– RSS(on) Typ. 1mΩ 이하 — 배터리 보호 회로용 저온저항 성능 구현
– 이전 세대 대비 단위면적당 비저항(Rsp) 48% 절감, 전류밀도 185% 향상
– 차세대 고성능 스마트폰용 초고속 충전고효율 배터리 보호 회로 시장 요구 대응
서울, 2026년 4월 — 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 카밀로 마티노, 이하 ‘매그나칩’)(NYSE: MX)는 고성능 스마트폰 배터리 보호 회로에 적용 가능한 8세대 Ultra Low-Ron 12V 저전압(LV) MOSFET 신제품 2종을 출시했다고 밝혔다. 이번 신제품은 초고속 충전과 에너지 효율이 중요해지는 차세대 스마트폰 시장을 겨냥하여 개발되었으며, 모바일 배터리 보호 회로용 FET 시장에서의 경쟁력 강화를 위한 라인업 확대의 일환이다. 한 제품은 현재 주요 글로벌 스마트폰 제조사에 공급 중이며, 이미 시장에서 성능과 신뢰성이 검증되고 있다.
AI 기능 내장 및 고사양 애플리케이션 증가에 따라 스마트폰의 연산 부하가 높아지면서, 전력 효율과 충전 성능은 제품 경쟁력의 주요 요소로 자리잡고 있다. 이에 따라 배터리 보호 회로(PCM)에 적용되는 MOSFET에는 낮은 온저항, 높은 전류밀도, 그리고 제한된 공간에서의 효율적인 설계가 요구된다. 또한 폴더블·롤러블 등 혁신 폼팩터 확산으로 회로 설계 공간은 제한되면서, 동일 면적에서 성능을 높이고 부품 수를 줄이는 것이 중요한 과제로 떠오르고 있다.
이번 신제품은 스마트폰 배터리 보호 회로 내 메인 스위치 소자로 적용되며, 과충전·과방전 보호 및 충방전 전류 제어 기능을 수행한다. 또한 두 가지 주요 이점을 제공한다.
첫째, 동일 패키지 내 온저항을 낮춰 발열을 현저히 줄인다. MDWC12D013PERH 제품의 경우 당사 7세대 동일 사이즈 제품 대비 온저항(Rss(on)) 값을 50% 이상 개선했으며, 동일 조건 평가 시 최대 10℃ 수준의 발열 저감 효과를 기대할 수 있다. 이처럼 낮아진 발열은 스마트폰 본체의 배터리 수명 연장과 충전 안정성 향상으로 이어진다.
둘째, 향상된 전류밀도와 Pin-to-Pin 호환성을 통해 기존 회로를 교체·통합할 수 있어 보호 회로 기판의 실장 면적을 절감하고 FET 사용 개수를 줄임으로써 생산 원가를 낮출 수 있다. 이는 제조사가 확보된 공간을 배터리 용량 확대나 기기 슬림화 등 차별화된 설계에 재활용할 수 있다는 것을 의미한다.
이번 제품에는 8세대 기술을 적용해 이전 세대 제품 대비 단위면적당 Rsp를 약 48% 낮추고 전류밀도를 약 185% 향상시켰다. 이를 기반으로 RSS(on) Typ. 1mΩ 이하의 성능을 구현했다.
시장조사업체 옴디아에 따르면 생성형 AI는 기술 시장의 핵심 트렌드로 자리잡고 있으며, 소비자(디지털) 시장을 중심으로 빠르게 확산되고 있다. 해당 시장은 2022년 약 77억 달러에서 2028년 약 304억 달러 규모로 성장할 전망이며, 스마트폰이 주요 적용 비중을 차지할 것으로 예상된다.
매그나칩은 이러한 시장 변화에 대응해 연내 22V Ultra Low-Ron 제품도 선보일 계획이며, 이를 통해 고성능 모바일 기기용 LV MOSFET 포트폴리오를 지속적으로 확대해 나갈 예정이다.
매그나칩 우혁 CTO는 “스마트폰 배터리 보호 회로 설계에서 중요한 과제는 제한된 공간 내에서 낮은 온저항과 발열 특성을 동시에 확보하는 것”이라며 “이번 8세대 Ultra Low-Ron 12V LV MOSFET은 이러한 요구를 충족하기 위한 솔루션으로, 효율과 신뢰성 향상을 통해 해당 어플리케이션에서 경쟁력 있는 기술 가치를 제공할 것으로 기대된다. 매그나칩은 전력반도체 설계 및 양산 역량을 기반으로 모바일을 포함한 다양한 애플리케이션에서 제품 경쟁력을 지속적으로 강화해 나갈 것이다.” 고 말했다.
매그나칩은 오는 6월 9일부터 11일까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 PCIM Europe 2026(Hall 6, Booth 337)에 참가해 이번 신제품을 포함한 전력반도체솔루션을 선보일 예정이다.
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