– 美格纳将凭借与现代摩比斯公司十年合作积累的汽车 IGBT 技术经验实现业务拓展
韩国首尔 – Magnachip Semiconductor Corporation（NYSE：MX）（以下简称“美格纳”或“公司”）当日宣布，公司已与现代摩比斯有限公司（以下简称“摩比斯”）就高性能绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术使用达成协议，并计划基于该技术拓展业务。现代摩比斯是一家全球汽车零部件供应商，专注于提供软硬件结合的差异化移动解决方案。
IGBT 作为功率半导体，广泛应用于需要同时承受高电压与高电流的大功率系统。根据市调机构 OMDIA 的数据估测，2024 年全球 IGBT 市场规模已突破 110 亿美元，预计将从 2025 年的 123 亿美元增长至 2028 年的 169 亿美元。
面向混合动力汽车和电动汽车牵引逆变器的 IGBT 正迎来市场快速增长期。由于 IGBT 的能效与可靠性对逆变器的性能有着显著影响，目前仅有少数功率半导体行业市场领军企业具备稳定量产当前市场主流高压高电流产品的能力。
基于对牵引系统核心功率半导体技术自主化重要性的共识，摩比斯与美格纳自 2015 年起就牵引逆变器 IGBT 开发进行合作。在这种合作关系下，摩比斯主导结构设计，美格纳则主要贡献其在半导体工艺技术领域的专长。经过系统级评估与验证，双方近期成功开发出符合电动汽车严苛要求的新型 IGBT 产品。摩比斯目前计划于 2026 年启动搭载该 IGBT 的逆变器量产。
此外，美格纳正利用共同开发的设计技术推动自主 IGBT 产品的进一步开发与商业化进程。作为战略举措之一，公司计划明年上半年推出新的工业级 IGBT 系列产品。此举旨在强化技术竞争力，巩固其在全球功率半导体市场的地位，重点聚焦工业、AI 及可再生能源市场领域。
“此次战略合作是提升我们 IGBT 技术能力的重要里程碑，”美格纳首席执行官 Camillo Martino 说。“新开发的第七代 IGBT 产品系列显著增强了我们的产品组合，使我们在高性能高端市场更具竞争力。美格纳正积极布局工业、AI 及可再生能源等高价值应用领域，预计这些领域在未来几年将成为公司产品结构的重要组成部分。”
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