매그나칩 김영준 대표이사, 2019년 외국기업의 날 산업포장 수상

아날로그/혼합신호 종합 반도체 전문기업 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 김영준 대표이사가 4일 서울 그랜드인터컨티넨탈 호텔에서 열린 ‘외국기업의 날’ 기념식에서 투자 유치 및 고용 창출에 기여한 공로를 인정받아 산업포장을 수상했다고 밝혔다.

산업통상자원부가 주최하고 한국외국기업협회가 주관하는 ‘외국기업의 날’ 행사는 국내에 진출한 외국 기업들의 노고를 격려하기 위해 매년 개최되며, 국내 산업 발전에 크게 기여한 공로자를 선정해 훈∙포장을 수여한다. 이날 행사에는 주한 외교 사절 및 외국 기업 대표자, 임직원 등 500여명이 참석해 성황을 이뤘다.

김영준 대표이사는 지난 30년간 인텔, 삼성, 캐비움 등 글로벌 반도체 기업에서 고위 임원의 중책을 맡아 왔으며, 2013년 매그나칩에 합류해 2015년 대표이사로 취임했다. 김영준 대표이사는 글로벌 경쟁이 치열한 반도체 업계에서 지속적인 기술 개발을 통해 매그나칩을 업계를 대표하는 종합반도체 회사의 하나로 성장시켰으며, 일자리 유지를 위해 지역 경제 활성화에도 크게 기여했다.

한편, 2011년 뉴욕증권거래소 (NYSEE)에 상장된 매그나칩은 아날로그/혼합신호 종합 반도체 설계 및 제조 기업으로, 2,500명의 직원이 서울, 청주, 구미 3개 사업장에 근무하고 있으며, 디스플레이 솔루션, 파워 솔루션, 파운드리 서비스 등 3개 사업 부문에서 사업을 활발히 펼치고 있다.

김영준 대표이사는 “매그나칩의 모든 제품을 국내 생산하며, 반도체산업 및 지역 경제 발전에 이바지했다는 사실에 큰 자부심을 느낀다.”며, “매그나칩이 지금의 모습으로 성장하기 까지 임직원들의 수고가 많았고, 함께 노력한 임직원들에게 감사의 마음을 전한다.”라고 말했다.

매그나칩, 20V, 30V 고전압 옵션을 갖춘 멀티 기능 제품용 2세대 0.13micron eFlash 공정 기술 제공

아날로그/혼성신호 반도체 플랫폼 솔루션 설계 /제조 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 20V, 30V 고전압 옵션을 갖춘 2세대 0.13micron eFlash(Embedded Flash) 공정 기술을 제공한다고 밝혔다. 이번 기술은 터치 IC, 지문인식 IC 및 무선 충전기 IC와 같은 멀티 기능을 탑재한 하이브리드 혼성 신호 제품을 위해 설계되었다.

IC 설계자들은 하나의 제품에 아날로그/혼성신호 및 비휘발성 메모리와 같은 다양한 기능을 하나의 제품에 통합해야 하는 어려움에 직면해 왔다. 예를 들면, 무선 충전기 IC의 경우, 디지털 Logic, 아날로그 Block, 전력 관리 기능 및 내장형 마이크로컨트롤러 등 다양한 기능을 포함하고 있다. 이와 같은 멀티 기능 제품을 설계 및 제조하기 위해서는 다양한 장치를 하나로 통합할 수 있는 하이브리드 공정이 필수다.

매그나칩은 이와 같은 시장 요구에 부응하기 위해, 2세대 0.13micron eFlash 공정에 20V 및 30V 고전압 옵션을 추가해, 독보적이면서 비용 경쟁력 높은 하이브리드 공정을 개발했다. 높은 신뢰성과 성능을 갖춘 Embedded Flash를 탑재한 2세대 0.13micron eFlash 공정기술은 1세대와 비교해 7단계의 공정을 축소해 비용 경쟁력을 높였다. 또한 최대 64Kbyte까지 다양한 사용자 정의 IP를 제공하고 있으며, 고전압 옵션을 추가하더라도 원래의 eFlash 특성을 유지하는 것이 특징이다.

이번 공정 기술의 또 다른 이점은 설계 요구에 맞는 SRAM, PLL 아날로그 IP, 고밀도 표준 셀 라이브러리 및 고전압 IO 라이브러리와 같은 IP를 선택할 수 있는 옵션을 제공하면서, 고객의 제품 특성에 맞게 20V 또는 30V 전압을 선택할 수 있다는 점이다. 또한, 이번 하이브리드 공정은 출력 드라이버가 음전압을 처리할 수 있도록 완전히 격리된 고전압 기능을 제공해 설계 유연성이 향상되었다.

매그나칩이 새롭게 개발한 하이브리드 공정은 DDI(Display Driver IC)기술을 통해 이미 신뢰성이 검증된 고전압 소자를 사용하고 있으며, 최적화된 설계룰과 향상된 전류 성능으로 칩 내부 고전압 영역을 최소화했다. 이와 같은 고전압 성능은 고전압 출력 드라이버가 필요한 제품과 높은 SNR(Signal to Noise Ratio)이 필요한 제품에 있어서 중요한 역할을 하게 된다. 예를 들어, 태블릿, 노트북의 터치 IC는 주로 20V를, 모니터 등은 30V를 사용한다.
매그나칩은 멀티 기능 파운드리 제품에 대한 시장 요구를 충족 시키기 위해, 비용은 저렴하면서도 고성능의 다양한 하이브리드 공정을 개발해 왔으며, 전압을 40V까지 확장한 하이브리드 eFlash 기술 개발도 진행 중이다. 그 동안, 하이브리드 공정의 또 다른 유형인 매그나칩의 40V BCD(Bipolar CMOS DMOS) eFlash 역시 시장에서 폭넓게 채택되어 왔다. 또한, 매그나칩은 새로운 시장 확대를 위해 120V BCD 공정을 통한 eFlash 도 개발 중이다. 이와 같은 기술들은 무선 충전기, USB C타입 PD, 모터 드라이버 IC 및 BLU 드라이버 IC를 포함한 광범위한 애플리케이션으로 확대될 수 있는 잠재력을 지닌 것으로 평가된다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “고전압 기술이 적용된 2세대 0.13micron eFlash 공정 기술은 무선 충전기 IC, 대형 패널 터치 IC 및 지문인식 IC와 같이 메모리와 고전압이 동시에 필요한 제품에 매우 적합한 기술”이라며, “매그나칩은 고객들이 시장에서 경쟁력을 유지할 수 있는 다양한 제품 설계가 가능하도록 새로운 하이브리드 기술을 지속적으로 개발해 나갈 계획”이라고 말했다.

전략적 평가 (Strategic Evaluation) 관련 대표이사 메시지

아래 내용은 지난 2월 15일 발표된 전략적 평가 (Strategic Evalution) 관련, 대표이사가 임직원에게 보낸 메시지 내용입니다.

매그나칩반도체는 2월 15일, 파운드리 사업과 Fab 4에 대한 전략적 평가 (Strategic Evaluation)를 시잭했다고 발표했습니다.  전략적 평가는 M&A 가능성 뿐 아니라 합작 법인, 전략적 파트너십 등의 다양한 옵션들을 포함할 것으로 예상됩니다.

미국 법에 따르면, 이사회와 경영진은 회사와 주주들에게 신의 성실의 의무를 지고 있습니다.  이 같은 의무는 상장 기업일 경우 더욱 커지게 됩니다.  이사회와 경영진의 신의 성실 의무는 주주 가치 극대화를 비롯하여, 전략적 대안을 지속적으로 평가하고, 합작 법인, 전략적 파트너십 및 회사, 사업, 자산의 매각 등에 관한 중요한 제안이 있을 경우 이를 신중하게 검토하는 것입니다.

이와 관련하여, 회사는 최근 제3자로부터 우리의 파운드리 사업 및 Fab 4에 매우 깊은 관심이 있음을 전달 받았고, 이에 대해 이사회는 재무 자문역의 도움을 받아 검토를 진행하게 되었습니다.  그러나, 현재 시점에서 전략적 평가와 관련하여 거래의 상대방이 누구인지, 어떤 형태의 거래인지 등 그 어느 것도 결정되지 않았습니다.

회사가 전략적 검토 절차를 공개적으로 발표한 주된 이유는 미국 증권법의 공시 규정을 준수하기 위함이며, 향후 법적, 계약적 허용 범위 내에서 진행 과정을 공유하도록 노력할 것입니다.

매그나칩 이사회 네이더 타바콜리 (Nader Tavakoli) 의장은 “이사회와 경영진은 전략적 평가를 수행함에 있어서 주주, 고객, 직원을 포함한 모든 이해관계자들의 이익을 가장 염두에 둘 것이다.”라고 말했습니다.  끝.

매그나칩, 3세대 0.18micron BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정 기술 제공

아날로그 및 혼성신호 반도체 플랫폼 솔루션의 설계 및 제조 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 파운드리 고객들에게 3세대 0.18micron BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정 기술을 제공한다고 밝혔다. 이번 공정 기술은 PMIC, DC-DC 컨버터, 배터리 충전기 IC, 보호용 IC, 모터 드라이버 IC, LED 드라이버 IC 및 Audio Amplifier에 매우 적합한 기술이다. 이번 3세대 0.18micron BCD 공정 기술은 제조 공정을 단순화하고, Power LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)의 Rsp (Specific On-Resistance)를 개선해 최대 40V에서까지 동작이 가능하다.

하나의 칩에 다양한 기능을 탑재하는 방식으로 전력 모듈에 들어가는 부품 수를 줄이기 위해서, BCD 기술로 처리되는 고성능의 전력 효율성 높은 Power IC에 대한 수요가 지속적으로 증가하고 있다. BCD 기술 중에서는 낮은 Rsp LDMOS 특성을 가진 BCD 기술이 Power IC의 칩 사이즈와 전력 손실을 줄이는 데 도움이 되기 때문에, Power LDMOS의 Rsp 특성이 성능을 가늠하는 핵심 지표다. 매그나칩은 지난 10년 간 Power LDMOS의 Rsp를 향상시켜 왔으며, 이번 3세대 0.18micron BCD 공정은 공정 자체와 소자 아키텍처 최적화를 통해 기존 세대 공정에 비해 Rsp를 약 30% 감소 시켰다.

BCD 기술 요구 사항은 애플리케이션이나 IC의 설계 방식에 따라 다양하다. 이렇게 다양한 요구 조건을 충족하기 위해, 매그나칩은 1.8V, 5V 그리고 12~40V 트랜지스터들을 다양한 방식으로 통합할 수 있는 모듈러 공정 개념을 도입했다. 매그나칩은 기존의 소자 조합에 더해, 특정 동작 전압 범위에 최적화된 맞춤형 LDMOS 소자와 엄격하고 낮은 동작 전압 한계와 고주파에서 동작하는 낮은 Vgs(Gate와 Source간 Bias)의 LDMOS 소자를 포함한 새로운 소자들 2019년 출시 예정이다.

3세대 BCD 공정은 설계 통합과 유연성 강화를 위해, 다양한 옵션 소자를 제공한다. 옵션 소자는 고성능 Bipolar Transistor, Zener Diode, Photo Layer가 추가되지 않은 고저항 Poly Resistor, 저온 계수의 Tantalum Nitride Resistor, Metal-Insulator-Metal Capacitor, Metal-Oxide-Metal Capacitor, Electrical Fuse및 Multi-Time Programmable Memory 등 이다.

3세대 BCD 공정 기술은 자동차용 애플리케이션처럼, 더욱 까다로운 신뢰성이 요구되는 상황에서도 Power IC 지원이 가능하도록 -40℃~ 125℃ 온도 조건의 전장급(자동차 동작 가능 수준) 품질인증 기준 AEC-Q100에서 1등급 인증을 획득했다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “낮은 Rsp의 이번 3세대 0.18micron BCD 공정은 칩 사이즈를 줄이고 전력 효율성 개선에 기여함으로써, 다양한 Power IC 애플리케이션에 매우 적합할 것”이라며, “매그나칩은 지속적인 BCD 기술 성능의 향상을 통해, 고객들의 제품 경쟁력 향상에 기여해 나갈 것”이라고 말했다.

매그나칩, 최대 동작전압 200V 전장급 0.18 micron BCD 공정 기술 제공

아날로그 및 혼성신호 반도체 플랫폼 솔루션의 설계 및 제조 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 최대 동작전압 200V의 0.18 micron BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) 공정을 제공한다고 밝혔다. 매그나칩은 Solid High-voltage Isolation의 SOI (Silicon On Insulator) 기판을 사용하고 있는 새로운 BCD 공정 제공을 통해, 기존 100V에서 200V까지로 BCD 공정 포트폴리오를 확장하게 되었다. BCD 공정에 200V 소자가 포함된다는 것은 자동차, 전기자동차, 산업용 모터 드라이버, 초음파 의료 영상 시스템, 태양광 패널을 포함한 고전압 애플리케이션에 전력 IC를 적용한 설계가 가능해 진다는 것을 의미한다.

이번 새로운 BCD 공정 기술은 SOI 기판과 매그나칩의 독보적인 Deep-Trench Isolation 기술을 바탕으로 기존 Bulk Silicon 기반의 BCD에 비해 더욱 높아진 Isolation 항복 전압, 작아진 Isolation 크기, 개선된 기판 Noise Immunity, Latch-up Immunity 및 Active Silicon Layer와 기판들 사이에 절연 Silicon Dioxide Layer로 이루어져 있는 Power Block의 High-side Isolation 등 다양한 장점이 있다. 이번 공정 기술은 두 가지 유형의 전력 LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 기술이 최대 200V까지 지원된다. 첫 번째 유형은 Power Block의 패킹 밀도를 높이는 낮은 온-저항 (Rsp)특성을 갖고 있으며, 두 번째 유형은 모든 범위의 VDS (Drain-to-Source Voltage) 및 VGS (Gate-to-Source Voltage)의 장기적인 신뢰성을 보장하는 넓은 범위의 SOA(Safe Operation Area)를 지원하고 있어, 파운드리 고객들이 필요에 따라 각각의 유형을 선택할 수 있다.

새로운 0.18micron 200V BCD 공정에서는 다양하고 유용한 옵션 소자 지원을 통해, 설계의 통합성 및 유연성을 강화했다. 지원되는 옵션 소자에는 Bipolar Transistor, Zener Diode, Schottky Diode, 고저항 Poly Resistor, Metal-Insulator-Metal Capacitor, Metal-Oxide-Metal Capacitor, Electrical fuse 및 Multi-time Programmable Memory 등이 있다.

자동차 시장을 포함한 최종 소비 시장 중 일부에서는 고온에서의 신뢰성과 동작 전압이 높은 전력 IC 제품이 요구된다. 특히, 더 많은 전기 및 하이브리드 자동차 들이 48V 배터리 시스템을 채택하면서 이 같은 IC 제품에 대한 수요가 더욱 커지고 있다. 이러한 요구를 충족하기 위해, 매그나칩의 새로운 200V BCD 기술은 -40℃~ 150℃의 전장급(자동차 동작 가능 수준) 품질인증 기준 AEC-Q100 0등급의 온도 조건을 만족하는 품질 인증 역시 획득했다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “전기 자동차, 태양광 패널 등과 같은 최근 각광받는 애플리케이션에 적용되는 0.18 micron 200V BCD 공정 솔루션을 제공하게 된 것을 매우 기쁘게 생각한다,”며, “매그나칩은 다양한 시장에서 파운드리 고객들의 까다로운 요구를 충족하기 위해 Power 기술 포트폴리오를 지속적으로 확대해 나갈 것”이라고 말했다.