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– 전략적 파트너십 강화 및 차별화된 차세대 전력반도체 솔루션 개발 지원

매그나칩반도체 유한회사(대표이사 채 리, 이하 매그나칩)(NYSE: MX))는 오늘 나비타스 반도체(Navitas Semiconductor Corporation, Nasdaq: NVTS, 이하 “나비타스”)가 매그나칩에 500만 달러 규모의 전략적 지분 투자를 하기로 합의했다고 발표했다.

비공개 협상으로 체결된 주식매매계약 조건에 따라 매그나칩은 나비타스에 보통주 1,461,988주를 주당 3.42달러에 발행·매각할 예정이다. 이번 거래는 통상적인 거래종결 조건의 충족 또는 면제를 전제로 2026년 9월 24일경 완료될 예정이다.

이번 투자는 2026년 7월 고전압 및 초고전압 전력 시장에서 실리콘카바이드(SiC) 기술 도입을 가속화하기 위해 발표한 바 있는 매그나칩과 나비타스의 전략적 파트너십을 기반으로 한 후속 조치다.

해당 파트너십에 따라 매그나칩은 1,200V, 2,300V, 3,300V 및 그 이상의 전압 애플리케이션을 포괄하는 나비타스의 GeneSiC™ Trench-Assisted Planar™ 기술을 라이선스한다. 또한 매그나칩은 나비타스의 SiC 공급망 및 소재 생태계에 접근하게 되며, 한국 내 매그나칩 팹에서 해당 기술을 이전·검증한 뒤 내재화할 계획이다. 이번 파트너십은 초기 GeneSiC 라이선스 계약을 넘어 보다 광범위한 기술 및 제품 협력의 기회도 창출한다. 양사는 우선적으로 에너지 및 전력망 인프라, 에너지저장장치(ESS), 산업용 전동화, 자동차 및 기타 고전력 시스템분야를 타깃 애플리케이션으로 삼고 있다.

매그나칩반도체 채 리(Chae Lee) 대표이사는 “나비타스의 이번 투자는 양사 전략적 파트너십의 중요한 다음 단계로서, 함께 추진하고 있는 사업 기회에 대한 공동의 의지를 보여주는 것”이라고 밝혔다. 이어 “나비타스의 검증된 GeneSiC 기술 및 소재 생태계와 매그나칩의 전력반도체 전문성, 생산 역량, 고객 네트워크를 결합함으로써 고전압 및 초고전압 시장 진입을 가속화할 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다. 그는 또한 “무엇보다 나비타스의 SiC 기술과 매그나칩의 실리콘 전력반도체 기술 및 생산 역량이 결합되면, 기존 제품으로는 충분히 충족되지 못하고 있는 고객의 새로운 요구에 대응할 수 있는 차세대 차별화된 전력 솔루션을 개발할 수 있는 기회가 창출될 것으로 본다”고 강조했다. 그는 “장기 성장 전략을 실행해 나가는 과정에서 양사 간 협력을 한층 강화해 나가기를 기대한다”고 덧붙였다.

나비타스 크리스 알렉상드르(Chris Allexandre) 대표이사 겸 최고경영자는 “매그나칩은 나비타스에 있어 중요한 전략적 파트너이며, 이번 투자는 양사 관계에 대한 신뢰와 앞으로 함께 창출할 수 있는 가치에 대한 확신을 반영한 것”이라고 밝혔다. 그는 “초기 기술 및 라이선스 협력을 통해 양사는 견고한 협력 기반을 마련했다”며 “이번 투자는 양사의 이해관계를 한층 더 일치시키는 것으로, 상호 보완적인 기술의 결합이 고전압 및 초고전압 응용 분야 전반에서 새로운 사업 기회를 창출할 수 있다는 공동의 믿음을 반영한다”고 말했다. 그는 이어 “매그나칩과 긴밀히 협력하여 첨단 GeneSiC 기술의 채택을 확대하고, 보다 광범위한 기술 및 제품 협력 기회를 모색해 나가기를 기대한다”고 밝혔다.

이번 거래에 관한 추가 정보는 매그나칩이 미국 증권거래위원회(SEC)에 제출할 Form 8-K 보고서(Current Report)에 포함될 예정이다.

Safe Harbor for Forward-Looking Statements

Information in this press release regarding Magnachip’s forecasts, business outlook, expectations and beliefs are forward-looking statements within the meaning of the Private Securities Litigation Reform Act of 1995 that involve risks and uncertainties. These statements include expectations regarding our financial performance and business outlook, including the expected closing of the investment, the anticipated benefits of Magnachip’s relationship with Navitas, the development, qualification and commercialization of silicon carbide technologies, Magnachip’s entry into high-voltage and ultra-high-voltage markets, and the companies’ ability to create value through the collaboration, and other future events. All forward-looking statements included in this release are based upon information available to Magnachip as of the date of this release. These statements are not guarantees of future performance and actual results could differ materially from our current expectations. Factors that could cause or contribute to such differences include, among others: changes in macroeconomic conditions, trade policies, geopolitical conditions and market conditions; manufacturing capacity constraints, supply chain disruptions and changes in customer demand; the impact of competitive products and pricing; our ability to establish, maintain and expand strategic relationships with customers and business partners, and to realize the anticipated benefits of those relationships; customer acceptance of our products and technologies; our ability to develop, introduce and ramp new products into volume production; changes in semiconductor industry supply and demand, including overcapacity and manufacturing utilization; financial stability in foreign markets and the impact of foreign exchange rates; unanticipated costs and expenses; changes in, or compliance with, applicable trade, export and other laws and regulations; public health issues; other business interruptions; and other risks described in Magnachip’s filings with the SEC, including our Annual Report on Form 10-K filed on March 16, 2026, and subsequent registration statements, amendments or other reports that we may file from time to time with the SEC and/or make available on our website. Magnachip assumes no obligation and does not intend to update the forward-looking statements provided, whether as a result of new information, future events or otherwise.

About Magnachip Semiconductor

Magnachip is a designer and manufacturer of analog and mixed-signal power semiconductor platform solutions for various applications, including industrial, automotive, communication, consumer and computing. The Company provides a broad range of standard products to customers worldwide. Magnachip, with about 45 years of operating history, owns a substantial number of registered patents and pending applications, and has extensive engineering, design and manufacturing process expertise. For more information, please visit www.magnachip.com.

About Navitas Semiconductor

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) is a next-generation power semiconductor leader in gallium nitride (GaN) and IC integrated devices, and high-voltage silicon carbide (SiC) technology, driving innovation across AI data centers, energy and grid infrastructure, performance computing and industrial electrification. With more than 30 years of combined expertise in wide-bandgap technologies, GaNFast™ power ICs integrate GaN power, drive, control, sensing, and protection, delivering faster power delivery, higher system density, and greater efficiency. GeneSiC™ high-voltage SiC devices leverage patented trench-assisted planar technology to provide industry-leading voltage capability, efficiency, and reliability for medium-voltage grid and infrastructure applications. Navitas has over 300 patents issued or pending and is the world’s first semiconductor company to be CarbonNeutral®-certified.

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– 나비타스의 1,200V·2,300V·3,300V 이상 GeneSiC™ 4·5세대 기술 라이선스

– 나비타스의 SiC 공급망 및 소재 생태계 활용 에너지·그리드 인프라, 에너지 저장장치, 산업 전동화, 자동차 등 고전력 시장 공략

매그나칩반도체 유한회사는 차세대 질화갈륨·실리콘 카바이드 전력반도체 기업 나비타스 세미컨덕터(이하 나비타스)와 고전압 및 초고전압 전력 시장에서 실리콘카바이드 기술 도입을 가속하기 위한 전략적 파트너십을 체결했다고 밝혔다.

이번 계약에 따라 매그나칩은 나비타스의 GeneSiC™ 4세대 및 5세대 트렌치 지원 플래너 기술을 라이선스해 고전압 및 초고전압 SiC 시장에 진출한다.

라이선스 대상에는 1,200V, 2,300V, 3,300V 및 그 이상의 전압을 지원하는 GeneSiC 기술이 포함된다. 매그나칩은 나비타스의 검증된 SiC 소자 플랫폼을 기반으로 차세대 전력 변환 애플리케이션을 위한 제품 역량을 강화할 계획이다.

또한 매그나칩은 나비타스가 구축한 SiC 공급망과 소재 생태계를 활용해 시장 진입을 앞당길 방침이다. 이와 함께 해당 기술을 매그나칩의 국내 팹으로 이관하고 검증 및 내재화하는 작업도 추진할 계획이다.

양사는 이러한 협력 방식이 나비타스의 기존 기술 및 소재 기반과의 연속성을 유지하면서 매그나칩의 SiC 시장 진입을 가속하는 데 기여할 것으로 기대하고 있다.

이번에 도입되는 기술은 에너지 및 그리드 인프라, 에너지 저장장치, 산업 전동화, 자동차를 비롯한 국내 다양한 고전력 시스템을 지원할 것으로 기대된다.

양사는 이번 계약이 SiC를 넘어 보다 폭넓은 협력을 포함한다고 밝혔다. 추가 협력 분야에 대해서는 향후 구체적인 내용을 발표할 예정이다.

크리스 알렉산드르 나비타스 대표이사 겸 CEO는 “매그나칩과의 전략적 파트너십은 고전압 및 초고전압 전력 시장에서 GeneSiC 기술의 적용을 확대하려는 나비타스의 장기 비전을 반영한다”며 “검증된 GeneSiC 기술을 라이선스하고 공급망 및 소재 생태계를 통해 매그나칩을 지원함으로써 첨단 SiC 솔루션의 시장 확대를 앞당기는 동시에 양사 간 장기적이고 긴밀한 협력 기반을 마련할 것”이라고 말했다.

Chae Lee 매그나칩 CEO는 “이번 계약은 매그나칩이 고전압 및 초고전압 SiC 시장에 진출할 수 있는 중요한 기회”라며 “GeneSiC 기술을 기존 MOSFET 및 전력반도체 포트폴리오에 추가함으로써 높은 에너지 효율과 고전압 성능, 더욱 신뢰성 높은 전력 변환 솔루션을 요구하는 고객의 수요에 대응할 수 있게 됐다”고 말했다.

나비타스 소개

나비타스 세미컨덕터는 질화갈륨 전력반도체 및 집적회로와 고전압 SiC 기술을 기반으로 AI 데이터센터, 고성능 컴퓨팅, 에너지 및 그리드 인프라, 산업 전동화 시장을 지원하는 차세대 전력반도체 기업이다. 나비타스의 GeneSiC™ 고전압 SiC 소자는 특허받은 트렌치 지원 플래너 기술을 적용해 중전압 그리드 및 인프라 애플리케이션에 필요한 전압 성능과 효율성, 신뢰성을 제공한다.

매그나칩반도체 소개

매그나칩반도체는 산업, 자동차, 통신, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션을 위한 아날로그·혼합신호 전력반도체 플랫폼 솔루션을 설계하고 제조하는 기업이다. 매그나칩의 전력 솔루션 포트폴리오는 다양한 고부가가치 전자 시스템의 전력 효율과 시스템 성능을 향상하기 위한 MOSFET 및 Power IC 기술로 구성돼 있다.

Cautionary Statement Regarding Forward-Looking Statements
This press release includes “forward-looking statements” within the meaning of Section 21E of the Securities Exchange Act of 1934, as amended. Forward-looking statements are attempts to predict or indicate future events or trends or similar statements that are not a reflection of historical fact. Forward-looking statements are not predictions of actual future performance. Actual events and circumstances are difficult or impossible to predict and may differ from assumptions and expectations. For Navitas, these and other risk factors are discussed in the Risk Factors section of its most recent annual report on Form 10-K, as updated in its most recent quarterly report on Form 10-Q, and in other documents filed with the SEC. Magnachip’s risks are discussed in its most recent annual report on Form 10-K, as updated in its most recent quarterly report on Form 10-Q, and other documents filed with the SEC. If any of these risks materialize or if assumptions underlying forward-looking statements prove incorrect, actual results could differ materially from the results implied by these forward-looking statements. Statements may be identified by the use of words such as “we expect,” “are expected to be,” “estimate,” “plan,” “project,” “forecast,” “intend,” “anticipate,” “believe,” “seek,” or other similar expressions. Forward-looking statements are made based on estimates and forecasts of financial and performance metrics, projections of market opportunity and current indications of customer interest, all of which are based on various assumptions. All such statements are based on current expectations of the management of Navitas and Magnachip

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매그나칩, 나비타스와 전략적 파트너십 체결…고전압·초고전압 SiC 시장 진출 가속 – 전자신문

– 30년 이상의 글로벌 반도체 경험을 바탕으로 전력 인프라와 AI 시대의 성장 기회 모색

매그나칩반도체는 채 리(Chae Lee)를 신임 최고경영책임자(CEO)로 선임했다고 밝혔다.

Chae Lee 신임 CEO는 전력반도체, 전력관리반도체(PMIC), 센서 및 시스템 솔루션 분야에서 30년 이상의 글로벌 반도체 산업 경험을 보유한 전문 경영인이다. 최근까지 GaN 전력반도체 기업인 Tagore Technology의 CEO를 역임했으며, 그 이전에는 InSyte Systems, NXP Semiconductors, Maxim Integrated 등 글로벌 반도체 기업에서 연구개발, 애플리케이션 엔지니어링, 영업·마케팅, 사업 운영 및 경영 전반을 이끌어 왔다.

매그나칩은 이번 신규 CEO 선임을 계기로 전력 인프라, AI 서버, 산업용 전력 및 자동차 전장 등 성장성이 높은 전력반도체 시장에서 기술 경쟁력을 한층 강화하고, 고객의 다양한 요구에 부합하는 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 계획이다.

Chae Lee 신임 CEO는 “전력반도체는 전력 인프라의 고도화와 AI 시대의 성장을 뒷받침하는 핵심 기술이며, 앞으로 그 중요성은 더욱 커질 것이다.”며 이어 “매그나칩은 오랜 기간 축적해 온 전력반도체 기술력과 한국의 우수한 연구개발 및 제조 역량을 기반으로 고객에게 차별화된 가치를 제공하겠다. 글로벌 고객에게 가장 혁신적인 전력반도체 솔루션을 제공하는 기업으로 도약해 나가겠다. ”라고 포부를 밝혔다.

매그나칩반도체는 전력반도체 전문 기업으로, MOSFET, IGBT 및 Power IC를 비롯한 다양한 전력반도체 제품을 개발·공급하고 있다. 최근에는 SiC를 포함한 차세대 전력반도체 포트폴리오를 확대하며 전력 인프라, AI 서버, 산업 및 Automotive 시장을 중심으로 고객의 요구에 부합하는 전력반도체 솔루션을 제공하고 있다.

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매그나칩, 채 리 신임 CEO 선임…전력반도체 경쟁력 강화 이끈다 – 전자신문

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– AI 서버, EV 충전기 및 산업용 전원공급장치의 고효율고전력 밀도 전원 시스템 구현 지원

– 낮은 온저항, 향상된 스위칭 특성 및 Zener Diode 적용으로 성능과 신뢰성 강화

서울, 2026년 6월 22일 – 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 카밀로 마티노, 이하 매그나칩)는 AI 서버 및 전기차 충전기(EV Charger)에 적합한 6세대 600V SJ(Super Junction) MOSFET을 출시하며 고전력·고효율 전력반도체 포트폴리오를 강화했다고 밝혔다.

이번에 새롭게 선보인 6세대 SJ MOSFET은 36mΩ 및 37mΩ의 낮은 R_DS(ON)을 구현해 전도 손실을 최소화했다. 또한 게이트와 소스 사이에 Zener Diode를 내장해 정전기 방전(ESD)으로 인한 소자 손상을 방지함으로써 제품 신뢰성을 높였다. 아울러 칩 크기를 이전 세대 대비 크게 줄여 더 높은 전력 밀도와 향상된 설계 유연성을 제공한다.

특히 MMTB60R037G6FZVRH 제품은 Fast Recovery Body Diode를 내장해 역방향 회복시간(Trr) 및 스위칭 손실을 줄일 수 있도록 설계됐다. 이를 통해 고주파 스위칭 환경에서 보다 높은 시스템 효율을 구현할 수 있으며, 전력 변환 과정에서 발생하는 에너지 손실을 줄이는데 기여한다.

이번 신제품은 TOLL 패키지를 적용해 고전력·고전류 애플리케이션의 요구사항을 충족하도록 설계됐으며, Kelvin Source 구조를 채택해 기생 인덕턴스를 줄이고 스위칭 안정성을 향상시킨다.

AI 서버와 데이터센터용 전원공급장치는 증가하는 연산 수요에 대응하기 위해 더욱 높은 전력 밀도와 에너지 효율이 요구되고 있다. 또한 EV 충전기와 산업용 전원공급장치 역시 전력 변환 효율 향상과 발열 저감이 중요한 설계 요소로 부각되고 있다. 이에 따라 낮은 전력 손실과 우수한 스위칭 특성을 갖춘 SJ MOSFET에 대한 수요가 지속적으로 증가하고 있다.

시장조사업체 Omdia에 따르면 Computing & Data Storage 분야의 전력반도체 시장은 2025년 약 37억 달러에서 2030년 약 59억 달러 규모로 성장할 것으로 전망되며, 연평균 성장률(CAGR)은 약 9%에 이를 것으로 예상된다. AI 서버를 중심으로 고밀도·고효율 전력 시스템에 대한 수요가 확대됨에 따라 SJ MOSFET을 포함한 전력반도체 수요 역시 지속적으로 증가할 것으로 전망된다.

매그나칩 우혁 CTO는 “AI 인프라 확대와 함께 고효율 전력 솔루션에 대한 시장 요구가 지속적으로 높아지고 있다”며 “이번 6세대 600V SJ MOSFET 신제품은 낮은 온저항, 우수한 스위칭 특성 및 강화된 신뢰성을 바탕으로 차세대 AI 서버 전원 시스템의 효율 향상과 전력 밀도 개선에 기여할 것”이라고 말했다.

이번 신제품은 AI 서버와 전기차 충전기를 비롯해 AI TV, AI 노트북 충전기, 산업용 전원공급장치(PSU) 등 높은 전력 효율성과 신뢰성이 요구되는 다양한 애플리케이션에 적용될 수 있다.

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Power Solutions > SJ MOSFETs > 600V

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매그나칩, Kelvin 소스 적용 650V Super Junction TOLL 패키지 제품 출시

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매그나칩은 산업, 자동차, 통신, 소비가전 및 컴퓨팅 등 다양한 분야에 사용되는 아날로그 및 혼합신호 기반의 전력 반도체 플랫폼 솔루션을 설계 및 제조하는 기업입니다. 당사는 전 세계 고객에게 다양한 범용 표준 제품을 제공합니다. 약 45년의 운영 역사를 보유한 매그나칩은 상당수의 등록 특허 및 출원 중인 특허를 보유하고 있으며, 폭넓은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 역량을 갖추고 있습니다. 자세한 정보는 www.magnachip.com을 방문해 주시기 바랍니다. 참고로, 매그나칩의 웹사이트에 포함되거나 이를 통해 접근 가능한 정보는 본 자료의 일부로 간주되지 않으며, 본 자료에 포함된 것으로 간주되지 않습니다.

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– High-efficiency, high-power-density MV MOSFET solutions for AI servers, data centers, high-performance computing (HPC) and industrial power systems

– Comprehensive power semiconductor portfolio on display, including LV MOSFETs, MV MOSFETs, SJ MOSFETs, IGBTs, SiC, and Power ICs

– PCIM Europe 2026, Nuremberg, Germany — Hall 6, Booth 337

Seoul, South Korea, May 26, 2026 — Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX, “Magnachip”), a designer and manufacturer of power semiconductor solutions, today announced that it will showcase its Medium-Voltage (MV) MOSFET portfolio for AI server and data center power systems at PCIM Europe 2026, which will be held from June 9 to 11, 2026, in Nuremberg, Germany.

At Hall 6, Booth 337, Magnachip will exhibit its MV MOSFET solutions for server and data center power supply units (PSUs), high-performance computing (HPC), and industrial power systems.

As AI workloads continue to expand and data center power consumption rises, power efficiency, power density, and thermal management have become increasingly important in server and data center power system design. According to market research firm Omdia, the global power discrete semiconductor market for Computing and Data Storage applications is expected to grow from approximately $2.3 billion in 2025 to $3.0 billion in 2029, representing a compound annual growth rate (CAGR) of approximately 7.4%.

At the exhibition, Magnachip will highlight its MV MOSFET portfolio designed to support high-efficiency and high-density power architectures for AI servers and data centers.

MV MOSFET Solutions for AI Servers and Data Centers

Magnachip’s MV MOSFET product family is designed for a broad range of applications including synchronous rectification stages in server and high-performance computing power supply systems, industrial power systems, and solar inverter applications. Based on advanced Shielded-Gate Trench (SGT) technology, the portfolio is designed to support improved current density and switching performance while addressing the requirements of high-temperature and high-density power designs.

“As power demand in AI servers and data centers continues to increase, customers are seeking semiconductor solutions that can support higher power efficiency and power density. Magnachip plans to continue expanding its MV MOSFET portfolio and strengthening its power semiconductor solutions for AI servers, data center power systems, and industrial applications.”

— Hyuk Woo, Chief Technology Officer, Magnachip Semiconductor

Broader Power Semiconductor Portfolio

In addition to its MV MOSFET solutions, Magnachip will also showcase its broader power semiconductor portfolio spanning LV MOSFETs, MV MOSFETs, Super Junction MOSFETs, IGBTs, SiC, and Power ICs. These products support a broad range of automotive and industrial applications, including:

∙ EV & Automotive — traction inverters, onboard chargers (OBC), and DC-DC converters

∙ Industrial — solar, ESS, motor control, and industrial automation

PCIM Europe 2026 Exhibition Information

Magnachip will participate in PCIM Europe 2026 (Hall 6, Booth 337) in Nuremberg, Germany, where it will showcase its MV MOSFET portfolio for AI servers and data centers, along with its broader power semiconductor solutions portfolio.

∙ Location: Hall 6, Booth 337 — Nuremberg, Germany

∙ Date: June 9–11, 2026

∙ See Floorplan: PCIM – Magnachip

∙ Meeting Request: kyeongah.cho@magnachip.com

∙ More Information: Magnachip at PCIM Europe 2026

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Magnachip to Showcase MV MOSFET Portfolio for AI Servers and Data Centers Alongside Its Broader Power Semiconductor Portfolio at PCIM Europe 2026

– R_{SS(on) Typ}. 1mΩ 이하 — 배터리 보호 회로용 저온저항 성능 구현

– 이전 세대 대비 단위면적당 비저항(Rsp) 48% 절감, 전류밀도 185% 향상

– 차세대 고성능 스마트폰용 초고속 충전고효율 배터리 보호 회로 시장 요구 대응

서울, 2026년 4월 — 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 카밀로 마티노, 이하 ‘매그나칩’)(NYSE: MX)는 고성능 스마트폰 배터리 보호 회로에 적용 가능한 8세대 Ultra Low-Ron 12V 저전압(LV) MOSFET 신제품 2종을 출시했다고 밝혔다. 이번 신제품은 초고속 충전과 에너지 효율이 중요해지는 차세대 스마트폰 시장을 겨냥하여 개발되었으며, 모바일 배터리 보호 회로용 FET 시장에서의 경쟁력 강화를 위한 라인업 확대의 일환이다. 한 제품은 현재 주요 글로벌 스마트폰 제조사에 공급 중이며, 이미 시장에서 성능과 신뢰성이 검증되고 있다.

AI 기능 내장 및 고사양 애플리케이션 증가에 따라 스마트폰의 연산 부하가 높아지면서, 전력 효율과 충전 성능은 제품 경쟁력의 주요 요소로 자리잡고 있다. 이에 따라 배터리 보호 회로(PCM)에 적용되는 MOSFET에는 낮은 온저항, 높은 전류밀도, 그리고 제한된 공간에서의 효율적인 설계가 요구된다. 또한 폴더블·롤러블 등 혁신 폼팩터 확산으로 회로 설계 공간은 제한되면서, 동일 면적에서 성능을 높이고 부품 수를 줄이는 것이 중요한 과제로 떠오르고 있다.

이번 신제품은 스마트폰 배터리 보호 회로 내 메인 스위치 소자로 적용되며, 과충전·과방전 보호 및 충방전 전류 제어 기능을 수행한다. 또한 두 가지 주요 이점을 제공한다.
첫째, 동일 패키지 내 온저항을 낮춰 발열을 현저히 줄인다. MDWC12D013PERH 제품의 경우 당사 7세대 동일 사이즈 제품 대비 온저항(R_ss(on)) 값을 50% 이상 개선했으며, 동일 조건 평가 시 최대 10℃ 수준의 발열 저감 효과를 기대할 수 있다. 이처럼 낮아진 발열은 스마트폰 본체의 배터리 수명 연장과 충전 안정성 향상으로 이어진다.
둘째, 향상된 전류밀도와 Pin-to-Pin 호환성을 통해 기존 회로를 교체·통합할 수 있어 보호 회로 기판의 실장 면적을 절감하고 FET 사용 개수를 줄임으로써 생산 원가를 낮출 수 있다. 이는 제조사가 확보된 공간을 배터리 용량 확대나 기기 슬림화 등 차별화된 설계에 재활용할 수 있다는 것을 의미한다.

이번 제품에는 8세대 기술을 적용해 이전 세대 제품 대비 단위면적당 Rsp를 약 48% 낮추고 전류밀도를 약 185% 향상시켰다. 이를 기반으로 R_{SS(on) Typ.} 1mΩ 이하의 성능을 구현했다.

시장조사업체 옴디아에 따르면 생성형 AI는 기술 시장의 핵심 트렌드로 자리잡고 있으며, 소비자(디지털) 시장을 중심으로 빠르게 확산되고 있다. 해당 시장은 2022년 약 77억 달러에서 2028년 약 304억 달러 규모로 성장할 전망이며, 스마트폰이 주요 적용 비중을 차지할 것으로 예상된다.

매그나칩은 이러한 시장 변화에 대응해 연내 22V Ultra Low-Ron 제품도 선보일 계획이며, 이를 통해 고성능 모바일 기기용 LV MOSFET 포트폴리오를 지속적으로 확대해 나갈 예정이다.

매그나칩 우혁 CTO는 “스마트폰 배터리 보호 회로 설계에서 중요한 과제는 제한된 공간 내에서 낮은 온저항과 발열 특성을 동시에 확보하는 것”이라며 “이번 8세대 Ultra Low-Ron 12V LV MOSFET은 이러한 요구를 충족하기 위한 솔루션으로, 효율과 신뢰성 향상을 통해 해당 어플리케이션에서 경쟁력 있는 기술 가치를 제공할 것으로 기대된다. 매그나칩은 전력반도체 설계 및 양산 역량을 기반으로 모바일을 포함한 다양한 애플리케이션에서 제품 경쟁력을 지속적으로 강화해 나갈 것이다.” 고 말했다.

매그나칩은 오는 6월 9일부터 11일까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 PCIM Europe 2026(Hall 6, Booth 337)에 참가해 이번 신제품을 포함한 전력반도체솔루션을 선보일 예정이다.

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파워솔루션 > MXT MOSFETs > 12V

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매그나칩, 스마트폰 배터리 전력 효율 향상 위한 8세대 Ultra Low-Ron 12V LV MOSFET 신제품 출시 – 전자신문

– Advanced SGT 기술로 전류 밀도스위칭 속도 동시 개선

-고온 신뢰성과 에너지 효율요구가 높은 차세대 전원공급장치 시장 대응

서울, 2026년 3월 – 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 카밀로 마티노, 이하 ‘매그나칩’)(NYSE:MX)는 서버 및 고성능 PC 전원공급장치에 적용 가능한 8세대 40V·60V 중전압(MV) MOSFET 신제품을 출시했다고 밝혔다.

글로벌 서버와 데이터센터 시장의 전력 수요가 지속적으로 증가하면서 전원 효율과 전력밀도는 서버 및 데이터센터용 전력반도체 솔루션의 핵심 경쟁 요소로 부상하고 있다. 매그나칩은 이번 신제품을 통해 성장세가 두드러진 서버 및 고성능 컴퓨팅(High-Performance Computing) 전원공급장치 시장에서 고객의 효율·신뢰성 요구를 동시에 충족할 수 있는 솔루션을 확대하며, 고부가가치 전력 솔루션 사업의 경쟁력을 강화하고 있다.

이번 8세대 MV MOSFET은 서버 및 PC 전원 시스템의 동기정류(SR: Synchronous Rectification) 단계에 사용되도록 설계되었다. Advanced SGT(Shielded Gate Trench) 기술을 적용해 40V 제품은 기존 제품 대비 전류 밀도를 최대 40%, 스위칭 속도를 약 25% 개선했으며, 60V 제품은 전류 밀도를 50%, 스위칭 속도를 60%까지 향상시켰다. 또한 고속 역병렬 다이오드 기술[1]을 적용해 스위칭 시 발생하는 잔류 전류를 빠르게 제거함으로써 시스템 운영의 안정성을 강화했다.

이 제품은 최대 175°C의 넓은 동작 온도 범위를 지원해 고온 환경에서도 안정적인 성능을 유지하며, 컴팩트한 PDFN56 패키지를 채택해 고집적 및 소형 전원 설계를 가능하게 한다. JEDEC 표준을 충족하는 설계를 통해 서버 및 고성능 PC 전원공급장치뿐 아니라, 고효율과 신뢰성이 요구되는 태양광 인버터 및 산업용 전력 시스템에도 적용할 수 있다.

매그나칩은 2025년 5월에 0.7mΩ급 40V 제품을 출시한 데 이어, 이번에 0.8mΩ급 40V, 1.0mΩ급 40V, 1.05mΩ급 60V 총 3개 제품을 추가 출시하며 다양한 전압 및 R_DS(on)옵션을 갖춘 8세대 MV MOSFET 포트폴리오를 한층 강화했다. 시장조사업체 옴디아(Omdia)에 따르면 글로벌 서버 및 데이터센터 전원공급장치 시장 (Computing and data storage)은 2025년 약 23억 달러에서 2029년 약 30억 달러 규모로 성장하며, 연평균 성장률(CAGR) 7.4%를 기록할 것으로 전망된다. 매그나칩은 이번 제품 라인업 확장을 통해 빠르게 성장하는 전력반도체 시장에서 기술 경쟁력과 시장 점유율을 지속적으로 강화해 나갈 방침이다.

매그나칩 우혁 CTO는 “이번 신제품은 서버 및 고성능 PC 전원 시스템의 효율 개선과 신뢰성을 동시에 높이는 솔루션이 될 것”이라며 “매그나칩은 축적된 전력반도체 설계 노하우와 검증된 생산 역량을 바탕으로 서버, PC 및 산업용 애플리케이션 전반에 걸쳐 고부가가치 전력 솔루션을 지속적으로 선보이겠다”고 말했다.

매그나칩은 오는 6월 9일부터 11일까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 PCIM Europe 2026(Hall 6, Booth 337)에 참가해 고효율·고밀도 전력 시스템을 위한 최신 MV MOSFET 솔루션을 선보일 예정이다.

[1] 스위칭 시 발생하는 잔류 전류를 빠르게 방전해 손실과 노이즈를 줄이는 보호 회로 구조

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매그나칩, 서버 및 고성능 PC 전력 효율 향상을 위한 8세대 40V·60V MV MOSFET 신제품 출시 – 전자신문

AI 데이터센터, 자동차, 산업용 전력 시스템 등 다양한 분야에서 전력 효율과 시스템 안정성에 대한 요구가 빠르게 높아지고 있습니다.

PCIM Europe 2026에서도 이러한 변화는 주요 화두였습니다.

매그나칩은 이번 전시에서 고효율 전력 변환을 지원하는 전력 반도체 솔루션을 소개하며, 고객 및 파트너들과 다양한 적용 분야에 대한 의견을 나누었습니다. 매그나칩은 앞으로도 고효율·고신뢰성 전력 솔루션을 통해 더 나은 전력 시스템 구현에 기여하겠습니다.

PCIM Europe 2026에서 매그나칩 부스를 방문해 주신 모든 고객 및 파트너 여러분께 감사드립니다.

2027년에 다시 만나 뵙기를 기대합니다.

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– 슈퍼 쇼트 채널 FET 기술 기반으로 칩 크기 26% 축소 및 Rss(on) 31% 개선

– 다양한 모바일 기기용 배터리 보호 솔루션 본격 확대

매그나칩반도체 유한회사(대표이사 카밀로 마티노, 이하 ‘매그나칩’)(NYSE: MX)는 차세대 모바일 기기인 트라이폴드폰(Tri-fold Phone, 3단 접이식) 배터리 보호 회로용 ‘24V MXT LV MOSFET[1] 신제품을 출시하며 프리미엄 폴더블 모바일 시장 공략을 강화한다고 밝혔다. 이 제품은 현재 주요 글로벌 스마트폰 제조사에 공급되고 있으며, 이미 시장에서 검증된 성능과 신뢰성을 확보하고 있다.

매그나칩은 이번 신제품인 24V Dual N-channel MOSFET(제품명: MDWC24D058ERH)에 자체 개발한 슈퍼 쇼트 채널 FET(SSCFET)[2] 기술을 적용해, 이전 세대 제품 대비 칩 크기를 약 26% 축소했다. 이를 통해 배터리 보호 회로(PCM) 실장 보드 면적을 기존 대비 20% 이상 절감할 수 있어, 제조사는 확보된 공간을 배터리 용량 확대나 기기 슬림화 등 차별화된 설계에 활용할 수 있다.

이 제품은 트라이폴드폰뿐만 아니라 웨어러블 기기, 태블릿 등 기타 모바일 기기에 적용되고 있으며, 전력 손실의 주요 원인인 온저항(R_SS(on))을 약 31% 개선해 발열을 효과적으로 줄였다. 또한 SSCFET 기술을 적용하여 일반 트렌치(Trench) 공정 대비 단위 면적당 전류 밀도를 약 48% 향상시켜, 고전류 환경에서도 안정적인 전압 제어 성능을 제공한다. 아울러 2kV 이상의 정전기 방전(ESD) 보호 성능을 내장해 외부 충격으로부터 배터리 시스템을 안전하게 보호한다.

시장조사업체 옴디아(Omdia)에 따르면, 스마트폰 배터리FET이 포함된 40V 이하 실리콘 파워 MOSFET 시장은 2025년 약 42억 달러에서 2029년 약 52억 달러로 성장해, 연평균 약 4.6%의 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망된다. 특히 트라이폴드폰을 포함한 프리미엄 스마트폰 시장은 고성능·고효율 부품 수요를 중심으로 성장을 주도할 것으로 기대된다.

트라이폴드폰은 디스플레이를 두 번 접는 신규 폼팩터로, 세 개의 디스플레이를 구동하고 고성능 멀티태스킹을 구현하는 만큼 내부 구조가 복잡하며 전력 효율성과 안정성이 중요한 요소로 작용한다. 이에 따라 고집적·고효율 사양에 부합하는 MOSFET 제품 수요가 요구되고 있다.

매그나칩 우혁 CTO는 “트라이폴드폰은 기술 난이도와 부품 완성도가 높은 하이엔드 모바일 기기로, 이번 MOSFET 신제품 공급을 통해 매그나칩의 전력 반도체 설계 역량과 기술 경쟁력이 다시 한번 입증됐다”며, “앞으로도 지속적인 기술 혁신을 통해 스마트폰은 물론 웨어러블 기기, 태블릿 등 다양한 모바일 애플리케이션에 적용되는 전력 반도체 포트폴리오를 확대해 나갈 계획”이라고 말했다.

[1] MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): 매그나칩의 30V 이하 트렌치 공정 기반 MOSFET 제품군

[2] 슈퍼 쇼트 채널 (SSCFET^®: Super-Short Channel FET): 전류 흐름 경로를 짧게 설계해 전력손실을 줄이고 효율을 높인 매그나칩의 최신 MOSFET 설계 기술

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매그나칩, 트라이폴드폰 배터리 보호 회로용 24V BatteryFET 신제품 공개 – 전자신문

– Advanced Field Stop Trench 적용, 이전 세대 대비 셀 간격 40% 축소

– 전류 밀도RBSOA(역 바이어스 안전 동작 영역) 향상으로 제품 신뢰성·확장성 강화

– 다양한 용량 라인업으로 시장 점유율 확대 가속

서울 2026년 1월 20일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 카밀로 마티노, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 태양광 인버터와 산업용 에너지저장장치(ESS)에 적합한 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor) 신제품 시리즈를 출시하며, 고효율 전력반도체 시장 공략을 강화한다고 밝혔다.

이번에 선보인 650V 및 1200V ‘신세대 디스크리트(Discrete) IGBT’ 제품은 태양광 인버터와 에너지저장장치(ESS)에 적용할 수 있도록 설계되었다. 이전 세대 대비 셀(Cell) 간격을 줄여 전류 용량을 대폭 높였고, 역 바이어스 안전 동작 영역(RBSOA)이 향상되어 고전압·고전류의 가혹한 구동 환경에서도 뛰어난 안정성을 보장한다. 또한 표준 TO-247 패키지와 고용량 대응이 가능한 TO-247 Plus 패키지 두 가지 옵션으로 제공되어 고객의 다양한 설계 요구를 충족하며 폭넓은 애플리케이션에 적용할 수 있다.

시장조사업체 옴디아에 따르면 글로벌 태양광 인버터·에너지저장장치(ESS) 시장은 2024년 약 14억 달러 규모에서 2029년 약 27억 달러로 성장할 전망이며, 연평균 성장률은 약 10.6%로 예상된다. 전 세계적인 탄소 중립 정책 확대에 따라 태양광 발전 설비가 빠르게 증가하면서, 인버터 시장에서 에너지 효율과 고출력 밀도가 핵심 경쟁력으로 부상했다.

매그나칩은 이미 주요 국내외 태양광 인버터 제조사에 IGBT 제품을 공급하며 품질과 기술력을 인정받고 있다. 이번 신제품 출시로 저용량부터 고용량까지 포괄하는 폭넓은 포트폴리오를 구축하게 되었으며, 주거용 인버터부터 150kW급 산업용 인버터에 적합한 제품 구성을 강화하여 고객은 사용 환경에 맞는 제품을 선택할 수 있다.

신규 IGBT에는 Advanced Field Stop Trench 기술이 적용되어 이전 세대 대비 설계 및 공정 미세화를 통해 성능이 향상되었다. 특히 셀(Cell) 간격을 약 40% 줄임으로써 동일 면적 내 전류 용량을 크게 높였고, 반도체의 안전 동작 영역인 역 바이어스 안전 동작 영역(RBSOA: Reverse Bias Safe Operating Area)이 30% 이상 향상되어 고전압·고전류 환경에서도 뛰어난 안정성을 확보했다. 이를 통해 다양한 전력 애플리케이션으로의 확장이 가능해졌다.

매그나칩은 2026년 상반기까지 제품 라인업을 더욱 확장해 650V 150A급 ‘High Current’ 시리즈와 750V 전압 라인업을 선보일 예정이며, 스위칭 효율을 높이는 켈빈 핀(Kelvin Pin) 구조의 ‘TO-247-4Lead’ 패키지도 추가 출시할 계획이다. 이를 통해 고용량화, 고효율화 되는 태양광 및 ESS 시장 고객에게 한층 폭넓은 설계 옵션을 제공할 수 있게 되었다.

매그나칩 우혁 CTO는 “이번에 출시된 최신 IGBT는 미세 공정 기술을 기반으로 효율과 안정성을 동시에 강화한 제품”이라며 “이미 태양광 시장에서 검증된 기술력과 생산 역량을 바탕으로, 다변화된 라인업으로 고객의 요구에 적합한 솔루션을 지속적으로 확장해 나갈 것”이라고 밝혔다.

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(mobile) 삼성 인터넷 : 모바일 브라우저 설정 > 인터넷 사용 기록 > 인터넷 사용 기록 삭제

9. 개인정보의 안전성 확보조치

회사는 개인정보의 안전성 확보를 위해 다음과 같은 조치를 취하고 있습니다.

관리적 조치 : 개인정보보호 내부관리 지침 수립·시행, 개인정보보호 조직 운영, 정기적 직원(개인정보취급자) 교육
기술적 조치 : 개인정보처리시스템 등의 접근권한 관리, 접근통제, 보안프로그램 설치, 개인정보처리시스템의 취약점 점검 및 보완
물리적 조치 : 보호구역 접근통제, 보조저장매체 반출입 통제

10. 개인정보 보호책임자

① 회사는 개인정보 처리에 관한 업무를 총괄해서 책임지고, 개인정보 처리와 관련한 정보주체의 불만처리 및 피해구제 등을 위하여 아래와 같이 개인정보 보호책임자를 지정하고 있습니다.

개인정보 보호책임자
IT그룹 김용표 상무
개인정보 보호 담당부서
정보보안팀 (02-6903-3206)
E-Mail : IT_security@magnachip.com

② 정보주체는 회사의 서비스(또는 사업)을 이용하시면서 발생한 모든 개인정보보호 관련 문의, 불만처리, 피해구제 등에 관한 사항을 개인정보 보호책임자 및 담당부서로 문의할 수 있습니다. 회사는 정보주체의 문의에 대해 지체없이 답변 및 처리해드릴 것입니다.

11. 권익침해 구제방법

① 정보주체는 개인정보침해로 인한 구제를 받기 위하여 개인정보분쟁조정위원회, 한국인터넷진흥원 개인정보침해신고센터 등에 분쟁해결이나 상담 등을 신청할 수 있습니다. 이 밖에 기타 개인정보침해의 신고, 상담에 대하여는 아래의 기관에 문의하시기 바랍니다.

개인정보분쟁조정위원회 : (국번없이) 1833-6972 (www.kopico.go.kr)
개인정보침해신고센터 : (국번없이) 118 (privacy.kisa.or.kr)
대검찰청 : (국번없이) 1301 (www.spo.go.kr)
경찰청 : (국번없이) 182 (ecrm.cyber.go.kr)

② 「개인정보 보호법」 제35조(개인정보의 열람), 제36조(개인정보의 정정·삭제), 제37조(개인정보의 처리정지 등)의 규정에 의한 요구에 대 하여 공공기관의 장이 행한 처분 또는 부작위로 인하여 권리 또는 이익의 침해를 받은 자는 행정심판법이 정하는 바에 따라 행정심판을 청구할 수 있습니다.

중앙행정심판위원회 : (국번없이) 110 (www.simpan.go.kr)

12. 고정형 영상정보처리기기 운영∙관리

회사는 고정형 영상정보처리기기 운영･관리 방침을 통해 회사에서 처리하는 영상정보가 어떠한 용도와 방식으로 이용･관리되고 있는지 알려드립니다.

① 고정형 영상정보처리기기의 설치 근거 및 설치 목적

회사는 「개인정보 보호법」 제25조제1항에 따라 다음과 같은 목적으로 고정형 영상정보처리기기를 설치･운영 합니다.

시설안전 및 관리, 화재 예방
고객의 안전을 위한 범죄 예방
차량도난 및 파손방지

※ 주차대수 30대를 초과하는 규모의 경우 「주차장법 시행규칙」 제6조제1항을 근거로 설치･운영 가능

② 설치 대수, 설치 위치 및 촬영범위

사업장	설치 대수	설치 위치/촬영 범위
청주	12대	사업장 전체
서울	16대	사업장 전체
구미	314대	사업장 전체

③ 관리책임자 및 접근권한자

정보주체의 개인영상정보를 보호하고 개인영상정보와 관련한 불만을 처리하기 위하여 아래와 같이 개인영상정보 관리책임자 및 접근권한자를 두고 있습니다.

관리책임자

사업장	부서	직책	연락처
청주, 서울	정보보안팀	팀장	02-6903-3207
구미	환경안전팀	팀장	054-470-1610

접근권한자

사업장	부서	직책	연락처
청주	정보보안팀	팀원	02-6903-3209
	총무팀	팀원	043-717-7854
	보안 요원 (파워에스텍)	소장, 팀원	043-717-7852
서울	정보보안팀	팀원	02-6903-3209
	총무팀	팀원	043-717-7854
	보안 요원 (파워에스택)	반장, 팀원	02-6903-3233
구미	환경안전팀	반장, 팀원	054-470-1849

④ 개인영상정보의 촬영시간, 보관기간, 보관장소 및 처리방법

촬영시간 : 24시간
보관기간 : 촬영일로부터 1개월(서울,청주), 3개월(구미)
보관장소 : (청주) R&D 데이터센터 , (서울) IT장비룸 , (구미) CMS
처리방법 : 개인영상정보의 목적 외 이용, 제3자 제공, 파기, 열람 등 요구에 관한 사항을 기록･관리하고, 보관기간 만료 시 복원이 불가능한 방법으로 영구 삭제(출력물의 경우 파쇄 또는 소각)

⑤ 고정형 영상정보처리기기 설치 및 관리 등의 위탁에 관한 사항

회사는 아래와 같이 고정형 영상정보처리기기 설치 및 관리 등을 위탁하고 있으며, 관계 법령에 따라 위탁계약 시 개인정보가 안전하게 관리될 수 있도록 필요한 사항을 규정하고 있습니다.

청주 사업장 : 파워에스택 (043-717-7852)
서울 사업장 : 파워에스택 (02-6903-3233)

⑥ 개인영상정보의 확인 방법 및 장소에 관한 사항

3번에서 안내드린 개인영상정보 관리책임자에게 미리 연락하고 본 기관을 방문하시면 확인 가능합니다.

⑦ 정보주체의 개인영상정보 열람 등 요구에 대한 조치

정보주체가 촬영된 개인영상정보에 한정하여, 개인영상정보에 관하여 열람 또는 존재 확인･삭제를 요구한 경우 지체 없이 필요한 조치를 하겠습니다.

⑧ 개인영상정보의 안전성 확보조치

회사는 개인영상정보 보호를 위해 개인영상정보에 대해 접근 권한 차등 부여, 웹 뷰어 열람 시 암호 설정을 하고 있고, 개인영상정보의 안전한 물리적 보관을 위하여 잠금장치가 설치된 장소에 보관 있습니다.

13. 개인정보 처리방침 개정 이력

① 2026.02.03. 개정

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