– 采用先进场截止沟槽技术
– 较前代产品单元间距缩小 40%
– 通过提升电流密度与增强反向偏置安全工作区 (RBSOA) 实现更优产品扩展性
– 凭借多样化容量产品阵容加速市场拓展
韩国首尔 – Magnachip Semiconductor Corporation（NYSE：MX，以下简称“美格纳”）当日宣布，公司推出了专为太阳能逆变器和工业储能系统 (ESS) 设计的新系列绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 产品，进一步巩固其在高效功率半导体市场的地位。
全新推出的 650V 与 1200V 新一代分立型 IGBT 产品专为太阳能逆变器及工业储能系统应用而设计。通过将单元（元胞）间距较前代产品显著缩小，美格纳实现了电流承载能力的实质性提升。此外，改进的反向偏置安全工作区 (RBSOA) 有助于确保器件在严苛的高压大电流条件下保持稳定可靠的性能。该系列产品同时提供标准 TO-247 封装与大容量 TO-247 Plus 封装选项，为客户在广泛的应用场景中提供设计灵活性。
根据市调机构 Omdia 的数据估测，全球太阳能逆变器及储能系统市场规模预计将从 2024 年的约 14 亿美元增长至 2029 年的约 27 亿美元，年复合增长率约为 10.6%。随着全球碳中和倡议的加速推进，能源效率与高功率密度已成为逆变器设计的关键性能指标。
美格纳已向国内外主要太阳能逆变器制造商供应 IGBT 产品，其卓越的产品质量与先进技术已获得市场广泛认可。随着新产品的推出，公司正将其产品组合扩展至更广泛的容量范围 – 从住宅（家用）逆变器到功率高达 150 kW 的工业（工商业）系统 – 使客户能够根据其运行环境选择合适的产品。
新一代 IGBT 产品采用先进场截止沟槽技术，较前代产品具有增强的结构设计与优化的工艺技术。具体而言，其单元间距较前代产品缩小约 40%，在同等芯片面积内显著提升了电流承载能力。此外，界定半导体安全工作边界的反向偏置安全工作区 (RBSOA) 性能提升超 30%，确保器件在高压大电流工况下具备更强的稳定性。这使得其适用于更广泛的功率应用场景。
美格纳计划于 2026 年上半年进一步扩展产品阵容，推出额定电流达 650V/150A 的大电流系列及新型 750V 产品。公司还计划新增采用开尔文引脚封装的“TO-247-4Lead”封装型号，通过优化开关效率进一步强化其 IGBT 产品阵容。这将使美格纳能够为太阳能和储能系统市场的客户提供更广泛的设计选项，这些市场正朝着更高容量和更高效率的方向发展。
“新一代 IGBT 系列通过优化的工艺技术，有效提升了能效与可靠性。”美格纳首席技术官 Hyuk Woo 表示。“基于我们经过市场验证的技术和生产能力，我们将持续扩展解决方案阵容，以更好地满足多样化的客户需求。”
相关链接
电源解决方案 > Discrete IGBTs > 650V
电源解决方案 > Discrete IGBTs > 1200V
相关文章
美格纳推出两款新型第六代 650V IGBT， 以扩展其太阳能电源产品阵容
关于美格纳半导体
美格纳是一家致力于模拟及混合信号电源半导体平台解决方案的设计与制造企业，产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子和计算等多个领域。公司向全球客户提供多样化的标准产品。美格纳拥有逾 45 年的运营历史，持有和申请中的专利总数约达 1,000 项，具备深厚的工程、设计与制造工艺专业实力。如需了解更多信息，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息并非本新闻稿的一部分，亦不构成本新闻稿的内容。
联系方式：
| Mike Bishop
美国（投资者关系部） Bishop IR, LLC 电话：+1-415-891-9633 |
Kyeongah Cho
全球营销传播 美格纳半导体 电话：+82-2-6903-3179 |
