作者： 매그나칩

– 基于Super-Short Channel FET技术，实现芯片尺寸缩小约26%，导通电阻Rss(on)性能提升约31%

– 拓展电池保护解决方案，覆盖更广泛的移动终端应用

韩国首尔 —— 美格纳半导体（NYSE: MX，“美格纳”）今日宣布，推出全新第七代24V MXT LV MOSFET，专为下一代三折叠智能手机电池保护电路设计，进一步巩固公司在高端折叠智能手机市场的地位。该产品已实现量产，目前正向全球主要智能手机厂商供货，并已通过性能与可靠性验证。

此次推出的24V双N沟道MOSFET（型号：MDWC24D058ERH）采用美格纳自主研发的Super-Short Channel FET（SSCFET®）技术。与上一代产品相比，芯片尺寸缩小约26%。该技术可帮助客户将电池保护电路模块（PCM）板面积减少超过20%，节省的空间可用于提升电池容量或实现更纤薄的终端设计。

三折叠智能手机采用双折结构设计，可同时支持三块屏幕运行，实现高性能多任务处理。随着内部结构日益复杂，电源效率与可靠性在终端设计中变得尤为关键。因此，这类设备对高集成度、高效率的MOSFET解决方案提出更高要求，以确保复杂系统架构下的电源稳定运行。

除三折叠智能手机外，该产品亦适用于可穿戴设备、平板电脑等多种移动终端应用。产品将功率损耗的重要因数——Rss(on)——最高降低约31%，有效减少发热。同时，相较传统沟槽工艺，其单位面积电流密度提升约48%，在高电流条件下可实现更稳定的电压控制。此外，该产品集成超过2kV的静电放电（ESD）防护能力，有效提升电池系统对外部干扰的防护性能。

根据市场研究机构Omdia数据显示，包括智能手机BatteryFET在内的40V以下硅基功率MOSFET市场规模预计将从2025年的约42亿美元增长至2029年的约52亿美元，复合年增长率约为4.6%。其中，高端智能手机市场（包括三折叠机型）将成为主要增长驱动力，受益于对高性能与高效率元器件需求的持续提升。

美格纳首席技术官Hyuk Woo表示：“三折叠智能手机代表高端移动终端的发展方向，对技术水平与元器件可靠性提出更高要求。通过此次新产品的成功量产供货，我们再次展现了美格纳在功率半导体设计领域的技术实力与竞争优势。未来，公司将持续推进技术创新，不断拓展面向智能手机、可穿戴设备及平板电脑等移动应用领域的功率半导体产品组合。”美格纳的新款

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关于美格纳半导体

美格纳是一家致力于模拟及混合信号电源半导体平台解决方案的设计与制造企业，产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子和计算等多个领域。公司向全球客户提供多样化的标准产品。美格纳拥有逾45年的运营历史，持有大量已注册专利及申请中专利，具备深厚的工程、设计与制造工艺专业实力。如需了解更多信息，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息并非本新闻稿的一部分，亦不构成本新闻稿的内容。

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–  美格纳将凭借与现代摩比斯公司十年合作积累的汽车 IGBT 技术经验实现业务拓展

韩国首尔 – Magnachip Semiconductor Corporation（NYSE：MX）（以下简称“美格纳”或“公司”）当日宣布，公司已与现代摩比斯有限公司（以下简称“摩比斯”）就高性能绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术使用达成协议，并计划基于该技术拓展业务。现代摩比斯是一家全球汽车零部件供应商，专注于提供软硬件结合的差异化移动解决方案。

IGBT 作为功率半导体，广泛应用于需要同时承受高电压与高电流的大功率系统。根据市调机构 OMDIA 的数据估测，2024 年全球 IGBT 市场规模已突破 110 亿美元，预计将从 2025 年的 123 亿美元增长至 2028 年的 169 亿美元。

面向混合动力汽车和电动汽车牵引逆变器的 IGBT 正迎来市场快速增长期。由于 IGBT 的能效与可靠性对逆变器的性能有着显著影响，目前仅有少数功率半导体行业市场领军企业具备稳定量产当前市场主流高压高电流产品的能力。

基于对牵引系统核心功率半导体技术自主化重要性的共识，摩比斯与美格纳自 2015 年起就牵引逆变器 IGBT 开发进行合作。在这种合作关系下，摩比斯主导结构设计，美格纳则主要贡献其在半导体工艺技术领域的专长。经过系统级评估与验证，双方近期成功开发出符合电动汽车严苛要求的新型 IGBT 产品。摩比斯目前计划于 2026 年启动搭载该 IGBT 的逆变器量产。

此外，美格纳正利用共同开发的设计技术推动自主 IGBT 产品的进一步开发与商业化进程。作为战略举措之一，公司计划明年上半年推出新的工业级 IGBT 系列产品。此举旨在强化技术竞争力，巩固其在全球功率半导体市场的地位，重点聚焦工业、AI 及可再生能源市场领域。

“此次战略合作是提升我们 IGBT 技术能力的重要里程碑，”美格纳首席执行官 Camillo Martino 说。“新开发的第七代 IGBT 产品系列显著增强了我们的产品组合，使我们在高性能高端市场更具竞争力。美格纳正积极布局工业、AI 及可再生能源等高价值应用领域，预计这些领域在未来几年将成为公司产品结构的重要组成部分。”

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– 新封装产品阵容面向高端消费电子和高功率/高电流市场

– 计划针对 AI 数据中心推出更多 SJ MOSFET TOLL 系列产品

首尔，2025 年 10 月 29 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（NYSE：MX，以下简称“美格纳”）当日宣布，公司发布了两款新的 650V 超结 MOSFET (SJ MOSFET) 产品，这两款产品采用无引线 TO (TOLL) 封装，专为满足高端电视、游戏显示器、AI 笔记本适配器及充电器等高端消费电子产品对高功率、高电流的需求而设计。

目前美格纳 TOLL 封装产品（如 80V – 200V 极限沟槽 MOSFET）均采用 非开尔文配置。新型 650V SJ MOSFET 采用 开尔文配置，可最大程度降低寄生电感对栅源回路的影响，通过减少栅极振荡（振铃）现象提升开关稳定性与整体电源效率。

相较传统的 D²PAK 封装， TOLL 封装的电流承载能力提升超 100%，占用面积减少 24%，高度降低 48%。因此， TOLL 封装适用于对电源效率与散热性能具有较高要求的小型 PCB 及高功率密度应用场景。

美格纳首席技术官 禹赫 表示：“我们的新款 650V SJ MOSFET TOLL 产品旨在满足超薄应用对 PCB 空间节省与高性能的双重需求。美格纳将于近期持续扩展 650V TOLL 封装产品阵容，以支持 AI 数据中心及下一代高功率应用需求。”

美格纳新款 TOLL 封装 650V SJ MOSFET

*R_DS(on)：MOSFET 导通时漏极与源极之间的测量电阻

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