作者： 매그나칩

– 先进屏蔽栅沟槽（SGT）技术同步提升电流密度与开关速度

-面向高温可靠性与能效要求的下一代电源市场

韩国首尔，2026年3月– 美格纳半导体公司（纽约证交所：MX，以下简称“美格纳”）今日宣布推出全新第八代40V与60V中压（MV）MOSFET产品，专为服务器及高性能PC电源模块（PSU）设计。

随着全球服务器及数据中心市场电力需求持续攀升，电源效率与功率密度已成为服务器及数据中心应用中功率半导体解决方案的重要考量因素。凭借全新第八代MV MOSFET产品，美格纳进一步拓展其解决方案布局，在快速增长的服务器及高性能计算（HPC）电源市场中，同步满足客户对高效率与高可靠性的双重需求，持续强化其在高附加值电源解决方案领域的竞争力。

上述新产品专为服务器及PC电源系统的同步整流（SR）级设计。采用先进SGT技术，40V产品相较上一代可实现最高40%的电流密度提升及约25%的开关速度提升；60V产品则可实现最高50%的电流密度提升及60%的开关速度提升。

该系列器件支持高达175°C的宽温度工作范围，确保在高温环境下仍能稳定运行，并采用紧凑型PDFN56封装，助力实现高密度紧凑型电源设计。产品符合JEDEC标准，不仅适用于服务器及高性能PC电源模块，亦可广泛应用于对高效率与高可靠性有较高要求的太阳能逆变器及工业电源系统。

继2025年5月推出0.7mΩ 40V产品后，美格纳此次新增三款产品——0.8mΩ 40V、1.0mΩ 40V及1.05mΩ 60V，进一步丰富第八代MV MOSFET产品组合，提供多元化的电压及RDS(on)选项。据全球市场研究机构Omdia预测，全球服务器及数据中心电源市场（计算与数据存储领域）规模预计将从2025年的约23亿美元增长至2029年的30亿美元，复合年均增长率（CAGR）为7.4%。借助扩展后的产品阵容，美格纳致力于在快速增长的功率半导体市场中进一步提升技术竞争力与市场份额。

“这批新产品有望成为提升服务器及高性能PC电源系统效率与可靠性的理想解决方案，’美格纳首席技术官禹赫禹赫表示，‘依托多年积累的功率半导体设计专长与成熟的制造能力，美格纳将持续推出面向服务器、PC及工业应用的高附加值电源解决方案。’

美格纳将携最新MV MOSFET解决方案亮相德国纽伦堡PCIM Europe 2026展览会（6号展馆，337号展位），重点展示其在高效率、高密度电源系统中的核心作用。

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关于美格纳半导体

美格纳是一家致力于模拟及混合信号功率半导体平台解决方案的设计与制造企业，产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子和计算等多个领域。公司向全球客户提供多样化的标准产品。美格纳拥有逾45年的运营历史，持有大量已注册专利及申请中专利，具备深厚的工程、设计与制造工艺专业实力。如需了解更多信息，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息并非本新闻稿的一部分，亦不构成本新闻稿的内容。

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– 基于Super-Short Channel FET技术，实现芯片尺寸缩小约26%，导通电阻Rss(on)性能提升约31%

– 拓展电池保护解决方案，覆盖更广泛的移动终端应用

韩国首尔 —— 美格纳半导体（NYSE: MX，“美格纳”）今日宣布，推出全新第七代24V MXT LV MOSFET，专为下一代三折叠智能手机电池保护电路设计，进一步巩固公司在高端折叠智能手机市场的地位。该产品已实现量产，目前正向全球主要智能手机厂商供货，并已通过性能与可靠性验证。

此次推出的24V双N沟道MOSFET（型号：MDWC24D058ERH）采用美格纳自主研发的Super-Short Channel FET（SSCFET®）技术。与上一代产品相比，芯片尺寸缩小约26%。该技术可帮助客户将电池保护电路模块（PCM）板面积减少超过20%，节省的空间可用于提升电池容量或实现更纤薄的终端设计。

三折叠智能手机采用双折结构设计，可同时支持三块屏幕运行，实现高性能多任务处理。随着内部结构日益复杂，电源效率与可靠性在终端设计中变得尤为关键。因此，这类设备对高集成度、高效率的MOSFET解决方案提出更高要求，以确保复杂系统架构下的电源稳定运行。

除三折叠智能手机外，该产品亦适用于可穿戴设备、平板电脑等多种移动终端应用。产品将功率损耗的重要因数——Rss(on)——最高降低约31%，有效减少发热。同时，相较传统沟槽工艺，其单位面积电流密度提升约48%，在高电流条件下可实现更稳定的电压控制。此外，该产品集成超过2kV的静电放电（ESD）防护能力，有效提升电池系统对外部干扰的防护性能。

根据市场研究机构Omdia数据显示，包括智能手机BatteryFET在内的40V以下硅基功率MOSFET市场规模预计将从2025年的约42亿美元增长至2029年的约52亿美元，复合年增长率约为4.6%。其中，高端智能手机市场（包括三折叠机型）将成为主要增长驱动力，受益于对高性能与高效率元器件需求的持续提升。

美格纳首席技术官禹赫表示：“三折叠智能手机代表高端移动终端的发展方向，对技术水平与元器件可靠性提出更高要求。通过此次新产品的成功量产供货，我们再次展现了美格纳在功率半导体设计领域的技术实力与竞争优势。未来，公司将持续推进技术创新，不断拓展面向智能手机、可穿戴设备及平板电脑等移动应用领域的功率半导体产品组合。”美格纳的新款

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–  美格纳将凭借与现代摩比斯公司十年合作积累的汽车 IGBT 技术经验实现业务拓展

韩国首尔 – Magnachip Semiconductor Corporation（NYSE：MX）（以下简称“美格纳”或“公司”）当日宣布，公司已与现代摩比斯有限公司（以下简称“摩比斯”）就高性能绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术使用达成协议，并计划基于该技术拓展业务。现代摩比斯是一家全球汽车零部件供应商，专注于提供软硬件结合的差异化移动解决方案。

IGBT 作为功率半导体，广泛应用于需要同时承受高电压与高电流的大功率系统。根据市调机构 OMDIA 的数据估测，2024 年全球 IGBT 市场规模已突破 110 亿美元，预计将从 2025 年的 123 亿美元增长至 2028 年的 169 亿美元。

面向混合动力汽车和电动汽车牵引逆变器的 IGBT 正迎来市场快速增长期。由于 IGBT 的能效与可靠性对逆变器的性能有着显著影响，目前仅有少数功率半导体行业市场领军企业具备稳定量产当前市场主流高压高电流产品的能力。

基于对牵引系统核心功率半导体技术自主化重要性的共识，摩比斯与美格纳自 2015 年起就牵引逆变器 IGBT 开发进行合作。在这种合作关系下，摩比斯主导结构设计，美格纳则主要贡献其在半导体工艺技术领域的专长。经过系统级评估与验证，双方近期成功开发出符合电动汽车严苛要求的新型 IGBT 产品。摩比斯目前计划于 2026 年启动搭载该 IGBT 的逆变器量产。

此外，美格纳正利用共同开发的设计技术推动自主 IGBT 产品的进一步开发与商业化进程。作为战略举措之一，公司计划明年上半年推出新的工业级 IGBT 系列产品。此举旨在强化技术竞争力，巩固其在全球功率半导体市场的地位，重点聚焦工业、AI 及可再生能源市场领域。

“此次战略合作是提升我们 IGBT 技术能力的重要里程碑，”美格纳首席执行官 Camillo Martino 说。“新开发的第七代 IGBT 产品系列显著增强了我们的产品组合，使我们在高性能高端市场更具竞争力。美格纳正积极布局工业、AI 及可再生能源等高价值应用领域，预计这些领域在未来几年将成为公司产品结构的重要组成部分。”

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前瞻性声明

本新闻稿包含根据 1995 年《私人证券诉讼改革法案》定义的前瞻性声明，并受其中规定的安全港条款约束。凡非历史或当前事实的陈述，包括关于信念和预期的陈述，均属前瞻性声明。此类声明通常（但并非总是）通过使用诸如以下词汇或短语进行表述：“可能”、“将会”、“将会被”、“预计”、“估计”、“计划”、“规划”、“继续”、“进行中”、“预期”、“相信”、“打算”、“预测”、“潜力”、“未来”、“战略”、“机遇”及其类似表达或否定形式。前瞻性声明存在固有风险与不确定性，重要因素可能导致实际结果与预期产生重大差异，包括但不限于：宏观经济环境变化的影响，包括美国近期宣布的全球贸易及关税行动引发的连锁反应、相关报复性关税、供应链中断与全球贸易紊乱；通货膨胀、潜在经济衰退或其他经济恶化状况、经济不稳定或社会动荡；地缘政治冲突（含俄乌冲突、以色列-哈马斯冲突以及红海持续军事行动与冲突）；制造业产能限制或供应链中断可能影响产品交付能力或推高元件价格，导致成本上升并波及受同类问题困扰的客户对我们产品的需求；竞争性产品与定价的冲击；客户对我们设计方案的及时采纳；新产品与新技术的及时推出；新产品规模化量产能力；半导体行业供需关系的整体性转变；行业或美格纳自身的产能过剩问题；制造产能的有效与成本优化利用；海外市场金融稳定性及汇率波动影响；未预见成本费用或难以识别的可削减开支；我们公司、客户及分销商对美国和国际贸易与出口法规的合规性；地方或国际法律法规（含环境、健康与安全相关法规）的变更或修订；公共卫生事件；其他可能扰乱美格纳产品供应、交付或需求的生产经营中断风险；以及美格纳定期向美国证券交易委员会（简称“SEC”）提交的文件中详述的其他风险，包括 2025 年 3 月 14 日提交的 10-K 年报，以及后续可能向 SEC 提交或通过美格纳官网公布的注册声明、修订文件或其他报告。这些报告可从网站 www.magnachip.com 或 www.sec.gov 上获取。前瞻性声明仅代表截至声明发表之日的观点。美格纳不承担任何义务，且无意更新前述前瞻性声明，无论其是否因新信息、未来事件或其他原因而发生变化。

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– 新封装产品阵容面向高端消费电子和高功率/高电流市场

– 计划针对 AI 数据中心推出更多 SJ MOSFET TOLL 系列产品

首尔，2025 年 10 月 29 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（NYSE：MX，以下简称“美格纳”）当日宣布，公司发布了两款新的 650V 超结 MOSFET (SJ MOSFET) 产品，这两款产品采用无引线 TO (TOLL) 封装，专为满足高端电视、游戏显示器、AI 笔记本适配器及充电器等高端消费电子产品对高功率、高电流的需求而设计。

目前美格纳 TOLL 封装产品（如 80V – 200V 极限沟槽 MOSFET）均采用 非开尔文配置。新型 650V SJ MOSFET 采用 开尔文配置，可最大程度降低寄生电感对栅源回路的影响，通过减少栅极振荡（振铃）现象提升开关稳定性与整体电源效率。

相较传统的 D²PAK 封装， TOLL 封装的电流承载能力提升超 100%，占用面积减少 24%，高度降低 48%。因此， TOLL 封装适用于对电源效率与散热性能具有较高要求的小型 PCB 及高功率密度应用场景。

美格纳首席技术官 禹赫 表示：“我们的新款 650V SJ MOSFET TOLL 产品旨在满足超薄应用对 PCB 空间节省与高性能的双重需求。美格纳将于近期持续扩展 650V TOLL 封装产品阵容，以支持 AI 数据中心及下一代高功率应用需求。”

美格纳新款 TOLL 封装 650V SJ MOSFET

*R_DS(on)：MOSFET 导通时漏极与源极之间的测量电阻

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