–  授权协议涵盖1,200V、2,300V、3,300V及更高电压的GeneSiC™第四代和第五代技术

–  利用纳微半导体的SiC供应链及材料生态系统

–  面向能源及电网基础设施、储能、工业电气化和汽车等高功率市场

 

美格纳半导体(NYSE:MX,以下简称“美格纳”)宣布,与下一代功率半导体企业纳微半导体(Nasdaq:NVTS)达成战略合作,旨在加快高压(HV)及超高压(UHV)功率市场对碳化硅(SiC)技术的采用。

根据协议,美格纳将获得纳微半导体GeneSiC™第四代和第五代沟槽辅助平面栅(Trench-Assisted Planar™,TAP)技术授权,以此切入高压及超高压SiC市场。此次授权涵盖1,200V、2,300V、3,300V及更高电压等级的GeneSiC技术。美格纳计划基于纳微半导体经过验证的SiC器件平台为基础,进一步增强其在下一代功率转换应用中的产品竞争力。

此外,美格纳将借助纳微半导体成熟的SiC供应链和材料生态,加快产品上市。同时,美格纳计划在其韩国晶圆厂完成相关技术的移植、认证与内部消化。双方预计,这种合作模式既能帮助美格纳快速进入SiC市场,又能保持与纳微半导体现有技术及材料基础的衔接。此次引入的技术有望支持能源及电网基础设施、储能、工业电气化、汽车以及其他高功率应用场景。

双方还表示,此次协议涵盖SiC以外的更广泛合作领域。具体细节将于日后公布。纳微半导体总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示:“与美格纳达成战略合作,体现了我们推动GeneSiC技术在高压及超高压功率市场实现更广泛应用的长期愿景。通过授权经过验证的GeneSiC技术,并结合我们的供应链与材料生态为美格纳赋能,我们正在为先进SiC解决方案的快速规模化应用铺平道路,同时也将深化双方的长期伙伴关系。” 美格纳首席执行官Chae Lee表示:“此次协议为美格纳进入高压及超高压SiC市场带来了重要的新机遇。GeneSiC技术将进一步完善我们现有的MOSFET及功率半导体产品组合,使美格纳能够更好地满足客户对更高能效、更高耐压及更高可靠性功率转换解决方案的需求。”

 

关于纳微半导体

纳微半导体(Nasdaq:NVTS)是下一代功率半导体领域的领先企业,专注于氮化镓(GaN)功率半导体及集成电路和高压碳化硅(SiC)技术,推动AI数据中心、高性能计算、能源及电网基础设施和工业电气化等领域的创新。纳微半导体的GeneSiC™高压SiC器件采用已获专利的沟槽辅助平面栅技术,为中压电网及基础设施应用提供领先的耐压能力、效率和可靠性。

 

关于美格纳半导体

美格纳半导体是一家模拟及混合信号功率半导体平台解决方案的设计和制造企业,产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子及计算领域。美格纳的功率解决方案产品组合包括MOSFET和电源集成电路(Power IC)技术,旨在提升各类高附加值电子系统的能效及系统性能。

 

Cautionary Statement Regarding Forward-Looking Statements
This press release includes “forward-looking statements” within the meaning of Section 21E of the Securities Exchange Act of 1934, as amended. Forward-looking statements are attempts to predict or indicate future events or trends or similar statements that are not a reflection of historical fact. Forward-looking statements are not predictions of actual future performance. Actual events and circumstances are difficult or impossible to predict and may differ from assumptions and expectations. For Navitas, these and other risk factors are discussed in the Risk Factors section of its most recent annual report on Form 10-K, as updated in its most recent quarterly report on Form 10-Q, and in other documents filed with the SEC. Magnachip’s risks are discussed in its most recent annual report on Form 10-K, as updated in its most recent quarterly report on Form 10-Q, and other documents filed with the SEC. If any of these risks materialize or if assumptions underlying forward-looking statements prove incorrect, actual results could differ materially from the results implied by these forward-looking statements. Statements may be identified by the use of words such as “we expect,” “are expected to be,” “estimate,” “plan,” “project,” “forecast,” “intend,” “anticipate,” “believe,” “seek,” or other similar expressions. Forward-looking statements are made based on estimates and forecasts of financial and performance metrics, projections of market opportunity and current indications of customer interest, all of which are based on various assumptions. All such statements are based on current expectations of the management of Navitas and Magnachip

凭借逾30年的全球半体行业经验公司积极把握力基础设AI代的增机遇

 

original Magnachip appoints Chae Lee as Chief Executive Officer, effective July 1, 2026.

 

美格纳半导体宣布任命 Chae Lee 为新任首席执行官(CEO)。Chae Lee 是一位资深职业经理人,在功率半导体、电源管理集成电路(PMIC)、传感器及系统解决方案领域拥有逾30年的全球半导体行业经验。此前,他曾担任氮化镓(GaN)功率半导体企业 Tagore Technology 的首席执行官,并先后在 InSyte Systems、恩智浦半导体(NXP Semiconductors)和美信集成(Maxim Integrated)等全球半导体企业负责研发、应用工程、销售与市场营销等核心岗位,积累了全面的业务运营与管理经验。

以此次新任首席执行官任命为契机,美格纳计划进一步提升公司在电力基础设施、AI服务器、工业电源及汽车电子等高增长功率半导体市场的技术竞争力,并持续为客户提供差异化的产品与解决方案,满足多元应用需求。

Chae Lee 表示:“功率半导体是支撑电力基础设施升级和AI时代发展的核心技术,其重要性将持续提升。美格纳将依托长期积累的功率半导体技术实力,以及在韩国具备的优秀研发与制造能力,为客户创造差异化价值。我们将致力于发展成为向全球客户提供最具创新力功率半导体解决方案的企业。”

美格纳是一家专注于功率半导体的企业,开发并供应包括 MOSFET、IGBT 和 Power IC 在内的多种功率半导体产品。近期,公司正在扩大包括碳化硅(SiC)在内的下一代功率半导体产品阵容,重点面向电力基础设施、AI服务器、工业及汽车市场,提供满足客户需求的功率半导体解决方案。

 

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  – 专为 AI 服务器、电动汽车充电器及工业应用中的高效率电源系统而设计
  – 低 RDS(ON)、快速恢复体二极管及集成齐纳二极管,实现更高性能与可靠性

 

韩国首尔,2026年6月 —— 美格纳半导体公司(NYSE: MX,“美格纳”)宣布推出两款全新的第六代 600V 超结(SJ)MOSFET。该产品旨在满足 AI 服务器、电动汽车充电系统及工业电源应用对性能与效率不断提升的需求。

新产品具备 36mΩ 和 37mΩ 的低导通电阻,有助于降低导通损耗,并提升整体电源转换效率。此外,两款器件均在栅极与源极之间集成了齐纳二极管,可增强静电放电(ESD)保护能力,从而提升器件可靠性。与上一代产品相比,芯片尺寸也实现了显著缩小,有助于提高系统集成度和设计灵活性。

 

 

其中,MMTB60R037G6FZVRH 集成快速恢复体二极管,可降低反向恢复损耗,并改善高频电源转换系统中的开关性能。这些特性使其非常适用于 AI 服务器电源等对效率、热管理和功率密度要求较高的应用。

两款器件均采用 TOLL 封装,面向高功率、大电流应用设计。同时,产品还采用 Kelvin Source 结构,可降低寄生电感并提升开关稳定性。

随着 AI 服务器、电动汽车充电系统和工业电源领域对高能效电源转换方案的需求持续增长,先进功率半导体的采用正在加速。更高效率、更优热性能和更高功率密度,已成为下一代电源系统的关键要求。

据 Omdia 预测,计算与数据存储应用中的分立半导体市场规模将从 2025 年约 37 亿美元增长至 2030 年约 59 亿美元,复合年增长率约为 9%。高密度、高效率服务器电源架构的普及,预计将进一步推动包括 SJ MOSFET 在内的功率分立器件需求。

美格纳首席技术官禹赫表示:“随着 AI 基础设施、电动汽车充电系统和工业应用对更高效率与可靠性的电源系统需求持续增长,功率半导体的性能正变得越来越重要。我们的第六代 600V SJ MOSFET 结合了低导通电阻、增强的开关特性以及高可靠性设计,可帮助客户提升下一代电源设计中的效率和功率密度。”

该系列新 SJ MOSFET 适用于多种需要高效率和高可靠性的电源应用,包括 AI 服务器电源、工业电源、通信基础设施以及电动汽车充电系统。

 

关链接

电源解决方案  > SJ MOSFETs > 600V

 

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关于美格纳半导体

美格纳是一家致力于模拟及混合信号功率半导体平台解决方案的设计与制造企业,产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子和计算等多个领域。公司向全球客户提供多样化的标准产品。美格纳拥有逾45年的运营历史,持有大量已注册专利及申请中专利,具备深厚的工程、设计与制造工艺专业实力。如需了解更多信息,请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息并非本新闻稿的一部分,亦不构成本新闻稿的内容。

 

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  – High-efficiency, high-power-density MV MOSFET solutions for AI servers, data centers, high-performance computing (HPC) and industrial power systems

  – Comprehensive power semiconductor portfolio on display, including LV MOSFETs, MV MOSFETs, SJ MOSFETs, IGBTs, SiC, and Power ICs

  – PCIM Europe 2026, Nuremberg, Germany — Hall 6, Booth 337

 

Seoul, South Korea, May 26, 2026 — Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX, “Magnachip”), a designer and manufacturer of power semiconductor solutions, today announced that it will showcase its Medium-Voltage (MV) MOSFET portfolio for AI server and data center power systems at PCIM Europe 2026, which will be held from June 9 to 11, 2026, in Nuremberg, Germany.

 

At Hall 6, Booth 337, Magnachip will exhibit its MV MOSFET solutions for server and data center power supply units (PSUs), high-performance computing (HPC), and industrial power systems.

 

As AI workloads continue to expand and data center power consumption rises, power efficiency, power density, and thermal management have become increasingly important in server and data center power system design. According to market research firm Omdia, the global power discrete semiconductor market for Computing and Data Storage applications is expected to grow from approximately $2.3 billion in 2025 to $3.0 billion in 2029, representing a compound annual growth rate (CAGR) of approximately 7.4%.

 

At the exhibition, Magnachip will highlight its MV MOSFET portfolio designed to support high-efficiency and high-density power architectures for AI servers and data centers.

 

MV MOSFET Solutions for AI Servers and Data Centers

Magnachip’s MV MOSFET product family is designed for a broad range of applications including synchronous rectification stages in server and high-performance computing power supply systems, industrial power systems, and solar inverter applications. Based on advanced Shielded-Gate Trench (SGT) technology, the portfolio is designed to support improved current density and switching performance while addressing the requirements of high-temperature and high-density power designs.

 

“As power demand in AI servers and data centers continues to increase, customers are seeking semiconductor solutions that can support higher power efficiency and power density. Magnachip plans to continue expanding its MV MOSFET portfolio and strengthening its power semiconductor solutions for AI servers, data center power systems, and industrial applications.”

— Hyuk Woo, Chief Technology Officer, Magnachip Semiconductor

 

Broader Power Semiconductor Portfolio

In addition to its MV MOSFET solutions, Magnachip will also showcase its broader power semiconductor portfolio spanning LV MOSFETs, MV MOSFETs, Super Junction MOSFETs, IGBTs, SiC, and Power ICs. These products support a broad range of automotive and industrial applications, including:

∙ EV & Automotive — traction inverters, onboard chargers (OBC), and DC-DC converters

∙ Industrial — solar, ESS, motor control, and industrial automation

 

PCIM Europe 2026 Exhibition Information

Magnachip will participate in PCIM Europe 2026 (Hall 6, Booth 337) in Nuremberg, Germany, where it will showcase its MV MOSFET portfolio for AI servers and data centers, along with its broader power semiconductor solutions portfolio.

∙ Location: Hall 6, Booth 337 — Nuremberg, Germany

∙ Date: June 9–11, 2026

∙ See Floorplan: PCIM – Magnachip

∙ Meeting Request: kyeongah.cho@magnachip.com

∙ More Information: Magnachip at PCIM Europe 2026

 

About Magnachip Semiconductor

Magnachip is a designer and manufacturer of analog and mixed-signal power semiconductor platform solutions for various applications, including industrial, automotive, communication, consumer and computing. The Company provides a broad range of standard products to customers worldwide. Magnachip, with about 45 years of operating history, owns a substantial number of registered patents and pending applications, and has extensive engineering, design and manufacturing process expertise. For more information, please visit www.magnachip.com. Information on or accessible through Magnachip’s website is not a part of, and is not incorporated into, this release.

 

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In the Media

Business Wire Logo - Navy - JPEG Magnachip to Showcase MV MOSFET Portfolio for AI Servers and Data Centers Alongside Its Broader Power Semiconductor Portfolio at PCIM Europe 2026

  –  典型RSS(on)低于1mΩ —— 为电池保护电路(PCM)提供超低导通电阻

  –  比导通电阻(Rsp)降低48%,电流密度提升185%

  –  满足下一代智能手机超快充电与高效电池保护需求

 

韩国首尔,2026年4月 —— 美格纳半导体公司(NYSE: MX,“美格纳”)今日宣布推出两款全新第八代超低导通电阻12V低压(LV)MOSFET,专为高性能智能手机电池保护电路(PCM)设计。

该产品面向下一代智能手机应用,在超快充电与能效日益重要的趋势下,进一步扩展了美格纳的产品阵容,并增强了其在移动电池保护FET市场的竞争力。其中一款产品已实现量产,目前正在向全球主要智能手机厂商供货,其性能与可靠性已得到验证。

随着智能手机不断集成先进AI功能及高性能应用,计算负载持续提升,推动了对功耗效率与充电性能的更高要求。因此,用于电池保护电路(PCM)的MOSFET需要在有限电路板空间内实现低导通电阻、高电流密度及高效率表现。

同时,折叠屏、卷曲屏等创新形态设备的普及,使电路设计空间更加受限,从而进一步凸显了在相同尺寸下提升性能并减少元器件数量的重要性。

该系列产品作为智能手机电池保护电路中的主要开关器件,可实现过充、过放保护以及充放电电流控制等关键功能。

 

 

首先,在相同封装尺寸下显著降低导通电阻,从而减少发热。例如,MDWC12D013PERH相较于同尺寸第七代产品,Rss(on)性能提升超过50%,在相同测试条件下温度最多降低10°C,有助于延长电池寿命并提升充电稳定性。

其次,提升电流密度并实现引脚兼容,使其可直接替换并集成至现有电路设计中,减少PCB占用面积及FET数量,从而降低生产成本,同时为更大电池容量或更轻薄设计提供空间。

该产品采用美格纳第八代技术,基于高密度沟槽单元结构,与前一代相比,比导通电阻(Rsp)降低约48%,电流密度提升约185%,实现典型RSS(on)低于1mΩ。

根据Omdia数据,生成式人工智能已成为技术市场的重要趋势,并在消费级市场推动下快速发展。预计市场规模将从2022年约77亿美元增长至2028年的304亿美元,其中智能手机将占据主要应用份额。

顺应这一市场趋势,美格纳计划在年内推出22V超低导通电阻产品,进一步扩展其面向高性能移动设备的LV MOSFET产品组合。

美格纳首席技术官禹赫表示:“在有限空间内实现低导通电阻与优异的热性能,是智能手机电池保护电路设计中的关键挑战。我们的第八代超低导通电阻12V MOSFET正是为满足这些需求而设计,能够提供更高效率与可靠性,并在该应用领域展现出具有竞争力的技术价值。未来,美格纳将继续依托在功率半导体设计与制造方面的专业能力,不断提升产品竞争力,拓展移动等多元应用领域。”

 

在德国纽伦堡举行的PCIM Europe 2026(6号馆,337展位)上,美格纳将展示包括该产品在内的功率半导体解决方案。

 

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电源解决方案  > MXT MOSFETs > 12V

 

文章

美格纳发布首款采用超短通道 FET II 设计的第 8 代 MXT LV MOSFET

美格体推出全新24V BatteryFET,适用于三折智能手机池保

 

关于美格纳半导体

美格纳是一家致力于模拟及混合信号功率半导体平台解决方案的设计与制造企业,产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子和计算等多个领域。公司向全球客户提供多样化的标准产品。美格纳拥有逾45年的运营历史,持有大量已注册专利及申请中专利,具备深厚的工程、设计与制造工艺专业实力。如需了解更多信息,请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息并非本新闻稿的一部分,亦不构成本新闻稿的内容。

 

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– 先进屏蔽栅沟槽(SGT)技术同步提升电流密度与开关速度

-面向高温可靠性与能效要求的下一代电源市场

 

韩国首尔,2026年3月– 美格纳半导体公司(纽约证交所:MX,以下简称“美格纳”)今日宣布推出全新第八代40V与60V中压(MV)MOSFET产品,专为服务器及高性能PC电源模块(PSU)设计。

随着全球服务器及数据中心市场电力需求持续攀升,电源效率与功率密度已成为服务器及数据中心应用中功率半导体解决方案的重要考量因素。凭借全新第八代MV MOSFET产品,美格纳进一步拓展其解决方案布局,在快速增长的服务器及高性能计算(HPC)电源市场中,同步满足客户对高效率与高可靠性的双重需求,持续强化其在高附加值电源解决方案领域的竞争力。

上述新产品专为服务器及PC电源系统的同步整流(SR)级设计。采用先进SGT技术,40V产品相较上一代可实现最高40%的电流密度提升及约25%的开关速度提升;60V产品则可实现最高50%的电流密度提升及60%的开关速度提升。

该系列器件支持高达175°C的宽温度工作范围,确保在高温环境下仍能稳定运行,并采用紧凑型PDFN56封装,助力实现高密度紧凑型电源设计。产品符合JEDEC标准,不仅适用于服务器及高性能PC电源模块,亦可广泛应用于对高效率与高可靠性有较高要求的太阳能逆变器及工业电源系统。

继2025年5月推出0.7mΩ 40V产品后,美格纳此次新增三款产品——0.8mΩ 40V、1.0mΩ 40V及1.05mΩ 60V,进一步丰富第八代MV MOSFET产品组合,提供多元化的电压及RDS(on)选项。据全球市场研究机构Omdia预测,全球服务器及数据中心电源市场(计算与数据存储领域)规模预计将从2025年的约23亿美元增长至2029年的30亿美元,复合年均增长率(CAGR)为7.4%。借助扩展后的产品阵容,美格纳致力于在快速增长的功率半导体市场中进一步提升技术竞争力与市场份额。

“这批新产品有望成为提升服务器及高性能PC电源系统效率与可靠性的理想解决方案,’美格纳首席技术官禹赫禹赫表示,‘依托多年积累的功率半导体设计专长与成熟的制造能力,美格纳将持续推出面向服务器、PC及工业应用的高附加值电源解决方案。’

美格纳将携最新MV MOSFET解决方案亮相德国纽伦堡PCIM Europe 2026展览会(6号展馆,337号展位),重点展示其在高效率、高密度电源系统中的核心作用。

 

 

关链

源解方案 > MXT MOSFETs > 40V

源解方案 > MXT MOSFETs > 60V

 

文章

美格推出 25 款新型第六代 SJ MOSFET,以展面向 AI、工业应用和智能家

 

关于美格纳半导体

美格纳是一家致力于模拟及混合信号功率半导体平台解决方案的设计与制造企业,产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子和计算等多个领域。公司向全球客户提供多样化的标准产品。美格纳拥有逾45年的运营历史,持有大量已注册专利及申请中专利,具备深厚的工程、设计与制造工艺专业实力。如需了解更多信息,请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息并非本新闻稿的一部分,亦不构成本新闻稿的内容。

 

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随着 AI 数据中心、汽车及工业电力系统的发展,市场对更高功率效率和系统可靠性的需求持续提升。

在 PCIM Europe 2026 展会现场,这些趋势成为备受关注的重要话题。

美格纳半导体在本次展会上介绍了支持高效电能转换的功率半导体解决方案,并与客户及合作伙伴就多种应用领域进行了深入交流。美格纳半导体将继续通过高效、可靠的功率半导体解决方案,助力更优质的电力系统应用。

 

感谢所有在 PCIM Europe 2026 期间莅临 Magnachip 展位的客户与合作伙伴。

 

期待在 2027 年再次与您相见。

 

 

 

2026 Selection Guide
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PCIM 2026 Booth Highlights
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基于Super-Short Channel FET技术,实现芯片尺寸缩小约26%,导通电阻Rss(on)性能提升约31%

– 拓展电池保护解决方案,覆盖更广泛的移动终端应用

 

韩国首尔 —— 美格纳半导体(NYSE: MX,“美格纳”)今日宣布,推出全新第七代24V MXT LV MOSFET,专为下一代三折叠智能手机电池保护电路设计,进一步巩固公司在高端折叠智能手机市场的地位。该产品已实现量产,目前正向全球主要智能手机厂商供货,并已通过性能与可靠性验证。

此次推出的24V双N沟道MOSFET(型号:MDWC24D058ERH)采用美格纳自主研发的Super-Short Channel FET(SSCFET®)技术。与上一代产品相比,芯片尺寸缩小约26%。该技术可帮助客户将电池保护电路模块(PCM)板面积减少超过20%,节省的空间可用于提升电池容量或实现更纤薄的终端设计。

三折叠智能手机采用双折结构设计,可同时支持三块屏幕运行,实现高性能多任务处理。随着内部结构日益复杂,电源效率与可靠性在终端设计中变得尤为关键。因此,这类设备对高集成度、高效率的MOSFET解决方案提出更高要求,以确保复杂系统架构下的电源稳定运行。

除三折叠智能手机外,该产品亦适用于可穿戴设备、平板电脑等多种移动终端应用。产品将功率损耗的重要因数——Rss(on)——最高降低约31%,有效减少发热。同时,相较传统沟槽工艺,其单位面积电流密度提升约48%,在高电流条件下可实现更稳定的电压控制。此外,该产品集成超过2kV的静电放电(ESD)防护能力,有效提升电池系统对外部干扰的防护性能。

根据市场研究机构Omdia数据显示,包括智能手机BatteryFET在内的40V以下硅基功率MOSFET市场规模预计将从2025年的约42亿美元增长至2029年的约52亿美元,复合年增长率约为4.6%。其中,高端智能手机市场(包括三折叠机型)将成为主要增长驱动力,受益于对高性能与高效率元器件需求的持续提升。

美格纳首席技术官禹赫表示:“三折叠智能手机代表高端移动终端的发展方向,对技术水平与元器件可靠性提出更高要求。通过此次新产品的成功量产供货,我们再次展现了美格纳在功率半导体设计领域的技术实力与竞争优势。未来,公司将持续推进技术创新,不断拓展面向智能手机、可穿戴设备及平板电脑等移动应用领域的功率半导体产品组合。”美格纳的新款

 

 

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电源解决方案 > MXT MOSFETs > 24V

 

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美格纳扩大基于超短 FET 的第 7 代 MXT LV MOSFET 系列的生

美格纳发布首款采用超短通道 FET II 设计的第 8 代 MXT LV MOSFET

 

关于美格纳半导体

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采用先进场截止沟槽技术

较前代产品单元间距缩小 40%

通过提升电流密度与增强反向偏置安全工作区 (RBSOA) 实现更优产品扩展性

凭借多样化容量产品阵容加速市场拓展

 

韩国首尔 – Magnachip Semiconductor Corporation(NYSE:MX,以下简称“美格纳”)当日宣布,公司推出了专为太阳能逆变器和工业储能系统 (ESS) 设计的新系列绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 产品,进一步巩固其在高效功率半导体市场的地位。

全新推出的 650V 与 1200V 新一代分立型 IGBT 产品专为太阳能逆变器及工业储能系统应用而设计。通过将单元(元胞)间距较前代产品显著缩小,美格纳实现了电流承载能力的实质性提升。此外,改进的反向偏置安全工作区 (RBSOA) 有助于确保器件在严苛的高压大电流条件下保持稳定可靠的性能。该系列产品同时提供标准 TO-247 封装与大容量 TO-247 Plus 封装选项,为客户在广泛的应用场景中提供设计灵活性。

根据市调机构 Omdia 的数据估测,全球太阳能逆变器及储能系统市场规模预计将从 2024 年的约 14 亿美元增长至 2029 年的约 27 亿美元,年复合增长率约为 10.6%。随着全球碳中和倡议的加速推进,能源效率与高功率密度已成为逆变器设计的关键性能指标。

美格纳已向国内外主要太阳能逆变器制造商供应 IGBT 产品,其卓越的产品质量与先进技术已获得市场广泛认可。随着新产品的推出,公司正将其产品组合扩展至更广泛的容量范围 – 从住宅(家用)逆变器到功率高达 150 kW 的工业(工商业)系统 – 使客户能够根据其运行环境选择合适的产品。

新一代 IGBT 产品采用先进场截止沟槽技术,较前代产品具有增强的结构设计与优化的工艺技术。具体而言,其单元间距较前代产品缩小约 40%,在同等芯片面积内显著提升了电流承载能力。此外,界定半导体安全工作边界的反向偏置安全工作区 (RBSOA) 性能提升超 30%,确保器件在高压大电流工况下具备更强的稳定性。这使得其适用于更广泛的功率应用场景。

美格纳计划于 2026 年上半年进一步扩展产品阵容,推出额定电流达 650V/150A 的大电流系列及新型 750V 产品。公司还计划新增采用开尔文引脚封装的“TO-247-4Lead”封装型号,通过优化开关效率进一步强化其 IGBT 产品阵容。这将使美格纳能够为太阳能和储能系统市场的客户提供更广泛的设计选项,这些市场正朝着更高容量和更高效率的方向发展。

“新一代 IGBT 系列通过优化的工艺技术,有效提升了能效与可靠性。”美格纳首席技术官 Hyuk Woo 表示。“基于我们经过市场验证的技术和生产能力,我们将持续扩展解决方案阵容,以更好地满足多样化的客户需求。”

 

 

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–  美格纳将凭借与现代摩比斯公司十年合作积累的汽车 IGBT 技术经验实现业务拓展

 

韩国首尔 – Magnachip Semiconductor Corporation(NYSE:MX)(以下简称“美格纳”或“公司”)当日宣布,公司已与现代摩比斯有限公司(以下简称“摩比斯”)就高性能绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术使用达成协议,并计划基于该技术拓展业务。现代摩比斯是一家全球汽车零部件供应商,专注于提供软硬件结合的差异化移动解决方案。

IGBT 作为功率半导体,广泛应用于需要同时承受高电压与高电流的大功率系统。根据市调机构 OMDIA 的数据估测,2024 年全球 IGBT 市场规模已突破 110 亿美元,预计将从 2025 年的 123 亿美元增长至 2028 年的 169 亿美元。

面向混合动力汽车和电动汽车牵引逆变器的 IGBT 正迎来市场快速增长期。由于 IGBT 的能效与可靠性对逆变器的性能有着显著影响,目前仅有少数功率半导体行业市场领军企业具备稳定量产当前市场主流高压高电流产品的能力。

基于对牵引系统核心功率半导体技术自主化重要性的共识,摩比斯与美格纳自 2015 年起就牵引逆变器 IGBT 开发进行合作。在这种合作关系下,摩比斯主导结构设计,美格纳则主要贡献其在半导体工艺技术领域的专长。经过系统级评估与验证,双方近期成功开发出符合电动汽车严苛要求的新型 IGBT 产品。摩比斯目前计划于 2026 年启动搭载该 IGBT 的逆变器量产。

此外,美格纳正利用共同开发的设计技术推动自主 IGBT 产品的进一步开发与商业化进程。作为战略举措之一,公司计划明年上半年推出新的工业级 IGBT 系列产品。此举旨在强化技术竞争力,巩固其在全球功率半导体市场的地位,重点聚焦工业、AI 及可再生能源市场领域。

“此次战略合作是提升我们 IGBT 技术能力的重要里程碑,”美格纳首席执行官 Camillo Martino 说。“新开发的第七代 IGBT 产品系列显著增强了我们的产品组合,使我们在高性能高端市场更具竞争力。美格纳正积极布局工业、AI 及可再生能源等高价值应用领域,预计这些领域在未来几年将成为公司产品结构的重要组成部分。”

 

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