作者： 매그나칩

  – High-efficiency, high-power-density MV MOSFET solutions for AI servers, data centers, high-performance computing (HPC) and industrial power systems

  – Comprehensive power semiconductor portfolio on display, including LV MOSFETs, MV MOSFETs, SJ MOSFETs, IGBTs, SiC, and Power ICs

  – PCIM Europe 2026, Nuremberg, Germany — Hall 6, Booth 337

 

Seoul, South Korea, May 26, 2026 — Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX, “Magnachip”), a designer and manufacturer of power semiconductor solutions, today announced that it will showcase its Medium-Voltage (MV) MOSFET portfolio for AI server and data center power systems at PCIM Europe 2026, which will be held from June 9 to 11, 2026, in Nuremberg, Germany.

 

At Hall 6, Booth 337, Magnachip will exhibit its MV MOSFET solutions for server and data center power supply units (PSUs), high-performance computing (HPC), and industrial power systems.

 

As AI workloads continue to expand and data center power consumption rises, power efficiency, power density, and thermal management have become increasingly important in server and data center power system design. According to market research firm Omdia, the global power discrete semiconductor market for Computing and Data Storage applications is expected to grow from approximately $2.3 billion in 2025 to $3.0 billion in 2029, representing a compound annual growth rate (CAGR) of approximately 7.4%.

 

At the exhibition, Magnachip will highlight its MV MOSFET portfolio designed to support high-efficiency and high-density power architectures for AI servers and data centers.

 

MV MOSFET Solutions for AI Servers and Data Centers

Magnachip’s MV MOSFET product family is designed for a broad range of applications including synchronous rectification stages in server and high-performance computing power supply systems, industrial power systems, and solar inverter applications. Based on advanced Shielded-Gate Trench (SGT) technology, the portfolio is designed to support improved current density and switching performance while addressing the requirements of high-temperature and high-density power designs.

 

“As power demand in AI servers and data centers continues to increase, customers are seeking semiconductor solutions that can support higher power efficiency and power density. Magnachip plans to continue expanding its MV MOSFET portfolio and strengthening its power semiconductor solutions for AI servers, data center power systems, and industrial applications.”

— Hyuk Woo, Chief Technology Officer, Magnachip Semiconductor

 

Broader Power Semiconductor Portfolio

In addition to its MV MOSFET solutions, Magnachip will also showcase its broader power semiconductor portfolio spanning LV MOSFETs, MV MOSFETs, Super Junction MOSFETs, IGBTs, SiC, and Power ICs. These products support a broad range of automotive and industrial applications, including:

∙ EV & Automotive — traction inverters, onboard chargers (OBC), and DC-DC converters

∙ Industrial — solar, ESS, motor control, and industrial automation

 

PCIM Europe 2026 Exhibition Information

Magnachip will participate in PCIM Europe 2026 (Hall 6, Booth 337) in Nuremberg, Germany, where it will showcase its MV MOSFET portfolio for AI servers and data centers, along with its broader power semiconductor solutions portfolio.

∙ Location: Hall 6, Booth 337 — Nuremberg, Germany

∙ Date: June 9–11, 2026

∙ See Floorplan: PCIM – Magnachip

∙ Meeting Request: kyeongah.cho@magnachip.com

∙ More Information: Magnachip at PCIM Europe 2026

 

About Magnachip Semiconductor

Magnachip is a designer and manufacturer of analog and mixed-signal power semiconductor platform solutions for various applications, including industrial, automotive, communication, consumer and computing. The Company provides a broad range of standard products to customers worldwide. Magnachip, with about 45 years of operating history, owns a substantial number of registered patents and pending applications, and has extensive engineering, design and manufacturing process expertise. For more information, please visit www.magnachip.com. Information on or accessible through Magnachip’s website is not a part of, and is not incorporated into, this release.

 

Contacts:

Mike Bishop  United States (Investor Relations) Bishop IR, LLC Tel. +1-415-891-9633 mike@bishopir.com

Kyeongah Cho  Global Marketing Communication Magnachip Semiconductor Tel. +82-2-6903-3179 pr@magnachip.com

 

In the Media

 Magnachip to Showcase MV MOSFET Portfolio for AI Servers and Data Centers Alongside Its Broader Power Semiconductor Portfolio at PCIM Europe 2026

  –  典型R_SS(on)低于1mΩ —— 为电池保护电路（PCM）提供超低导通电阻

  –  比导通电阻（Rsp）降低48%，电流密度提升185%

  –  满足下一代智能手机超快充电与高效电池保护需求

 

韩国首尔，2026年4月 —— 美格纳半导体公司（NYSE: MX，“美格纳”）今日宣布推出两款全新第八代超低导通电阻12V低压（LV）MOSFET，专为高性能智能手机电池保护电路（PCM）设计。

_{该产品面向下一代智能手机应用，在超快充电与能效日益重要的趋势下，进一步扩展了美格纳的产品阵容，并增强了其在移动电池保护FET市场的竞争力。其中一款产品已实现量产，目前正在向全球主要智能手机厂商供货，其性能与可靠性已得到验证。}

随着智能手机不断集成先进AI功能及高性能应用，计算负载持续提升，推动了对功耗效率与充电性能的更高要求。因此，用于电池保护电路（PCM）的MOSFET需要在有限电路板空间内实现低导通电阻、高电流密度及高效率表现。

同时，折叠屏、卷曲屏等创新形态设备的普及，使电路设计空间更加受限，从而进一步凸显了在相同尺寸下提升性能并减少元器件数量的重要性。

该系列产品作为智能手机电池保护电路中的主要开关器件，可实现过充、过放保护以及充放电电流控制等关键功能。

 

 

首先，在相同封装尺寸下显著降低导通电阻，从而减少发热。例如，MDWC12D013PERH相较于同尺寸第七代产品，Rss(on)性能提升超过50%，在相同测试条件下温度最多降低10°C，有助于延长电池寿命并提升充电稳定性。

其次，提升电流密度并实现引脚兼容，使其可直接替换并集成至现有电路设计中，减少PCB占用面积及FET数量，从而降低生产成本，同时为更大电池容量或更轻薄设计提供空间。

该产品采用美格纳第八代技术，基于高密度沟槽单元结构，与前一代相比，比导通电阻（Rsp）降低约48%，电流密度提升约185%，实现典型RSS(on)低于1mΩ。

根据Omdia数据，生成式人工智能已成为技术市场的重要趋势，并在消费级市场推动下快速发展。预计市场规模将从2022年约77亿美元增长至2028年的304亿美元，其中智能手机将占据主要应用份额。

顺应这一市场趋势，美格纳计划在年内推出22V超低导通电阻产品，进一步扩展其面向高性能移动设备的LV MOSFET产品组合。

美格纳首席技术官禹赫表示：“在有限空间内实现低导通电阻与优异的热性能，是智能手机电池保护电路设计中的关键挑战。我们的第八代超低导通电阻12V MOSFET正是为满足这些需求而设计，能够提供更高效率与可靠性，并在该应用领域展现出具有竞争力的技术价值。未来，美格纳将继续依托在功率半导体设计与制造方面的专业能力，不断提升产品竞争力，拓展移动等多元应用领域。”

 

在德国纽伦堡举行的PCIM Europe 2026（6号馆，337展位）上，美格纳将展示包括该产品在内的功率半导体解决方案。

 

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关于美格纳半导体

美格纳是一家致力于模拟及混合信号功率半导体平台解决方案的设计与制造企业，产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子和计算等多个领域。公司向全球客户提供多样化的标准产品。美格纳拥有逾45年的运营历史，持有大量已注册专利及申请中专利，具备深厚的工程、设计与制造工艺专业实力。如需了解更多信息，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息并非本新闻稿的一部分，亦不构成本新闻稿的内容。

 

联系方式：

Mike Bishop 美国（投资者关系部） Bishop IR, LLC 电话： +1-415-891-9633 mike@bishopir.com

Kyeongah Cho 全球营销传播 美格纳半导体 电话： +82-2-6903-3179 pr@magnachip.com

 

– 采用先进场截止沟槽技术

– 较前代产品单元间距缩小 40%

– 通过提升电流密度与增强反向偏置安全工作区 (RBSOA) 实现更优产品扩展性

– 凭借多样化容量产品阵容加速市场拓展

 

韩国首尔 – Magnachip Semiconductor Corporation（NYSE：MX，以下简称“美格纳”）当日宣布，公司推出了专为太阳能逆变器和工业储能系统 (ESS) 设计的新系列绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 产品，进一步巩固其在高效功率半导体市场的地位。

全新推出的 650V 与 1200V 新一代分立型 IGBT 产品专为太阳能逆变器及工业储能系统应用而设计。通过将单元（元胞）间距较前代产品显著缩小，美格纳实现了电流承载能力的实质性提升。此外，改进的反向偏置安全工作区 (RBSOA) 有助于确保器件在严苛的高压大电流条件下保持稳定可靠的性能。该系列产品同时提供标准 TO-247 封装与大容量 TO-247 Plus 封装选项，为客户在广泛的应用场景中提供设计灵活性。

根据市调机构 Omdia 的数据估测，全球太阳能逆变器及储能系统市场规模预计将从 2024 年的约 14 亿美元增长至 2029 年的约 27 亿美元，年复合增长率约为 10.6%。随着全球碳中和倡议的加速推进，能源效率与高功率密度已成为逆变器设计的关键性能指标。

美格纳已向国内外主要太阳能逆变器制造商供应 IGBT 产品，其卓越的产品质量与先进技术已获得市场广泛认可。随着新产品的推出，公司正将其产品组合扩展至更广泛的容量范围 – 从住宅（家用）逆变器到功率高达 150 kW 的工业（工商业）系统 – 使客户能够根据其运行环境选择合适的产品。

新一代 IGBT 产品采用先进场截止沟槽技术，较前代产品具有增强的结构设计与优化的工艺技术。具体而言，其单元间距较前代产品缩小约 40%，在同等芯片面积内显著提升了电流承载能力。此外，界定半导体安全工作边界的反向偏置安全工作区 (RBSOA) 性能提升超 30%，确保器件在高压大电流工况下具备更强的稳定性。这使得其适用于更广泛的功率应用场景。

美格纳计划于 2026 年上半年进一步扩展产品阵容，推出额定电流达 650V/150A 的大电流系列及新型 750V 产品。公司还计划新增采用开尔文引脚封装的“TO-247-4Lead”封装型号，通过优化开关效率进一步强化其 IGBT 产品阵容。这将使美格纳能够为太阳能和储能系统市场的客户提供更广泛的设计选项，这些市场正朝着更高容量和更高效率的方向发展。

“新一代 IGBT 系列通过优化的工艺技术，有效提升了能效与可靠性。”美格纳首席技术官 Hyuk Woo 表示。“基于我们经过市场验证的技术和生产能力，我们将持续扩展解决方案阵容，以更好地满足多样化的客户需求。”

 

 

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关于美格纳半导体

美格纳是一家致力于模拟及混合信号电源半导体平台解决方案的设计与制造企业，产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子和计算等多个领域。公司向全球客户提供多样化的标准产品。美格纳拥有逾 45 年的运营历史，持有和申请中的专利总数约达 1,000 项，具备深厚的工程、设计与制造工艺专业实力。如需了解更多信息，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息并非本新闻稿的一部分，亦不构成本新闻稿的内容。

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