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– 旨在深化战略合作伙伴关系，助力开发新一代差异化功率半导体解决方案

美格纳半导体有限公司（CEO：Chae Lee，以下简称”美格纳”）（纽约证券交易所代码：MX）今日宣布，Navitas半导体公司（Navitas Semiconductor Corporation，纳斯达克代码：NVTS，以下简称”Navitas”）已同意向美格纳进行500万美元的战略性股权投资。

根据双方通过非公开协商方式签署的股票购买协议条款，美格纳将以每股3.42美元的价格向Navitas发行并出售1,461,988股普通股，募集资金总额为500万美元。在满足或豁免通常的交易完成条件的前提下，本次交易预计将于2026年9月24日左右完成。

此次投资建立在双方不断深化的战略合作伙伴关系之上。此前，双方于2026年7月宣布将加速在高压及超高压电力市场推进碳化硅（SiC）技术的应用。

根据该合作伙伴关系，美格纳将获得Navitas GeneSiC™ Trench-Assisted Planar™技术的授权许可，该技术涵盖1,200V、2,300V、3,300V及更高电压的应用领域。同时，美格纳还将获得进入Navitas碳化硅（SiC）供应链及材料生态系统的机会，并计划在其位于韩国的晶圆厂完成该技术的移植、验证及自主化。此次合作还将为双方在初步的GeneSiC授权协议基础上，开展更广泛的技术与产品合作创造机会。双方最初瞄准的目标应用领域包括能源与电网基础设施、储能系统（ESS）、工业电气化、汽车及其他高功率系统。

美格纳首席执行官Chae Lee表示：”Navitas此次投资是双方战略合作伙伴关系迈出的重要一步，充分体现了双方对共同推进业务机遇的坚定承诺。”他进一步表示：”将Navitas经过验证的GeneSiC技术及材料生态系统，与美格纳在功率半导体领域的专业能力、生产能力以及客户关系相结合，我们相信这将加速我们进入具有吸引力的高压及超高压市场。更重要的是，我们认为Navitas的SiC技术与美格纳的硅基功率半导体技术及生产能力相结合，将为开发新一代差异化功率解决方案创造机遇，从而满足现有产品尚未充分满足的客户新兴需求。”他还表示：”我们期待在推进长期增长战略的过程中，与Navitas进一步深化合作。”

Navitas总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示：”美格纳是Navitas重要的战略合作伙伴，此次投资体现了我们对双方合作关系的信心，以及对未来共同创造价值的坚定信念。”他表示：”我们最初的技术与授权合作已经奠定了坚实的基础。此次投资进一步加强了双方的利益一致性，也体现了我们的共同信念，即双方互补性技术的结合将在高压及超高压应用领域创造新的业务机遇。”他补充道：”我们期待与美格纳紧密合作，进一步扩大先进GeneSiC技术的应用，并探索更广泛的技术与产品合作机会。”

有关本次交易的更多信息将包含在美格纳即将向美国证券交易委员会（SEC）提交的Form 8-K当期报告（Current Report）中。

前瞻性声明安全港条款

本新闻稿中有关美格纳预测、业务展望、预期及信念的信息，属于1995年《私人证券诉讼改革法案》（Private Securities Litigation Reform Act of 1995）所定义的前瞻性声明，涉及风险和不确定性。此类声明包括对公司财务业绩及业务展望的预期，包括本次投资预计完成的时间、美格纳与Navitas合作关系的预期效益、碳化硅（SiC）技术的开发、验证及商业化、美格纳进入高压及超高压市场、双方通过合作创造价值的能力，以及其他未来事件。本新闻稿中包含的所有前瞻性声明均基于美格纳截至本新闻稿发布之日所获得的信息。这些声明并不代表对未来业绩的保证，实际结果可能与我们当前的预期存在重大差异。可能导致或促成此类差异的因素包括但不限于：宏观经济环境、贸易政策、地缘政治局势及市场状况的变化；生产能力限制、供应链中断及客户需求变化；竞争产品及定价的影响；公司建立、维护及拓展与客户及业务合作伙伴战略关系的能力，以及实现该等关系预期效益的能力；客户对公司产品及技术的接受程度；公司开发、推出新产品并实现批量生产的能力；半导体行业供需变化，包括产能过剩及产能利用率；海外市场的金融稳定性及汇率变动的影响；未预见的成本及费用；适用贸易、出口及其他法律法规的变化或合规情况；公共卫生问题；其他业务中断因素；以及美格纳向美国证券交易委员会（SEC）提交的文件中所述的其他风险，包括公司于2026年3月16日提交的Form 10-K年度报告，以及公司可能不时向SEC提交或在公司官网上公布的后续注册声明、修订文件或其他报告。美格纳不承担更新本文所提供前瞻性声明的义务，也不打算因新信息、未来事件或其他原因而对其进行更新。

关于美格纳半导体

美格纳是一家专注于模拟及混合信号功率半导体平台解决方案的设计与制造企业，产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子及计算等领域。公司为全球客户提供丰富多样的标准产品。美格纳拥有约45年的运营历史，持有大量已注册专利及在申请中的专利，并具备深厚的工程、设计及制造工艺专业能力。欲了解更多信息，请访问www.magnachip.com。

关于Navitas半导体

Navitas半导体（纳斯达克代码：NVTS）是新一代功率半导体领域的领导企业，专注于氮化镓（GaN）及集成电路器件，以及高压碳化硅（SiC）技术，推动人工智能数据中心、能源与电网基础设施、高性能计算及工业电气化等领域的创新发展。凭借在宽禁带技术领域超过30年的综合专业积累，其GaNFast™功率集成电路将GaN功率、驱动、控制、传感及保护功能集成于一体，实现更快的功率传输、更高的系统集成密度及更高的效率。GeneSiC™高压SiC器件采用专利沟槽辅助平面技术（trench-assisted planar technology），为中压电网及基础设施应用提供业界领先的耐压能力、效率及可靠性。Navitas已获批及在申请中的专利超过300项，是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。

联系方式

美格纳投资者关系联系人：
Mike Bishop
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电话：+1 (415) 891-9633
邮箱：mike@bishopir.com

美格纳媒体联系人
Kyeongah Cho
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– 授权协议涵盖1,200V、2,300V、3,300V及更高电压的GeneSiC™第四代和第五代技术

– 利用纳微半导体的SiC供应链及材料生态系统

– 面向能源及电网基础设施、储能、工业电气化和汽车等高功率市场

美格纳半导体（NYSE：MX，以下简称“美格纳”）宣布，与下一代功率半导体企业纳微半导体（Nasdaq：NVTS）达成战略合作，旨在加快高压（HV）及超高压（UHV）功率市场对碳化硅（SiC）技术的采用。

根据协议，美格纳将获得纳微半导体GeneSiC™第四代和第五代沟槽辅助平面栅（Trench-Assisted Planar™，TAP）技术授权，以此切入高压及超高压SiC市场。此次授权涵盖1,200V、2,300V、3,300V及更高电压等级的GeneSiC技术。美格纳计划基于纳微半导体经过验证的SiC器件平台为基础，进一步增强其在下一代功率转换应用中的产品竞争力。

此外，美格纳将借助纳微半导体成熟的SiC供应链和材料生态，加快产品上市。同时，美格纳计划在其韩国晶圆厂完成相关技术的移植、认证与内部消化。双方预计，这种合作模式既能帮助美格纳快速进入SiC市场，又能保持与纳微半导体现有技术及材料基础的衔接。此次引入的技术有望支持能源及电网基础设施、储能、工业电气化、汽车以及其他高功率应用场景。

双方还表示，此次协议涵盖SiC以外的更广泛合作领域。具体细节将于日后公布。纳微半导体总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示：“与美格纳达成战略合作，体现了我们推动GeneSiC技术在高压及超高压功率市场实现更广泛应用的长期愿景。通过授权经过验证的GeneSiC技术，并结合我们的供应链与材料生态为美格纳赋能，我们正在为先进SiC解决方案的快速规模化应用铺平道路，同时也将深化双方的长期伙伴关系。” 美格纳首席执行官Chae Lee表示：“此次协议为美格纳进入高压及超高压SiC市场带来了重要的新机遇。GeneSiC技术将进一步完善我们现有的MOSFET及功率半导体产品组合，使美格纳能够更好地满足客户对更高能效、更高耐压及更高可靠性功率转换解决方案的需求。”

关于纳微半导体

纳微半导体（Nasdaq：NVTS）是下一代功率半导体领域的领先企业，专注于氮化镓（GaN）功率半导体及集成电路和高压碳化硅（SiC）技术，推动AI数据中心、高性能计算、能源及电网基础设施和工业电气化等领域的创新。纳微半导体的GeneSiC™高压SiC器件采用已获专利的沟槽辅助平面栅技术，为中压电网及基础设施应用提供领先的耐压能力、效率和可靠性。

关于美格纳半导体

美格纳半导体是一家模拟及混合信号功率半导体平台解决方案的设计和制造企业，产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子及计算领域。美格纳的功率解决方案产品组合包括MOSFET和电源集成电路（Power IC）技术，旨在提升各类高附加值电子系统的能效及系统性能。

Cautionary Statement Regarding Forward-Looking Statements
This press release includes “forward-looking statements” within the meaning of Section 21E of the Securities Exchange Act of 1934, as amended. Forward-looking statements are attempts to predict or indicate future events or trends or similar statements that are not a reflection of historical fact. Forward-looking statements are not predictions of actual future performance. Actual events and circumstances are difficult or impossible to predict and may differ from assumptions and expectations. For Navitas, these and other risk factors are discussed in the Risk Factors section of its most recent annual report on Form 10-K, as updated in its most recent quarterly report on Form 10-Q, and in other documents filed with the SEC. Magnachip’s risks are discussed in its most recent annual report on Form 10-K, as updated in its most recent quarterly report on Form 10-Q, and other documents filed with the SEC. If any of these risks materialize or if assumptions underlying forward-looking statements prove incorrect, actual results could differ materially from the results implied by these forward-looking statements. Statements may be identified by the use of words such as “we expect,” “are expected to be,” “estimate,” “plan,” “project,” “forecast,” “intend,” “anticipate,” “believe,” “seek,” or other similar expressions. Forward-looking statements are made based on estimates and forecasts of financial and performance metrics, projections of market opportunity and current indications of customer interest, all of which are based on various assumptions. All such statements are based on current expectations of the management of Navitas and Magnachip

凭借逾30年的全球半导体行业经验，将引领公司积极把握电力基础设施与AI时代的增长机遇

美格纳半导体宣布任命 Chae Lee 为新任首席执行官（CEO）。Chae Lee 是一位资深职业经理人，在功率半导体、电源管理集成电路（PMIC）、传感器及系统解决方案领域拥有逾30年的全球半导体行业经验。此前，他曾担任氮化镓（GaN）功率半导体企业 Tagore Technology 的首席执行官，并先后在 InSyte Systems、恩智浦半导体（NXP Semiconductors）和美信集成（Maxim Integrated）等全球半导体企业负责研发、应用工程、销售与市场营销等核心岗位，积累了全面的业务运营与管理经验。

以此次新任首席执行官任命为契机，美格纳计划进一步提升公司在电力基础设施、AI服务器、工业电源及汽车电子等高增长功率半导体市场的技术竞争力，并持续为客户提供差异化的产品与解决方案，满足多元应用需求。

Chae Lee 表示：“功率半导体是支撑电力基础设施升级和AI时代发展的核心技术，其重要性将持续提升。美格纳将依托长期积累的功率半导体技术实力，以及在韩国具备的优秀研发与制造能力，为客户创造差异化价值。我们将致力于发展成为向全球客户提供最具创新力功率半导体解决方案的企业。”

美格纳是一家专注于功率半导体的企业，开发并供应包括 MOSFET、IGBT 和 Power IC 在内的多种功率半导体产品。近期，公司正在扩大包括碳化硅（SiC）在内的下一代功率半导体产品阵容，重点面向电力基础设施、AI服务器、工业及汽车市场，提供满足客户需求的功率半导体解决方案。

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– 专为 AI 服务器、电动汽车充电器及工业应用中的高效率电源系统而设计
– 低 R_DS(ON)、快速恢复体二极管及集成齐纳二极管，实现更高性能与可靠性

韩国首尔，2026年6月 —— 美格纳半导体公司（NYSE: MX，“美格纳”）宣布推出两款全新的第六代 600V 超结（SJ）MOSFET。该产品旨在满足 AI 服务器、电动汽车充电系统及工业电源应用对性能与效率不断提升的需求。

新产品具备 36mΩ 和 37mΩ 的低导通电阻，有助于降低导通损耗，并提升整体电源转换效率。此外，两款器件均在栅极与源极之间集成了齐纳二极管，可增强静电放电（ESD）保护能力，从而提升器件可靠性。与上一代产品相比，芯片尺寸也实现了显著缩小，有助于提高系统集成度和设计灵活性。

其中，MMTB60R037G6FZVRH 集成快速恢复体二极管，可降低反向恢复损耗，并改善高频电源转换系统中的开关性能。这些特性使其非常适用于 AI 服务器电源等对效率、热管理和功率密度要求较高的应用。

两款器件均采用 TOLL 封装，面向高功率、大电流应用设计。同时，产品还采用 Kelvin Source 结构，可降低寄生电感并提升开关稳定性。

随着 AI 服务器、电动汽车充电系统和工业电源领域对高能效电源转换方案的需求持续增长，先进功率半导体的采用正在加速。更高效率、更优热性能和更高功率密度，已成为下一代电源系统的关键要求。

据 Omdia 预测，计算与数据存储应用中的分立半导体市场规模将从 2025 年约 37 亿美元增长至 2030 年约 59 亿美元，复合年增长率约为 9%。高密度、高效率服务器电源架构的普及，预计将进一步推动包括 SJ MOSFET 在内的功率分立器件需求。

美格纳首席技术官禹赫表示：“随着 AI 基础设施、电动汽车充电系统和工业应用对更高效率与可靠性的电源系统需求持续增长，功率半导体的性能正变得越来越重要。我们的第六代 600V SJ MOSFET 结合了低导通电阻、增强的开关特性以及高可靠性设计，可帮助客户提升下一代电源设计中的效率和功率密度。”

该系列新 SJ MOSFET 适用于多种需要高效率和高可靠性的电源应用，包括 AI 服务器电源、工业电源、通信基础设施以及电动汽车充电系统。

关链接

电源解决方案 > SJ MOSFETs > 600V

关于美格纳半导体

美格纳是一家致力于模拟及混合信号功率半导体平台解决方案的设计与制造企业，产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子和计算等多个领域。公司向全球客户提供多样化的标准产品。美格纳拥有逾45年的运营历史，持有大量已注册专利及申请中专利，具备深厚的工程、设计与制造工艺专业实力。如需了解更多信息，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息并非本新闻稿的一部分，亦不构成本新闻稿的内容。

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– High-efficiency, high-power-density MV MOSFET solutions for AI servers, data centers, high-performance computing (HPC) and industrial power systems

– Comprehensive power semiconductor portfolio on display, including LV MOSFETs, MV MOSFETs, SJ MOSFETs, IGBTs, SiC, and Power ICs

– PCIM Europe 2026, Nuremberg, Germany — Hall 6, Booth 337

Seoul, South Korea, May 26, 2026 — Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX, “Magnachip”), a designer and manufacturer of power semiconductor solutions, today announced that it will showcase its Medium-Voltage (MV) MOSFET portfolio for AI server and data center power systems at PCIM Europe 2026, which will be held from June 9 to 11, 2026, in Nuremberg, Germany.

At Hall 6, Booth 337, Magnachip will exhibit its MV MOSFET solutions for server and data center power supply units (PSUs), high-performance computing (HPC), and industrial power systems.

As AI workloads continue to expand and data center power consumption rises, power efficiency, power density, and thermal management have become increasingly important in server and data center power system design. According to market research firm Omdia, the global power discrete semiconductor market for Computing and Data Storage applications is expected to grow from approximately $2.3 billion in 2025 to $3.0 billion in 2029, representing a compound annual growth rate (CAGR) of approximately 7.4%.

At the exhibition, Magnachip will highlight its MV MOSFET portfolio designed to support high-efficiency and high-density power architectures for AI servers and data centers.

MV MOSFET Solutions for AI Servers and Data Centers

Magnachip’s MV MOSFET product family is designed for a broad range of applications including synchronous rectification stages in server and high-performance computing power supply systems, industrial power systems, and solar inverter applications. Based on advanced Shielded-Gate Trench (SGT) technology, the portfolio is designed to support improved current density and switching performance while addressing the requirements of high-temperature and high-density power designs.

“As power demand in AI servers and data centers continues to increase, customers are seeking semiconductor solutions that can support higher power efficiency and power density. Magnachip plans to continue expanding its MV MOSFET portfolio and strengthening its power semiconductor solutions for AI servers, data center power systems, and industrial applications.”

— Hyuk Woo, Chief Technology Officer, Magnachip Semiconductor

Broader Power Semiconductor Portfolio

In addition to its MV MOSFET solutions, Magnachip will also showcase its broader power semiconductor portfolio spanning LV MOSFETs, MV MOSFETs, Super Junction MOSFETs, IGBTs, SiC, and Power ICs. These products support a broad range of automotive and industrial applications, including:

∙ EV & Automotive — traction inverters, onboard chargers (OBC), and DC-DC converters

∙ Industrial — solar, ESS, motor control, and industrial automation

PCIM Europe 2026 Exhibition Information

Magnachip will participate in PCIM Europe 2026 (Hall 6, Booth 337) in Nuremberg, Germany, where it will showcase its MV MOSFET portfolio for AI servers and data centers, along with its broader power semiconductor solutions portfolio.

∙ Location: Hall 6, Booth 337 — Nuremberg, Germany

∙ Date: June 9–11, 2026

∙ See Floorplan: PCIM – Magnachip

∙ Meeting Request: kyeongah.cho@magnachip.com

∙ More Information: Magnachip at PCIM Europe 2026

About Magnachip Semiconductor

Magnachip is a designer and manufacturer of analog and mixed-signal power semiconductor platform solutions for various applications, including industrial, automotive, communication, consumer and computing. The Company provides a broad range of standard products to customers worldwide. Magnachip, with about 45 years of operating history, owns a substantial number of registered patents and pending applications, and has extensive engineering, design and manufacturing process expertise. For more information, please visit www.magnachip.com. Information on or accessible through Magnachip’s website is not a part of, and is not incorporated into, this release.

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In the Media

Magnachip to Showcase MV MOSFET Portfolio for AI Servers and Data Centers Alongside Its Broader Power Semiconductor Portfolio at PCIM Europe 2026

– 典型R_SS(on)低于1mΩ —— 为电池保护电路（PCM）提供超低导通电阻

– 比导通电阻（Rsp）降低48%，电流密度提升185%

– 满足下一代智能手机超快充电与高效电池保护需求

韩国首尔，2026年4月 —— 美格纳半导体公司（NYSE: MX，“美格纳”）今日宣布推出两款全新第八代超低导通电阻12V低压（LV）MOSFET，专为高性能智能手机电池保护电路（PCM）设计。

_{该产品面向下一代智能手机应用，在超快充电与能效日益重要的趋势下，进一步扩展了美格纳的产品阵容，并增强了其在移动电池保护FET市场的竞争力。其中一款产品已实现量产，目前正在向全球主要智能手机厂商供货，其性能与可靠性已得到验证。}

随着智能手机不断集成先进AI功能及高性能应用，计算负载持续提升，推动了对功耗效率与充电性能的更高要求。因此，用于电池保护电路（PCM）的MOSFET需要在有限电路板空间内实现低导通电阻、高电流密度及高效率表现。

同时，折叠屏、卷曲屏等创新形态设备的普及，使电路设计空间更加受限，从而进一步凸显了在相同尺寸下提升性能并减少元器件数量的重要性。

该系列产品作为智能手机电池保护电路中的主要开关器件，可实现过充、过放保护以及充放电电流控制等关键功能。

首先，在相同封装尺寸下显著降低导通电阻，从而减少发热。例如，MDWC12D013PERH相较于同尺寸第七代产品，Rss(on)性能提升超过50%，在相同测试条件下温度最多降低10°C，有助于延长电池寿命并提升充电稳定性。

其次，提升电流密度并实现引脚兼容，使其可直接替换并集成至现有电路设计中，减少PCB占用面积及FET数量，从而降低生产成本，同时为更大电池容量或更轻薄设计提供空间。

该产品采用美格纳第八代技术，基于高密度沟槽单元结构，与前一代相比，比导通电阻（Rsp）降低约48%，电流密度提升约185%，实现典型RSS(on)低于1mΩ。

根据Omdia数据，生成式人工智能已成为技术市场的重要趋势，并在消费级市场推动下快速发展。预计市场规模将从2022年约77亿美元增长至2028年的304亿美元，其中智能手机将占据主要应用份额。

顺应这一市场趋势，美格纳计划在年内推出22V超低导通电阻产品，进一步扩展其面向高性能移动设备的LV MOSFET产品组合。

美格纳首席技术官禹赫表示：“在有限空间内实现低导通电阻与优异的热性能，是智能手机电池保护电路设计中的关键挑战。我们的第八代超低导通电阻12V MOSFET正是为满足这些需求而设计，能够提供更高效率与可靠性，并在该应用领域展现出具有竞争力的技术价值。未来，美格纳将继续依托在功率半导体设计与制造方面的专业能力，不断提升产品竞争力，拓展移动等多元应用领域。”

在德国纽伦堡举行的PCIM Europe 2026（6号馆，337展位）上，美格纳将展示包括该产品在内的功率半导体解决方案。