[작성자:] 매그나칩

– Advanced SGT 기술로 전류 밀도스위칭 속도 동시 개선

-고온 신뢰성과 에너지 효율요구가 높은 차세대 전원공급장치 시장 대응

서울, 2026년 3월 – 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 카밀로 마티노, 이하 ‘매그나칩’)(NYSE:MX)는 서버 및 고성능 PC 전원공급장치에 적용 가능한 8세대 40V·60V 중전압(MV) MOSFET 신제품을 출시했다고 밝혔다.

글로벌 서버와 데이터센터 시장의 전력 수요가 지속적으로 증가하면서 전원 효율과 전력밀도는 서버 및 데이터센터용 전력반도체 솔루션의 핵심 경쟁 요소로 부상하고 있다. 매그나칩은 이번 신제품을 통해 성장세가 두드러진 서버 및 고성능 컴퓨팅(High-Performance Computing) 전원공급장치 시장에서 고객의 효율·신뢰성 요구를 동시에 충족할 수 있는 솔루션을 확대하며, 고부가가치 전력 솔루션 사업의 경쟁력을 강화하고 있다.

이번 8세대 MV MOSFET은 서버 및 PC 전원 시스템의 동기정류(SR: Synchronous Rectification) 단계에 사용되도록 설계되었다. Advanced SGT(Shielded Gate Trench) 기술을 적용해 40V 제품은 기존 제품 대비 전류 밀도를 최대 40%, 스위칭 속도를 약 25% 개선했으며, 60V 제품은 전류 밀도를 50%, 스위칭 속도를 60%까지 향상시켰다. 또한 고속 역병렬 다이오드 기술[1]을 적용해 스위칭 시 발생하는 잔류 전류를 빠르게 제거함으로써 시스템 운영의 안정성을 강화했다.

이 제품은 최대 175°C의 넓은 동작 온도 범위를 지원해 고온 환경에서도 안정적인 성능을 유지하며, 컴팩트한 PDFN56 패키지를 채택해 고집적 및 소형 전원 설계를 가능하게 한다. JEDEC 표준을 충족하는 설계를 통해 서버 및 고성능 PC 전원공급장치뿐 아니라, 고효율과 신뢰성이 요구되는 태양광 인버터 및 산업용 전력 시스템에도 적용할 수 있다.

매그나칩은 2025년 5월에 0.7mΩ급 40V 제품을 출시한 데 이어, 이번에 0.8mΩ급 40V, 1.0mΩ급 40V, 1.05mΩ급 60V 총 3개 제품을 추가 출시하며 다양한 전압 및 R_DS(on) 옵션을 갖춘 8세대 MV MOSFET 포트폴리오를 한층 강화했다. 시장조사업체 옴디아(Omdia)에 따르면 글로벌 서버 및 데이터센터 전원공급장치 시장 (Computing and data storage)은 2025년 약 23억 달러에서 2029년 약 30억 달러 규모로 성장하며, 연평균 성장률(CAGR) 7.4%를 기록할 것으로 전망된다. 매그나칩은 이번 제품 라인업 확장을 통해 빠르게 성장하는 전력반도체 시장에서 기술 경쟁력과 시장 점유율을 지속적으로 강화해 나갈 방침이다.

매그나칩 우혁 CTO는 “이번 신제품은 서버 및 고성능 PC 전원 시스템의 효율 개선과 신뢰성을 동시에 높이는 솔루션이 될 것”이라며 “매그나칩은 축적된 전력반도체 설계 노하우와 검증된 생산 역량을 바탕으로 서버, PC 및 산업용 애플리케이션 전반에 걸쳐 고부가가치 전력 솔루션을 지속적으로 선보이겠다”고 말했다.

매그나칩은 오는 6월 9일부터 11일까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 PCIM Europe 2026(Hall 6, Booth 337)에 참가해 고효율·고밀도 전력 시스템을 위한 최신 MV MOSFET 솔루션을 선보일 예정이다.

[1] 스위칭 시 발생하는 잔류 전류를 빠르게 방전해 손실과 노이즈를 줄이는 보호 회로 구조

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매그나칩, 서버 및 고성능 PC 전력 효율 향상을 위한 8세대 40V·60V MV MOSFET 신제품 출시 – 전자신문

– 슈퍼 쇼트 채널 FET 기술 기반으로 칩 크기 26% 축소 및 Rss(on) 31% 개선

– 다양한 모바일 기기용 배터리 보호 솔루션 본격 확대

매그나칩반도체 유한회사(대표이사 카밀로 마티노, 이하 ‘매그나칩’)(NYSE: MX)는 차세대 모바일 기기인 트라이폴드폰(Tri-fold Phone, 3단 접이식) 배터리 보호 회로용 ‘24V MXT LV MOSFET[1] 신제품을 출시하며 프리미엄 폴더블 모바일 시장 공략을 강화한다고 밝혔다. 이 제품은 현재 주요 글로벌 스마트폰 제조사에 공급되고 있으며, 이미 시장에서 검증된 성능과 신뢰성을 확보하고 있다.

매그나칩은 이번 신제품인 24V Dual N-channel MOSFET(제품명: MDWC24D058ERH)에 자체 개발한 슈퍼 쇼트 채널 FET(SSCFET)[2] 기술을 적용해, 이전 세대 제품 대비 칩 크기를 약 26% 축소했다. 이를 통해 배터리 보호 회로(PCM) 실장 보드 면적을 기존 대비 20% 이상 절감할 수 있어, 제조사는 확보된 공간을 배터리 용량 확대나 기기 슬림화 등 차별화된 설계에 활용할 수 있다.

이 제품은 트라이폴드폰뿐만 아니라 웨어러블 기기, 태블릿 등 기타 모바일 기기에 적용되고 있으며, 전력 손실의 주요 원인인 온저항(R_SS(on))을 약 31% 개선해 발열을 효과적으로 줄였다. 또한 SSCFET 기술을 적용하여 일반 트렌치(Trench) 공정 대비 단위 면적당 전류 밀도를 약 48% 향상시켜, 고전류 환경에서도 안정적인 전압 제어 성능을 제공한다. 아울러 2kV 이상의 정전기 방전(ESD) 보호 성능을 내장해 외부 충격으로부터 배터리 시스템을 안전하게 보호한다.

시장조사업체 옴디아(Omdia)에 따르면, 스마트폰 배터리FET이 포함된 40V 이하 실리콘 파워 MOSFET 시장은 2025년 약 42억 달러에서 2029년 약 52억 달러로 성장해, 연평균 약 4.6%의 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망된다. 특히 트라이폴드폰을 포함한 프리미엄 스마트폰 시장은 고성능·고효율 부품 수요를 중심으로 성장을 주도할 것으로 기대된다.

트라이폴드폰은 디스플레이를 두 번 접는 신규 폼팩터로, 세 개의 디스플레이를 구동하고 고성능 멀티태스킹을 구현하는 만큼 내부 구조가 복잡하며 전력 효율성과 안정성이 중요한 요소로 작용한다. 이에 따라 고집적·고효율 사양에 부합하는 MOSFET 제품 수요가 요구되고 있다.

매그나칩 우혁 CTO는 “트라이폴드폰은 기술 난이도와 부품 완성도가 높은 하이엔드 모바일 기기로, 이번 MOSFET 신제품 공급을 통해 매그나칩의 전력 반도체 설계 역량과 기술 경쟁력이 다시 한번 입증됐다”며, “앞으로도 지속적인 기술 혁신을 통해 스마트폰은 물론 웨어러블 기기, 태블릿 등 다양한 모바일 애플리케이션에 적용되는 전력 반도체 포트폴리오를 확대해 나갈 계획”이라고 말했다.

[1] MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): 매그나칩의 30V 이하 트렌치 공정 기반 MOSFET 제품군

[2] 슈퍼 쇼트 채널 (SSCFET^®: Super-Short Channel FET):  전류 흐름 경로를 짧게 설계해 전력손실을 줄이고 효율을 높인 매그나칩의 최신 MOSFET 설계 기술

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 매그나칩, 트라이폴드폰 배터리 보호 회로용 24V BatteryFET 신제품 공개 – 전자신문

– 매그나칩, 현대모비스와의 10년간 협업을 통해 축적된 차량용 IGBT 기술 전문성 활용

매그나칩반도체(이하 “매그나칩”)는 고성능 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 설계 기술과 관련해 현대모비스와 기술 사용 협의를 완료하였고 해당 기술을 활용한 IGBT 사업을 확대 추진할 예정이다.

IGBT는 고전압, 고전류를 동시에 요구하는 대전력 시스템에 사용되는 전력반도체이다. 시장조사기관 OMDIA에 따르면 2024년 기준 IGBT 시장 규모는 약 110억 달러 이상이며, 다수의 업체가 시장 선점을 위해 치열한 경쟁을 하고 있다. 특히, 하이브리드차(HEV) 및 전기차(EV)를 구동하는 전동화향 인버터용 IGBT는 빠르게 확대되고 있으며, IGBT의 효율성과 안정성이 인버터 시스템의 성능에 큰 영향을 주기 때문에, 고전압, 고전력을 안정적으로 커버할 수 있는 양산 제품을 보유한 소수의 업체만이 시장을 선도하고 있다.

이처럼 전동화 시스템 내 핵심 역할을 수행하는 전력반도체 기술 내재화의 필요성 확대로 현대모비스와 매그나칩은 2015년부터 전동화향 인버터용 IGBT 개발 협업을 진행해왔다. 현대모비스는 주로 IGBT 구조 설계를 담당하고 매그나칩은 전력반도체 공정 역량을 활용해 양사 간 협업을 진행해 왔으며, 최근 시스템 단위 평가·검증을 거쳐 전동화 차량에 적용 가능한 수준의 IGBT 제품을 확보하여 현대모비스는 2026년 해당 제품의 양산 적용 예정이다.

뿐만 아니라, 매그나칩은 사업 확대를 위해 현대모비스와 협업 개발한 IGBT 설계 기술 사용 협의를 바탕으로 독자적인 전력반도체 개발·공급을 추진하고 있다. 매그나칩은 해당 기술이 활용된 전력반도체 제품을 내년 상반기에 출시할 예정이다. OMDIA에 따르면 글로벌 IGBT 시장은 2025년 123억 달러에서 2028년 169억 달러로 지속 성장할 것으로 예상되고 있다. 매그나칩은 이를 통해 빠르게 시장을 확대해 나가는 전력반도체 시장에서 지속적인 기술 경쟁력을 높이고, 산업용, AI, 재생에너지 등 고부가가치 시장을 중심으로 글로벌 시장에서의 사업 확대에 박차를 가할 계획이다.

매그나칩 카밀로 마르티노 CEO는 “이번 전략적 파트너십은 당사의 IGBT 역량을 한 단계 도약시키는 중요한 발걸음이다”라고 말했다. 이어 “새로운 7세대(7th Generation) IGBT 제품군 개발을 통해 매그나칩의 포트폴리오가 대폭 강화되었으며, 고성능 프리미엄 시장에서 경쟁력을 높일 수 있게 되었다. 매그나칩은 앞으로 산업용, AI, 재생에너지 등 고부가가치 애플리케이션을 적극적으로 공략해, 향후 당사 제품 구성에서 이들 분야의 비중이 확대될 것으로 기대한다.”라고 밝혔다.

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– 향후 AI 데이터센터용 전력 공급 맞춤 제품 추가 출시 예정

서울 2025년 10월 29일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 카밀로 마티노, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 프리미엄 전자제품 및 고성능 전력 시장의 수요에 대응하기 위해 TOLL(TO-Leadless) 패키지를 적용한 650V급 SJ MOSFET(Super Junction MOSFET) 신제품 2종을 출시했다고 밝혔다.

이번 출시된 TOLL 패키지 신제품은 프리미엄 TV, 게이밍 모니터, AI 노트북 어댑터, 충전기 등 고전력·고전류 애플리케이션의 요구사항을 충족하도록 설계되었으며, 기존 자사의 80V~200V eXtreme Trench MOSFET TOLL 패키지 제품에 적용된 3핀 구조와 달리 4핀 Kelvin 소스 방식을 도입하였다. Kelvin 소스 방식의 4핀 구조는 게이트-소스 리턴 경로의 기생 인덕턴스(Parasitic Inductance) 영향을 최소화하여 스위칭 안정성을 높이고, 게이트 오실레이션(Ringing)을 저감시켜 전력 효율을 개선하였다.

기존 자사의 D2PAK 패키지 대비 TOLL 패키지는 전류 성능(Current Capability)이 100% 이상 향상되었으며, 풋프린트(Footprint)는 24%, 높이는 48% 감소하였다. 신규 TOLL 패키지는 면적당 전력 효율과 방열(Heat Dissipation) 성능이 개선되어, PCB 소형화와 높은 전력 밀도(Power Density)를 동시에 요구하는 애플리케이션에 적합한 솔루션이다.

매그나칩 우혁 CTO는 “이번 650V SJ MOSFET TOLL 신제품은 슬림 폼팩터(Slim form-factor) 애플리케이션의 PCB 면적 효율과 고성능 요구를 충족하도록 설계되었으며, 매그나칩은 AI 데이터센터 및 차세대 고전력 애플리케이션을 위한 600V급 TOLL 패키지 제품 라인업을 빠른 시일 내 시장에 선보일 것”이라고 말했다.

650V SJ MOSFET TOLL 신제품

*RDS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

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