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 신제품을 출시했다고 밝혔다.

매그나칩은 이번에 새로 출시된 12V Dual N-channel MOSFET(MDWC12D024PERH)에 자체 개발한 슈퍼 쇼트 채널 펫 2(SSCFET^® II: Super-Short Channel FET II) 기술을 처음으로 도입했다. 슈퍼 쇼트 채널 펫 2는 MOSFET이 동작할 때 전류가 흐르는 채널의 길이를 획기적으로 줄여 ²⁾온저항을 낮추는 매그나칩의 최신 설계 기술을 말한다.

이 제품은 슈퍼 쇼트 채널 펫 1(SSCFET^® I: Super-Short Channel FET I) 기술을 적용한 동일 규격의 자사 이전 세대 제품과 비교해 온저항이 약 22% 감소했다. 이렇게 전력 손실이 감소하면 스마트폰 충전 시간이 단축되고, 고속 충전 모드에서는 스마트폰 내부 온도가 약 12% 낮아진다.

글로벌 스마트폰 제조사들이 AI 기능을 강화한 스마트폰을 출시하면서, MOSFET 제품의 중요성이 커지고 있다. 이번에 출시된 매그나칩의 12V MXT LV MOSFET은 높은 전력 효율을 특징으로 하여 온 디바이스 AI 스마트폰과 같은 다양한 프리미엄 스마트폰의 배터리 보호 회로에 적용될 수 있다.

시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 2024년 온디바이스 AI 스마트폰 출하량은 2024년부터 2028년까지 연평균 50% 성장하여 2028년에는 6억 600만 대에 달할 것으로 예상된다.

매그나칩 김영준 부회장은 “매그나칩은 작년 초 슈퍼 쇼트 채널 펫 1 기술 개발 및 제품 공급에 이어 이번에는 슈퍼 쇼트 채널 펫 2 기술 확보에 성공했다”라며, “올해 하반기에도 고밀도 셀 트렌치 기술을 개발하여 스마트폰, 스마트워치, 이어폰 등을 타겟으로 한 고성능 파워 솔루션을 지속적으로 출시할 계획이다”라고 말했다.

 

 

 

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¹⁾MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): 매그나칩의 최신 Trench MOSFET 제품군 중 12V~40V MOSFET.

²⁾온저항(R_SS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때 직렬(Common drain)로 연결된 MOSFET 소스 단자 사이(source to source)의 저항.

 

 

 

 

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파워솔루션 > MXT MOSFETs > 12V-24V

 

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매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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   매그나칩, 슈퍼 쇼트 채널 펫 2 기술 기반 첫 번째 8세대 MXT LV MOSFET 신제품 공개

– 다양한 IGBT 및 ¹⁾MXT MV MOSFET 제품으로 태양광 에너지 시장에 최적화된 솔루션 제공

 

2024년 7월 29일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 태양광 인버터에 특화된 TO-247PLUS 패키지 1200V 75A 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor)를 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 올해 10월 양산될 계획이다.

2020년 매그나칩은 1200V 40A IGBT(MBQ40T120QFS) 제품 출시로 태양광 인버터 시장에 진입했고, 2022년에 650V 75A IGBT(MBQ75T65PEH)를 발표했다. 그리고, 이번에 매그나칩의 최신 설계기술과 공정을 적용한 1200V 75A IGBT(MBQA75T120RFS)를 공개했다.

이번 신제품은 TO-247 패키지에 비해 넓은 히트 스프레더(Heat spreader)를 가진 TO-247PLUS 패키지에 탑재되어 열 방출 효과가 개선되었다. 자사 이전 세대 IGBT에 비해 전도 손실은 14% 이상 감소하여 전력 효율이 향상되어 과부하 환경에서도 안정적인 동작이 가능해져 시스템 신뢰성을 높인다.

기존 40A IGBT 두 개를 75A 한 개 제품으로 대체할 수 있어 이 신제품을 적용하게 되면 애플리케이션의 설계 유연성도 확보된다. 고속 역병렬 다이오드로 잔존 전류를 빠르게 제거하여 스위칭 손실을 줄이면서 최대 175°C의 동작 온도 범위를 보장하는 것도 이번 제품의 주요 특징 중 하나이다. 또한, 국제반도체표준협의기구(JEDEC: Joint Electron Device Engineering Council) 표준에 따라 설계되어 태양광 인버터와 컨버터는 물론 UPS 및 범용 인버터 등 엄격한 전력 등급과 높은 효율성이 요구되는 애플리케이션에 광범위하게 사용될 수 있다.

시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 재생 에너지 시장에서 디스크리트(Discrete) IGBT와 실리콘 기반 모스펫(Si MOSFET) 영역은 2024년부터 2028년까지 연평균 15% 성장할 것으로 예상된다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “이번 신제품 출시로 태양광 에너지 애플리케이션의 기술적 요구사항을 충족하는 고성능 IGBT와 MXT MV MOSFET 제품 라인업이 한층 더 강화되었다”라며, “앞으로도 재생 에너지 시장을 타겟으로 한 혁신적인 파워 솔루션을 지속적으로 공급하여 이 영역의 성장 가능성을 확장할 것”이라고 했다.

 

 

 

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¹⁾MXT MV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Medium Voltage MOSFET): 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군 중 40V~200V MOSFET.

²⁾R_DS(ON)：MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항.

 

 

 

관련 링크

파워 솔루션 > Discrete IGBTs

 

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매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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   매그나칩, TO247PLUS 패키지 1200V IGBT 신제품 출시

2024년 6일 10일, 매그나칩믹스드시그널 유한회사(이하 ‘매그나칩믹스드시그널’)는 IT 기기 디스플레이의 다양한 전압과 시그널을 조절하는 다기능 전력관리반도체(PMIC: Power Management Integrated Circuit)와 멀티 채널 레벨 시프터를 출시했다고 밝혔다.

 

 

매그나칩믹스드시그널은 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’)의 자회사로서, TV용 BLU(Back Light Unit) LED 드라이버, LED 조명 드라이버 등을 포함한 다양한 전력 반도체를 10년 이상 개발하고 공급해 왔다. 매그나칩믹스드시그널 제품의 품질은 메이저 TV 제조업체, OLED 패널 업체, 그리고 스마트폰 제조업체들과의 성공적인 협력과 결과물로 검증되었고, 매그나칩믹스드시그널은 이를 기반으로 전 세계에 고객층을 확보하고 있다.

매그나칩은 2019년부터 전력관리반도체와 레벨 쉬프터 연구 및 개발을 진행해 왔다. 이두 제품은 이러한 매그나칩의 기술력이 집약되어 높은 효율성, 저전력 소모, 다기능, 멀티 채널 등의 성능을 제공한다.

다기능 전력관리반도체는 빌트인 컨트롤러, 스위치, 로직 회로, 부스트 레귤레이터 2개, 네거티브 LDO(low-dropout) 레귤레이터 2개, 전압 강하용 고전류 레귤레이터 3개, 포지티브 연산 증폭기 2개 등이 통합된 단일 칩으로 개발되었다. 또한, I²C*를 이용하여 가변 전압 관리, 내장형 On/Off 배열 조절, 보호 회로, 스위치 주파수 가변 등이 가능하다. 이 전력관리반도체로 애플리케이션의 효율성은 높아지고 전력 소모는 감소하여 IT 기기의 하이엔드 디스플레이 작동에 필요한 전력이 안정적으로 공급된다.

멀티 채널 레벨 쉬프터는 24개 이상의 스위치 On/Off 전압을 변환하여 신호를 효율적으로 조정한다. 그래서, 고해상도 디스플레이는 물론, UHD 패널에서 필요한 엄격한 채널 요구사항을 충족한다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩믹스드시그널 파워 솔루션은 IT 디스플레이 시장에 최적의 솔루션을 제공할 것”이라며 “앞으로도 계속해서 적기에 제품을 개발 및 공급하여 매그나칩의 성공적인 사업 역사를 이어 나갈 것”이라고 말했다.

 

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*I²C: I2C 또는 IIC로도 알려진 동기식 멀티 컨트롤러/멀티 타겟 단일 종단 직렬 통신 버스.

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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   매그나칩믹스드시그널, IT 기기 디스플레이용 전력관리반도체 및 레벨시프터 공개

-매그나칩 차량용 MOSFET과 IGBT 제품 시리즈로 다수의 메이저 글로벌 자동차 제조사로부터 디자인 윈 획득

-이번에 출시된 40V MXT MV MOSFET은 자동차 모터 제어 시스템에 최적화

 

2024년 4월 30일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 차량용 40V ¹⁾MXT MV MOSFET 신제품을 공개했다. 이번 제품 출시로 매그나칩은 다양한 자동차 애플리케이션에 탑재되는 13개의 MOSFET 및 IGBT 제품 라인업을 확보하게 되었다(하기 표 참조).

자동차 산업에서 자율주행, 인포테인먼트 시스템 등과 같은 고도의 모빌리티 기술을 도입하면서, 고효율 전력 반도체에 대한 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 2024년부터 2027년까지 차량용 전력 디스크리트(Power Discrete) 시장은 연평균 14% 성장할 것으로 예상된다.

매그나칩은 2022년 4월 첫 번째 차량용 반도체 제품으로 40V MOSFET을 출시하면서 본격적으로 자동차 전력 반도체 시장에 진입했다. 그 이후, 30V, -40V (²⁾P-channel MOSFET), 60V 및 250V MOSFET을 시장에 공급해 왔고, 지난 2023년 9월에는 자동차 PTC 히터 및 전기 컴프레셔(E-Compressor)용 650V 및 1200V IGBT 제품을 발표했다. 지난 2년 간, 매그나칩의 전력 반도체는 미국, 한국, 일본, 그리고 중국 주요 자동차 제조사의 차량에 탑재되어 왔다.

매그나칩의 우수한 MOSFET 기술 기반으로 개발된 40V MXT MV MOSFET(AMDD040N055RH)은 DPAK(Decawatt Package) 패키지를 적용하여 모터 제어 시스템 그리고 파워 시트 모듈(Power Seat Module)과 전자식 자세 제어 장치(Electric Stability Control)의 역전압 보호(Reverse Battery Protection) 등 광범위한 차량용 애플리케이션에 적용될 수 있다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 변화하는 자동차 영역의 수요를 충족하는 프리미엄 제품을 공급하는 데에 노력을 기울이고 있다”라며 “기술 혁신, 안정적인 공급과 다양한 제품 구성으로 자동차 업계에서 입지를 강화하고 글로벌 시장을 확대해 갈 것”이라고 말했다.

 

 

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¹⁾MXT(Magnachip eXtreme Trench) MOSFET: 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET으로 LV (low-voltage) trench MOSFET 및 MV (medium-voltage) trench MOSFET 제품 라인의 통칭

²⁾P-채널 MOSFET: N-채널 MOSFET과는 달리 P-채널 MOSFET에 전류가 흐르기 위해서는 게이트 전압이 소스보다 낮아야 하므로 드레인-소스 전압은 일반적으로 음으로 표기(예: -40V).

 

 

 

관련 링크

매그나칩 차량용 전력 반도체에 대한 상세한 제품 정보는 https://www.magnachip.com/kr/automotive-solutions에서 확인하실 수 있습니다.

 

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매그나칩, 필드 스톱 트렌치 기술로 업그레이드된 1200V 및 650V IGBT 신제품으로 전기차 시장 공략

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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   매그나칩, 40V MXT MV MOSFET 신제품 출시

– 높은 강건성을 가진 30V MXT LV MOSFET으로 전동식 파워 스티어링에 안정적인 전력 공급

 

2023년 12월 18일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 자동차 전동식 파워 스티어링(EPS: Electric Power Steering)의 전자 제어 장치(ECU: electronic control unit)에 사용되는 30V *MXT LV MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)를 양산하기 시작했다고 밝혔다. 현재 이 제품은 글로벌 자동차 제조사의 차량 모델에 탑재되고 있다.

 

현재 양산되고 있는 30V MXT LV MOSFET(AMDV030N150URH) 신제품은 전기 모터를 이용해 차량의 방향 전환 능력을 보조하는 전동식 파워 스티어링에 안정적인 전력을 공급한다. 이 제품은 엄격한 AEC-Q101 차량용 반도체 신뢰성 기준을 충족하며, -55°C~175°C의 광범위한 온도 범위에서 안정적으로 동작한다.

이번 신제품은 두꺼운 게이트 산화물에 강건성이 높은 MOSFET 구조를 적용하여 낮은 온저항과 우수한 스위칭 특성을 제공한다. 이러한 특성으로 애플리케이션에서 발생하는 스위칭 잡음이 줄고 높은 전력 효율로 인해 시스템 성능이 향상된다. 또한, 3.3mm x 3.3mm의 PDFN33 패키지로 제품 크기가 작아지면서 전자 제어 장치의 소형화 설계가 용이해졌다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 차별화된 기술력을 통해 콤팩트한 크기에 높은 신뢰성을 보유한 전동식 파워 스티어링 전자 제어 장치용 MOSFET 제품을 출시했다”라며, “앞으로도 엄격한 품질 관리와 혁신적인 기술로 완성된 차량용 파워솔루션을 글로벌 자동차 부품 업체에 적기에 공급하면서 전장 시장을 적극적으로 확대해 갈 것”이라고 말했다.

 

 

 

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*MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): 매그나칩의 최신Trench MOSFET 제품군 중 12V~40V MOSFET

 

 

관련 링크

Power Solutions > MXT MOSFETs > 30V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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   매그나칩, 자동차 전동식 파워 스티어링 전자 제어 장치용 30V MXT LV MOSFET 신제품 양산

– PDFN88 패키지를 적용한 SJ MOSFET 추가로 슬림 폼팩터 제품 포트폴리오 확대

 

2023년 10월 31일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)가 650V SJ MOSFET(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 신제품 2종 양산에 돌입했다고 밝혔다.

매그나칩 650V SJ MOSFET 신제품 2종

 

이번 650V SJ MOSFET 신제품 2종(MMUB65R090RURH, MMUB65R115RURH)에는 PDFN88 패키지를 적용하여 두께와 크기를 크게 줄였다. 두께는 D²PAK 제품 대비 81%, DPAK 제품 대비 63% 정도 얇아졌으며, 실장 면적은 D²PAK SJ MOSFET의 41% 수준으로 작아졌다.

PDFN88 패키지로 새롭게 업그레이드된 이번 신제품 2종은 뛰어난 설계 유연성, 높은 효율의 열 방출 성능 및 낮은 온저항(R_DS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항) 특성으로 OLED TV, 서버, 조명, 노트북 충전기, 어댑터 등 콤팩트한 사이즈와 높은 효율성이 필수적인 애플리케이션에 광범위하게 적용 가능하다.

 

 

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 PDFN88 패키지 650V SJ MOSFET 2종의 성공적인 양산을 기점으로 앞으로도 새로운 패키지 기술로 성능을 획기적으로 개선한 파워솔루션을 지속적으로 개발할 계획이다”라며, “확장된 제품 포트폴리오와 엄격한 품질 관리로 전자 제품 시장을 확장해 갈 것”이라고 말했다.

 

 

관련 링크

Power Solutions > SJ MOSFETs > 650V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

CONTACTS:

미국 (투자자): Yujia Zhai The Bueshirt Group Tel. +1-860-214-0809 Investor.relations@maganachip.com

미국 미디어 / 업계 분석가: Mike Newsom LouVan Communications, Inc. Tel. +1-617-803-5385 mike@louvanpr.com

한국 / 아시아 미디어: 김민아 Senior manager of Public Relations Tel. +82-2-6903-3211 pr@maganachip.com

 

In the Media

    매그나칩, 슬림 폼 팩터 650V SJ MOSFET 신제품 2종 양산

– 175mΩ의 낮은 온저항으로 서버 및 OLED TV의 기술적 요구 사항을 효율적으로 충족

 

2023년 10월 30일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 미세 공정 기술 기반으로 온저항을 획기적으로 낮춘 6세대 600V SJ MOSFET(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)을 출시했다고 밝혔다.

매그나칩의 6세대 600V SJ MOSFET

 

이번 6세대 600V SJ MOSFET(MMD60R175S6ZRH)에는 180nm의 미세 공정 기술과 매그나칩의 최신 소자 설계 기술이 도입되었다. 이 기술을 통해 기존 세대 대비 SJ MOSFET 셀 간격을 50% 축소하고 온저항(R_DS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항)은 42% 낮추었다. 그래서, 동일한 DPAK(Decawatt Package)에 175mΩ의 낮은 온저항과 높은 전력 밀도를 구현했다.

또한, 기존 세대 제품에 비해 게이트 총 전하량(Total Gate Charge)이 29%가량 감소하여 스위칭 손실이 줄고 전력 효율은 개선되었다. 효율적인 에너지 사용으로 애플리케이션이 유연하게 설계될 수 있다는 점도 이번 제품 특징 중 하나이다.

그리고, 이번 신제품에는 애플리케이션에서 MOSFET이 높은 외부 서지나 정전기 방전(ESD: Electrostatic discharge)에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해 게이트와 소스 사이에 제너 다이오드를 내장하여 견고성과 신뢰성을 크게 높였다.

이번 제품은 고효율, 설계 용이성, 안정성 등 뛰어난 제품 특성으로 서버, OLED TV, 노트북 충전기 등 다양한 애플리케이션에 적용 가능하다. 시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 서버 출하량은 2023년에서 2027년까지 매년 8% 성장하고, 동기간 OLED TV 출하량은 매년 11% 증가하여 2027년에는 930만 대에 달할 것으로 예측된다.

매그나칩 김영준 부회장은 “이번 제품 출시에 이어 2024년에는 고속 바디 다이오드를 탑재한 제품 등 6세대 SJ MOSFET 신제품을 추가로 발표할 계획이다”라며, “매그나칩은 고객 요구에 기반한 끊임없는 기술 혁신으로 업계 경쟁력을 확고히 하면서 글로벌 시장에서 입지를 강화해 나갈 것”이라고 말했다.

 

 

관련 링크

Power Solutions > SJ MOSFETs > 600V

 

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In the Media

    매그나칩, 미세 공정 기술로 업그레이드된 6세대 600V SJ MOSFET 공개

 

– D²PAK-7L 및 PDFN56 패키지 제품 추가로 8세대 MXT MV MOSFET 제품 포트폴리오 확장

 

2023년 10월 10일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’)(NYSE:MX) 는 8세대 트렌치 MOSFET 기술 기반의 150V ^*MXT MV MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 2종을 출시했다고 밝혔다.

 

소비 전력이 높은 기기에서 전력 소모 절감과 제품 안정성 개선을 위해 에너지 효율은 매우 중요하다. 이번에 출시된 8세대 150V MXT MV MOSFET 2종(MDES15N056PTRH, MDU150N113PTVRH)는 매그나칩의 첨단 트렌치 MOSFET 기술을 적용했다. 특히, MDES15N056PTRH는 이전 세대 제품과 비교해 온저항(R_DS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항)을 22% 줄여서 애플리케이션의 에너지 효율을 크게 높였다.

그리고, 코어 셀과 칩 종단부 설계를 개선하여 기존 세대 제품과 비교해 성능 지수 (Figure of Merit: 온저항 x Qg)가 MDES15N056PTRH는 23%, MDU150N113PTVRH은 39% 개선되었다.

또한, 표면 실장형(Surface-Mount Device) 타입의 D²PAK-7L(TO-263-7L) 및 PDFN56 패키지를 적용하여 제품 크기까지 줄였다. 그래서, 모터 제어기, 배터리 관리 시스템(BMS: Battery Management System), 가정용 태양광 인버터, 산업용 전원 장치 등 다양한 애플리케이션의 설계 요구 사항에 유연하게 대응할 수 있다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 작년에 8세대 200V 및 150V MOSFET 5종 출시에 이어 이번에 새로운 패키지를 적용한 150V MXT MOSFET 제품 2종을 출시했다.”라며, “향후 180nm 공정 기술 기반의 신제품을 추가적으로 발표하고 고효율 MXT MOSFET 제품 포트폴리오를 지속적으로 확대해 나갈 계획”이라고 말했다.

 

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*MXT MV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Medium Voltage MOSFET): 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군 중 40V~200V MOSFET

 

관련 링크

Power Solutions > MXT MOSFETs > 150V

 

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     매그나칩, 8세대 150V MXT MV MOSFET 2종 공개

– 전기차 PTC 히터용 1200V, 650V IGBT 본격 양산

 

2023년 9월 11일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 전기차 PTC(Positive Temperature Coefficient) 히터용 1200V와 650V IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)를 출시했다고 밝혔다.

이번에 출시된 AMBQ40T120RFRTH(1200V)와 AMBQ40T65PHRTH(650V)에는 매그나칩이 독자 개발한 첨단 필드 스탑 트랜치 기술을 도입하여 최소 10µs 동안의 단락으로부터 회로를 보호한다. 이러한 높은 강건성은 PTC 히터가 과부하 상태에서 영구적으로 손상되는 것을 방지한다.

또한, 이번 신제품은 TO-247 패키지를 적용하여 두껍고 넓은 히트싱크(방열판)으로 뛰어난 열 분산 능력을 보여준다. 그래서, 전기차 PTC 히터와 같이 높은 전력과 효율성이 필수적인 애플리케이션에 최적화되어 있다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 작년 초부터 엄격한 AEC-Q101 차량용 반도체 신뢰성 기준에 부합하는 고성능 파워솔루션을 출시해 왔다”라며, “이번에 처음으로 전기차용 IGBT를 출시한 데 이어 앞으로도 지속적인 제품 라인업 확장으로 전장 시장의 다양한 수요에 적극 대응할 계획”이라고 말했다.

관련 링크

Power Solutions > IGBT Chip for Standard Module > 1200V

 

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매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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    매그나칩, 필드 스톱 트렌치 기술로 업그레이드된 1200V 및 650V IGBT 신제품으로 전기차 시장 공략