[카테고리:] 파워 솔루션

– 높은 강건성을 가진 30V MXT LV MOSFET으로 전동식 파워 스티어링에 안정적인 전력 공급

 

2023년 12월 18일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 자동차 전동식 파워 스티어링(EPS: Electric Power Steering)의 전자 제어 장치(ECU: electronic control unit)에 사용되는 30V *MXT LV MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)를 양산하기 시작했다고 밝혔다. 현재 이 제품은 글로벌 자동차 제조사의 차량 모델에 탑재되고 있다.

 

현재 양산되고 있는 30V MXT LV MOSFET(AMDV030N150URH) 신제품은 전기 모터를 이용해 차량의 방향 전환 능력을 보조하는 전동식 파워 스티어링에 안정적인 전력을 공급한다. 이 제품은 엄격한 AEC-Q101 차량용 반도체 신뢰성 기준을 충족하며, -55°C~175°C의 광범위한 온도 범위에서 안정적으로 동작한다.

이번 신제품은 두꺼운 게이트 산화물에 강건성이 높은 MOSFET 구조를 적용하여 낮은 온저항과 우수한 스위칭 특성을 제공한다. 이러한 특성으로 애플리케이션에서 발생하는 스위칭 잡음이 줄고 높은 전력 효율로 인해 시스템 성능이 향상된다. 또한, 3.3mm x 3.3mm의 PDFN33 패키지로 제품 크기가 작아지면서 전자 제어 장치의 소형화 설계가 용이해졌다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 차별화된 기술력을 통해 콤팩트한 크기에 높은 신뢰성을 보유한 전동식 파워 스티어링 전자 제어 장치용 MOSFET 제품을 출시했다”라며, “앞으로도 엄격한 품질 관리와 혁신적인 기술로 완성된 차량용 파워솔루션을 글로벌 자동차 부품 업체에 적기에 공급하면서 전장 시장을 적극적으로 확대해 갈 것”이라고 말했다.

 

 

 

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*MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): 매그나칩의 최신Trench MOSFET 제품군 중 12V~40V MOSFET

 

 

관련 링크

Power Solutions > MXT MOSFETs > 30V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

CONTACTS:

미국 (투자자): Yujia Zhai The Bueshirt Group Tel. +1-860-214-0809 Investor.relations@maganachip.com

미국 미디어 / 업계 분석가: Mike Newsom LouVan Communications, Inc. Tel. +1-617-803-5385 mike@louvanpr.com

한국 / 아시아 미디어: 김민아 Senior manager of Public Relations Tel. +82-2-6903-3211 pr@maganachip.com

 

In the Media

   매그나칩, 자동차 전동식 파워 스티어링 전자 제어 장치용 30V MXT LV MOSFET 신제품 양산

– PDFN88 패키지를 적용한 SJ MOSFET 추가로 슬림 폼팩터 제품 포트폴리오 확대

 

2023년 10월 31일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)가 650V SJ MOSFET(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 신제품 2종 양산에 돌입했다고 밝혔다.

매그나칩 650V SJ MOSFET 신제품 2종

 

이번 650V SJ MOSFET 신제품 2종(MMUB65R090RURH, MMUB65R115RURH)에는 PDFN88 패키지를 적용하여 두께와 크기를 크게 줄였다. 두께는 D²PAK 제품 대비 81%, DPAK 제품 대비 63% 정도 얇아졌으며, 실장 면적은 D²PAK SJ MOSFET의 41% 수준으로 작아졌다.

PDFN88 패키지로 새롭게 업그레이드된 이번 신제품 2종은 뛰어난 설계 유연성, 높은 효율의 열 방출 성능 및 낮은 온저항(R_DS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항) 특성으로 OLED TV, 서버, 조명, 노트북 충전기, 어댑터 등 콤팩트한 사이즈와 높은 효율성이 필수적인 애플리케이션에 광범위하게 적용 가능하다.

 

 

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 PDFN88 패키지 650V SJ MOSFET 2종의 성공적인 양산을 기점으로 앞으로도 새로운 패키지 기술로 성능을 획기적으로 개선한 파워솔루션을 지속적으로 개발할 계획이다”라며, “확장된 제품 포트폴리오와 엄격한 품질 관리로 전자 제품 시장을 확장해 갈 것”이라고 말했다.

 

 

관련 링크

Power Solutions > SJ MOSFETs > 650V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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In the Media

    매그나칩, 슬림 폼 팩터 650V SJ MOSFET 신제품 2종 양산

– 175mΩ의 낮은 온저항으로 서버 및 OLED TV의 기술적 요구 사항을 효율적으로 충족

 

2023년 10월 30일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 미세 공정 기술 기반으로 온저항을 획기적으로 낮춘 6세대 600V SJ MOSFET(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)을 출시했다고 밝혔다.

매그나칩의 6세대 600V SJ MOSFET

 

이번 6세대 600V SJ MOSFET(MMD60R175S6ZRH)에는 180nm의 미세 공정 기술과 매그나칩의 최신 소자 설계 기술이 도입되었다. 이 기술을 통해 기존 세대 대비 SJ MOSFET 셀 간격을 50% 축소하고 온저항(R_DS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항)은 42% 낮추었다. 그래서, 동일한 DPAK(Decawatt Package)에 175mΩ의 낮은 온저항과 높은 전력 밀도를 구현했다.

또한, 기존 세대 제품에 비해 게이트 총 전하량(Total Gate Charge)이 29%가량 감소하여 스위칭 손실이 줄고 전력 효율은 개선되었다. 효율적인 에너지 사용으로 애플리케이션이 유연하게 설계될 수 있다는 점도 이번 제품 특징 중 하나이다.

그리고, 이번 신제품에는 애플리케이션에서 MOSFET이 높은 외부 서지나 정전기 방전(ESD: Electrostatic discharge)에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해 게이트와 소스 사이에 제너 다이오드를 내장하여 견고성과 신뢰성을 크게 높였다.

이번 제품은 고효율, 설계 용이성, 안정성 등 뛰어난 제품 특성으로 서버, OLED TV, 노트북 충전기 등 다양한 애플리케이션에 적용 가능하다. 시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 서버 출하량은 2023년에서 2027년까지 매년 8% 성장하고, 동기간 OLED TV 출하량은 매년 11% 증가하여 2027년에는 930만 대에 달할 것으로 예측된다.

매그나칩 김영준 부회장은 “이번 제품 출시에 이어 2024년에는 고속 바디 다이오드를 탑재한 제품 등 6세대 SJ MOSFET 신제품을 추가로 발표할 계획이다”라며, “매그나칩은 고객 요구에 기반한 끊임없는 기술 혁신으로 업계 경쟁력을 확고히 하면서 글로벌 시장에서 입지를 강화해 나갈 것”이라고 말했다.

 

 

관련 링크

Power Solutions > SJ MOSFETs > 600V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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    매그나칩, 미세 공정 기술로 업그레이드된 6세대 600V SJ MOSFET 공개

 

– D²PAK-7L 및 PDFN56 패키지 제품 추가로 8세대 MXT MV MOSFET 제품 포트폴리오 확장

 

2023년 10월 10일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’)(NYSE:MX) 는 8세대 트렌치 MOSFET 기술 기반의 150V ^*MXT MV MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 2종을 출시했다고 밝혔다.

 

소비 전력이 높은 기기에서 전력 소모 절감과 제품 안정성 개선을 위해 에너지 효율은 매우 중요하다. 이번에 출시된 8세대 150V MXT MV MOSFET 2종(MDES15N056PTRH, MDU150N113PTVRH)는 매그나칩의 첨단 트렌치 MOSFET 기술을 적용했다. 특히, MDES15N056PTRH는 이전 세대 제품과 비교해 온저항(R_DS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항)을 22% 줄여서 애플리케이션의 에너지 효율을 크게 높였다.

그리고, 코어 셀과 칩 종단부 설계를 개선하여 기존 세대 제품과 비교해 성능 지수 (Figure of Merit: 온저항 x Qg)가 MDES15N056PTRH는 23%, MDU150N113PTVRH은 39% 개선되었다.

또한, 표면 실장형(Surface-Mount Device) 타입의 D²PAK-7L(TO-263-7L) 및 PDFN56 패키지를 적용하여 제품 크기까지 줄였다. 그래서, 모터 제어기, 배터리 관리 시스템(BMS: Battery Management System), 가정용 태양광 인버터, 산업용 전원 장치 등 다양한 애플리케이션의 설계 요구 사항에 유연하게 대응할 수 있다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 작년에 8세대 200V 및 150V MOSFET 5종 출시에 이어 이번에 새로운 패키지를 적용한 150V MXT MOSFET 제품 2종을 출시했다.”라며, “향후 180nm 공정 기술 기반의 신제품을 추가적으로 발표하고 고효율 MXT MOSFET 제품 포트폴리오를 지속적으로 확대해 나갈 계획”이라고 말했다.

 

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*MXT MV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Medium Voltage MOSFET): 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군 중 40V~200V MOSFET

 

관련 링크

Power Solutions > MXT MOSFETs > 150V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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     매그나칩, 8세대 150V MXT MV MOSFET 2종 공개

– 전기차 PTC 히터용 1200V, 650V IGBT 본격 양산

 

2023년 9월 11일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 전기차 PTC(Positive Temperature Coefficient) 히터용 1200V와 650V IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)를 출시했다고 밝혔다.

이번에 출시된 AMBQ40T120RFRTH(1200V)와 AMBQ40T65PHRTH(650V)에는 매그나칩이 독자 개발한 첨단 필드 스탑 트랜치 기술을 도입하여 최소 10µs 동안의 단락으로부터 회로를 보호한다. 이러한 높은 강건성은 PTC 히터가 과부하 상태에서 영구적으로 손상되는 것을 방지한다.

또한, 이번 신제품은 TO-247 패키지를 적용하여 두껍고 넓은 히트싱크(방열판)으로 뛰어난 열 분산 능력을 보여준다. 그래서, 전기차 PTC 히터와 같이 높은 전력과 효율성이 필수적인 애플리케이션에 최적화되어 있다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 작년 초부터 엄격한 AEC-Q101 차량용 반도체 신뢰성 기준에 부합하는 고성능 파워솔루션을 출시해 왔다”라며, “이번에 처음으로 전기차용 IGBT를 출시한 데 이어 앞으로도 지속적인 제품 라인업 확장으로 전장 시장의 다양한 수요에 적극 대응할 계획”이라고 말했다.

관련 링크

Power Solutions > IGBT Chip for Standard Module > 1200V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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    매그나칩, 필드 스톱 트렌치 기술로 업그레이드된 1200V 및 650V IGBT 신제품으로 전기차 시장 공략

2023년 7월 10일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)가 슈퍼 쇼트 채널 기술(Super-Short Channel) 기반의 배터리 보호 회로용 *MXT LV MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 4종을 발표하면서 모바일 기기 배터리 보호 회로용 7세대 MXT LV MOSFET 라인업 확대에 나섰다.

 

 

슈퍼 쇼트 채널은 MOSFET이 동작할 때 전류가 흐르는 채널의 길이를 획기적으로 줄여 온저항(Ron: MOSFET이 ON 동작할 때의 저항)을 낮추는 매그나칩의 최신 설계 기술로, 이 기술을 통해 이번에 공개되는 MOSFET 4종의 온저항이 이전 세대 제품과 비교해 24~40% 낮아졌다. 그 결과, 배터리가 충전되거나 방전될 때 전력 소모가 낮아져 애플리케이션의 배터리 성능이 개선된다.

또한, 매그나칩은 애플리케이션의 스펙과 배터리 용량에 근거한 맞춤형 설계 서비스를 제공하기 때문에 MOSFET 크기도 제품별로 이전 세대 대비 5~20% 정도 작아질 수 있다.

매그나칩의 MXT LV MOSFET 시리즈는 이러한 기술적 특성, 유연한 설계, 그리고 콤팩트한 크기로 프리미엄 폴더블폰은 물론 무선 이어폰 등 다양한 모바일 기기의 요구사항을 충족한다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 올해 배터리 보호회로용 MXT LV MOSFET 제품 5종을 출시했다”라며, “앞으로도 다양한 모바일 기기에 뛰어난 전력 효율성과 성능을 제공하는 프리미엄 MOSFET 제품을 계속해서 연구 개발하여 시장 입지를 강화해 나갈 것”이라고 말했다.

 

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*MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군 중 12V~40V MOSFET

 

제품 특성

• 7세대 실리콘 트렌치 기술 적용
• 이전 세대 제품과 비교해 24~40% 낮은 온저항(Ron)
• 낮은 전하량으로 개선된 스위칭 속도
• 뛰어난 열처리 기능
• 다양한 모바일 기기에 탑재 가능

 

 

관련 링크

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 12V

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 24V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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     매그나칩, 모바일 기기 배터리 보호 회로용 MXT LV MOSFET 라인업 확대

– 4mΩ의 낮은 온저항 특성을 가진 40V MXT MOSFET으로 차량의 효율적인 에너지 전환

 

2023년 6월 12일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 자동차 에너지 회수 시스템(ERS: Energy Recovery System)에 탑재되는 40V 1)MXT MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)를 양산하기 시작했다고 밝혔다. 이 제품은 현재 글로벌 자동차 모델에 적용되고 있다.

 

 

자동차 에너지 회수 시스템은 감속 시 발생하는 에너지를 저장하여 공조 장치, 오디오 등에 필요한 전력을 공급하는 장치이다. 이 시스템을 통해 자동차에 사용되는 연료가 절약되고 배기가스 배출량도 감소하게 된다.

AMDU040N014VRH(40V MXT MOSFET)는 PDFN(Power Dual Flat No-lead)56 패키지와 개선된 코어 셀 및 칩 종단부 설계로 1.4mΩ의 낮은 ²⁾온저항(R_DS(on))을 구현하여 에너지 회수 시스템의 효율적인 에너지 변환을 지원한다. 그리고, 175℃의 접합 온도와 우수한 애벌런치 내구성 특성으로 시스템 내부의 전력 밀도와 효율성을 높인다.

이번 제품에는 PDFN56 패키지를 적용하여 DPAK(Decawatt Package)을 사용한 40V MXT MOSFET 제품에 비해 크기를 80% 정도 줄였다. PDFN56 패키지는 범용성이 높기 때문에 전기차의 전력 효율을 높여주는 회생제동 시스템(RBS: Regenerative Braking System)에 탑재 가능하다. 또한, 내연기관차의 역전압 보호 회로(RVP: Reverse Voltage Protection), BLDC 모터 등 다양한 차량용 애플리케이션에 사용될 수 있다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “엄격한 AEC-Q101 차량용 반도체 신뢰성 기준에 부합하는 또 다른 혁신적인 자동차 파워 솔루션을 양산하게 되어 기쁘다.”라며, “매그나칩은 오랫동안 축적된 전력 반도체 기술력과 프리미엄 제품을 기반으로 전장 시장을 본격적으로 확대해 갈 것”이라고 말했다.

 

 

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¹⁾MXT MOSFET(Magnachip eXtreme Trench MOSFET): LV MOSFET과 MV MOSFET(12V to 200V)를 포함한 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군

²⁾온저항(R_DS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

 

관련 링크

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 40V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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     매그나칩, 자동차 에너지 회수 시스템용 40V MXT MOSFET 양산

– 44mΩ의 낮은 *온저항(R_DS(on)) 특성을 가진 전기차 충전기 및 서버용 600V SJ MOSFET 출시

2023년 5월 2일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 9종 신제품으로 구성된 600V SJ MOSFET (Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 시리즈를 출시했다고 밝혔다.

 

매그나칩은 이번에 출시된 600V SJ MOSFET 시리즈에 독자 개발한 소자 설계 기술을 도입하여 이전 세대 제품 대비 셀 간격은 그대로 유지하면서 단위 면적당 저항값 (R_SP: Specific on-resistance)을 10% 정도 낮추었다.

이번 SJ MOSFET 시리즈에서 주목할 만한 점은 전 제품에 고속 바디 다이오드(fast recovery body diode)가 내장되었다는 것이다. 이 다이오드 기술로 역방향 회복 시간 (t_rr: reverse recovery time)과 스위칭 손실이 감소하여 시스템 효율이 획기적으로 개선되었다. 그래서, 이전 세대 제품과 비교해 성능 지수(FOM: Figure of Merit)도 10% 이상 향상되어 태양광 인버터, 에너지 저장 시스템, 무정전 전원 설비(UPS: Uninterruptible Power Supply System) 등 산업용 애플리케이션과 다양한 전자 제품에 적용될 수 있다.

특히, 이번 신제품 중 MMQ60R044RFTH는 44mΩ의 낮은 온저항 특성을 가지고 있어 높은 에너지 효율성과 신뢰성이 요구되는 전기차 충전기와 서버에 최적화되어 있다. 시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 2023~2026년 실리콘 모스펫 시장은 하이브리드 및 전기차와 서버 부문에서 매년 각각 11%, 7%가량 성장할 것으로 예측된다.

매그나칩 김영준 부회장은 “이번에 600V SJ MOSFET 시리즈를 출시한 데 이어 올해 하반기에는 고속 바디 다이오드를 탑재한 650V와 700V SJ MOSFET 신제품을 추가적으로 공개할 계획이다”라며, “고객과 시장의 요구를 만족시키는 고성능 차세대 파워 솔루션을 지속적으로 공급하여 고객 시장 확대에 기여할 것”이라고 말했다.

 

 

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* 온저항(R_DS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

 

600V SJ MOSFET 시리즈

 

관련 링크

파워솔루션 > SJ MOSFETs > 600V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

CONTACTS:

미국 (투자자): Yujia Zhai The Bueshirt Group Tel. +1-860-214-0809 Investor.relations@maganachip.com

미국 미디어 / 업계 분석가: Mike Newsom LouVan Communications, Inc. Tel. +1-617-803-5385 mike@louvanpr.com

한국 / 아시아 미디어: 김민아 Senior manager of Public Relations Tel. +82-2-6903-3211 pr@maganachip.com

 

In the Media

     매그나칩, 고속 바디 다이오드 탑재한 600V SJ MOSFET 시리즈 출시

–  PDFN56 듀얼 패키지로 제품 소형화 및 낮은 온저항 달성

 

2023년 3월 21일, 매그나칩반도체 유한회사(“매그나칩”) (대표이사 김영준, NYSE:MX)는 전기차 모터의 전동식 워터펌프와 오일펌프에 탑재되는 PDFN56 듀얼 패키징 40V ¹⁾MXT MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)를 본격적으로 양산하기 시작했다고 밝혔다.

 

 

현재 양산 중인 40V MXT MOSFET(제품명: AMDUA040N070RH)에는 PDFN(Power Dual Flat No-lead)56 듀얼 패키지가 적용되어 싱글 패키지 두 개를 탑재했을 때와 비교해 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board)에서 차지하는 공간이 50% 정도 줄었다. 이로 인해, 애플리케이션의 콤팩트한 설계가 가능해지고 전동식 워터펌프(EWP: Electric Water Pump)와 오일펌프(EOP: Electric Oil Pump)뿐만 아니라 파워시트모듈(PSM: Power Seat Module)과 같은 다양한 전기차 애플리케이션에 사용될 수 있다.

AMDUA040N070RH는 PDFN56 듀얼 패키지를 통해 구현되는 낮은 ²⁾온저항(R_DS(on)) 특성으로 전력 손실이 줄어들어 애플리케이션을 효율적이고 안정적으로 제어할 수 있다. 또한, 이 MOSFET 제품은 최적화된 코어 셀과 칩 종단부 설계로 AEC-Q101 차량용 반도체 신뢰성 기준을 충족하면서 그 성능과 안정성을 인정받았다.

시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 하이브리드 및 전기차용 Si MOSFET 시장은 2023년에서 2026년까지 매년 11% 성장할 것으로 예측된다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 2008년부터 파워 솔루션 영역에서 기술 역량을 강화하면서 고성능 MOSFET 제품을 시장에 공급해왔다.”라며, “앞으로도 혁신적인 전력 관리 반도체 솔루션을 지속적으로 개발하여 성장하고 있는 친환경 애플리케이션의 수요를 만족시킬 것”이라고 말했다.

 

 

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¹⁾MXT MOSFET(Magnachip eXtreme Trench MOSFET): LV MOSFET과 MV MOSFET(12V to 200V)를 포함한 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군

²⁾온저항(R_DS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

 

관련 링크

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 40V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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In the Media

   매그나칩, 전기차용 PDFN56 듀얼 패키징 40V MXT MOSFET 본격 양산

2023년 3월 2일, 매그나칩반도체 유한회사(“매그나칩”) (대표이사 김영준, NYSE:MX)는 슈퍼 쇼트 채널 기술(Super-Short Channel) 기반의 스마트폰 배터리 보호 회로용 ¹⁾MXT MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 2종을 출시했다고 밝혔다.

 

 

슈퍼 쇼트 채널은 MOSFET이 동작할 때 소스와 드레인 사이의 채널 길이를 획기적으로 줄여 ²⁾온저항과 전력 손실을 낮추는 매그나칩의 최신 설계 기술을 말한다. 매그나칩은 이번에 공개된 MDWC12D028ERH(12V MOSFET)과 MDWC24D031ERH(24V MOSFET)에 자체 개발한 슈퍼 쇼트 채널 기술을 도입했다.

슈퍼 쇼트 채널 기술로 이번 신제품 크기가 이전 세대 제품 대비 20%가량 작아지고, 온저항은 MDWC12D028ERH의 경우 40%, MDWC24D031ERH은 24% 감소했다. 이렇게 제품 특성이 개선되면서 배터리 충·방전 시 전력 손실이 줄어들고 고속 충전 모드에서도 낮은 온도가 유지될 수 있다.

2023년 하반기, 매그나칩은 슈퍼 쇼트 채널 기술을 기반으로 하여 스마트 워치, 이어폰 등과 같은 웨어러블 기기의 소형 배터리에 적용되는 콤팩트하고 효율성 높은 MXT MOSFET 제품을 출시할 계획이다.

매그나칩 김영준 부회장은 “새롭게 개발된 슈퍼 쇼트 채널 기술로 이번에 출시된 MXT MOSFET의 제품 성능이 한 단계 진화했다”라며, “앞으로도 끊임없는 기술 혁신을 통해 모바일 기기 시장의 다양하고 변화하는 요구 사항을 충족하는 프리미엄 전력 반도체 솔루션을 제공할 것”이라고 말했다.

 

 

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¹⁾MXT MOSFET(Magnachip eXtreme Trench MOSFET): LV MOSFET과 MV MOSFET(12V to 200V)를 포함한 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군

²⁾온저항(R_DS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

 

관련 링크

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 12V

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 24V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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   매그나칩, 슈퍼 쇼트 채널 기반 스마트폰 배터리 보호회로용 MXT MOSFET 2종 공개