슈퍼 쇼트 채널 FET 기술 기반으로 칩 크기 26% 축소 및 Rss(on) 31% 개선

다양한 모바일 기기용 배터리 보호 솔루션 본격 확대

 

매그나칩반도체 유한회사(대표이사 카밀로 마티노, 이하 ‘매그나칩’)(NYSE: MX)는 차세대 모바일 기기인 트라이폴드폰(Tri-fold Phone, 3단 접이식) 배터리 보호 회로용 ‘24V MXT LV MOSFET[1] 신제품을 출시하며 프리미엄 폴더블 모바일 시장 공략을 강화한다고 밝혔다. 이 제품은 현재 주요 글로벌 스마트폰 제조사에 공급되고 있으며, 이미 시장에서 검증된 성능과 신뢰성을 확보하고 있다.

매그나칩은 이번 신제품인 24V Dual N-channel MOSFET(제품명: MDWC24D058ERH)에 자체 개발한 슈퍼 쇼트 채널 FET(SSCFET)[2] 기술을 적용해, 이전 세대 제품 대비 칩 크기를 약 26% 축소했다. 이를 통해 배터리 보호 회로(PCM) 실장 보드 면적을 기존 대비 20% 이상 절감할 수 있어, 제조사는 확보된 공간을 배터리 용량 확대나 기기 슬림화 등 차별화된 설계에 활용할 수 있다.

이 제품은 트라이폴드폰뿐만 아니라 웨어러블 기기, 태블릿 등 기타 모바일 기기에 적용되고 있으며, 전력 손실의 주요 원인인 온저항(RSS(on))을 약 31% 개선해 발열을 효과적으로 줄였다. 또한 SSCFET 기술을 적용하여 일반 트렌치(Trench) 공정 대비 단위 면적당 전류 밀도를 약 48% 향상시켜, 고전류 환경에서도 안정적인 전압 제어 성능을 제공한다. 아울러 2kV 이상의 정전기 방전(ESD) 보호 성능을 내장해 외부 충격으로부터 배터리 시스템을 안전하게 보호한다.

시장조사업체 옴디아(Omdia)에 따르면, 스마트폰 배터리FET이 포함된 40V 이하 실리콘 파워 MOSFET 시장은 2025년 약 42억 달러에서 2029년 약 52억 달러로 성장해, 연평균 약 4.6%의 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망된다. 특히 트라이폴드폰을 포함한 프리미엄 스마트폰 시장은 고성능·고효율 부품 수요를 중심으로 성장을 주도할 것으로 기대된다.

트라이폴드폰은 디스플레이를 두 번 접는 신규 폼팩터로, 세 개의 디스플레이를 구동하고 고성능 멀티태스킹을 구현하는 만큼 내부 구조가 복잡하며 전력 효율성과 안정성이 중요한 요소로 작용한다. 이에 따라 고집적·고효율 사양에 부합하는 MOSFET 제품 수요가 요구되고 있다.

매그나칩 우혁 CTO는 “트라이폴드폰은 기술 난이도와 부품 완성도가 높은 하이엔드 모바일 기기로, 이번 MOSFET 신제품 공급을 통해 매그나칩의 전력 반도체 설계 역량과 기술 경쟁력이 다시 한번 입증됐다”며, “앞으로도 지속적인 기술 혁신을 통해 스마트폰은 물론 웨어러블 기기, 태블릿 등 다양한 모바일 애플리케이션에 적용되는 전력 반도체 포트폴리오를 확대해 나갈 계획”이라고 말했다.

[1] MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): 매그나칩의 30V 이하 트렌치 공정 기반 MOSFET 제품군

[2] 슈퍼 쇼트 채널 (SSCFET®: Super-Short Channel FET):  전류 흐름 경로를 짧게 설계해 전력손실을 줄이고 효율을 높인 매그나칩의 최신 MOSFET 설계 기술

 

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 매그나칩, 트라이폴드폰 배터리 보호 회로용 24V BatteryFET 신제품 공개 – 전자신문

– Advanced Field Stop Trench 적용, 이전 세대 대비 셀 간격 40% 축소

– 전류 밀도RBSOA(역 바이어스 안전 동작 영역) 향상으로 제품 신뢰성·확장성 강화

– 다양한 용량 라인업으로 시장 점유율 확대 가속

 

서울 2026년 1월 20일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 카밀로 마티노, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 태양광 인버터와 산업용 에너지저장장치(ESS)에 적합한 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor) 신제품 시리즈를 출시하며, 고효율 전력반도체 시장 공략을 강화한다고 밝혔다.

이번에 선보인 650V 및 1200V ‘신세대 디스크리트(Discrete) IGBT’ 제품은 태양광 인버터와 에너지저장장치(ESS)에 적용할 수 있도록 설계되었다. 이전 세대 대비 셀(Cell) 간격을 줄여 전류 용량을 대폭 높였고, 역 바이어스 안전 동작 영역(RBSOA)이 향상되어 고전압·고전류의 가혹한 구동 환경에서도 뛰어난 안정성을 보장한다. 또한 표준 TO-247 패키지와 고용량 대응이 가능한 TO-247 Plus 패키지 두 가지 옵션으로 제공되어 고객의 다양한 설계 요구를 충족하며 폭넓은 애플리케이션에 적용할 수 있다.

시장조사업체 옴디아에 따르면 글로벌 태양광 인버터·에너지저장장치(ESS) 시장은 2024년 약 14억 달러 규모에서 2029년 약 27억 달러로 성장할 전망이며, 연평균 성장률은 약 10.6%로 예상된다. 전 세계적인 탄소 중립 정책 확대에 따라 태양광 발전 설비가 빠르게 증가하면서, 인버터 시장에서 에너지 효율과 고출력 밀도가 핵심 경쟁력으로 부상했다.

매그나칩은 이미 주요 국내외 태양광 인버터 제조사에 IGBT 제품을 공급하며 품질과 기술력을 인정받고 있다. 이번 신제품 출시로 저용량부터 고용량까지 포괄하는 폭넓은 포트폴리오를 구축하게 되었으며, 주거용 인버터부터 150kW급 산업용 인버터에 적합한 제품 구성을 강화하여 고객은 사용 환경에 맞는 제품을 선택할 수 있다.

신규 IGBT에는 Advanced Field Stop Trench 기술이 적용되어 이전 세대 대비 설계 및 공정 미세화를 통해 성능이 향상되었다. 특히 셀(Cell) 간격을 약 40% 줄임으로써 동일 면적 내 전류 용량을 크게 높였고, 반도체의 안전 동작 영역인 역 바이어스 안전 동작 영역(RBSOA: Reverse Bias Safe Operating Area)이 30% 이상 향상되어 고전압·고전류 환경에서도 뛰어난 안정성을 확보했다. 이를 통해 다양한 전력 애플리케이션으로의 확장이 가능해졌다.

매그나칩은 2026년 상반기까지 제품 라인업을 더욱 확장해 650V 150A급 ‘High Current’ 시리즈와 750V 전압 라인업을 선보일 예정이며, 스위칭 효율을 높이는 켈빈 핀(Kelvin Pin) 구조의 ‘TO-247-4Lead’ 패키지도 추가 출시할 계획이다. 이를 통해 고용량화, 고효율화 되는 태양광 및 ESS 시장 고객에게 한층 폭넓은 설계 옵션을 제공할 수 있게 되었다.

매그나칩 우혁 CTO는 “이번에 출시된 최신 IGBT는 미세 공정 기술을 기반으로 효율과 안정성을 동시에 강화한 제품”이라며 “이미 태양광 시장에서 검증된 기술력과 생산 역량을 바탕으로, 다변화된 라인업으로 고객의 요구에 적합한 솔루션을 지속적으로 확장해 나갈 것”이라고 밝혔다.

 

 

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매그나칩은 산업, 자동차, 통신, 소비가전 및 컴퓨팅 등 다양한 분야에 사용되는 아날로그 및 혼합신호 기반의 전력 반도체 플랫폼 솔루션을 설계 및 제조하는 기업입니다. 당사는 전 세계 고객에게 다양한 범용 표준 제품을 제공합니다. 약 45년의 운영 역사를 보유한 매그나칩은 약 1,000건의 등록 특허 및 출원 중인 특허를 포함한 포트폴리오를 보유하고 있으며, 폭넓은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 역량을 갖추고 있습니다. 자세한 정보는 www.magnachip.com을 방문해 주시기 바랍니다. 참고로, 매그나칩의 웹사이트에 포함되거나 이를 통해 접근 가능한 정보는 본 자료의 일부로 간주되지 않으며, 본 자료에 포함된 것으로 간주되지 않습니다.

 

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  매그나칩, 태양광 및 에너지저장장치 시장 겨냥한 ‘신세대 고효율 IGBT’ 시리즈 출시 – 전자신문

– 매그나칩, 현대모비스와의 10년간 협업을 통해 축적된 차량용 IGBT 기술 전문성 활용

 

매그나칩반도체(이하 “매그나칩”)는 고성능 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 설계 기술과 관련해 현대모비스와 기술 사용 협의를 완료하였고 해당 기술을 활용한 IGBT 사업을 확대 추진할 예정이다.

IGBT는 고전압, 고전류를 동시에 요구하는 대전력 시스템에 사용되는 전력반도체이다. 시장조사기관 OMDIA에 따르면 2024년 기준 IGBT 시장 규모는 약 110억 달러 이상이며, 다수의 업체가 시장 선점을 위해 치열한 경쟁을 하고 있다. 특히, 하이브리드차(HEV) 및 전기차(EV)를 구동하는 전동화향 인버터용 IGBT는 빠르게 확대되고 있으며, IGBT의 효율성과 안정성이 인버터 시스템의 성능에 큰 영향을 주기 때문에, 고전압, 고전력을 안정적으로 커버할 수 있는 양산 제품을 보유한 소수의 업체만이 시장을 선도하고 있다.

이처럼 전동화 시스템 내 핵심 역할을 수행하는 전력반도체 기술 내재화의 필요성 확대로 현대모비스와 매그나칩은 2015년부터 전동화향 인버터용 IGBT 개발 협업을 진행해왔다. 현대모비스는 주로 IGBT 구조 설계를 담당하고 매그나칩은 전력반도체 공정 역량을 활용해 양사 간 협업을 진행해 왔으며, 최근 시스템 단위 평가·검증을 거쳐 전동화 차량에 적용 가능한 수준의 IGBT 제품을 확보하여 현대모비스는 2026년 해당 제품의 양산 적용 예정이다.

뿐만 아니라, 매그나칩은 사업 확대를 위해 현대모비스와 협업 개발한 IGBT 설계 기술 사용 협의를 바탕으로 독자적인 전력반도체 개발·공급을 추진하고 있다. 매그나칩은 해당 기술이 활용된 전력반도체 제품을 내년 상반기에 출시할 예정이다. OMDIA에 따르면 글로벌 IGBT 시장은 2025년 123억 달러에서 2028년 169억 달러로 지속 성장할 것으로 예상되고 있다. 매그나칩은 이를 통해 빠르게 시장을 확대해 나가는 전력반도체 시장에서 지속적인 기술 경쟁력을 높이고, 산업용, AI, 재생에너지 등 고부가가치 시장을 중심으로 글로벌 시장에서의 사업 확대에 박차를 가할 계획이다.

매그나칩 카밀로 마르티노 CEO는 “이번 전략적 파트너십은 당사의 IGBT 역량을 한 단계 도약시키는 중요한 발걸음이다”라고 말했다. 이어 “새로운 7세대(7th Generation) IGBT 제품군 개발을 통해 매그나칩의 포트폴리오가 대폭 강화되었으며, 고성능 프리미엄 시장에서 경쟁력을 높일 수 있게 되었다. 매그나칩은 앞으로 산업용, AI, 재생에너지 등 고부가가치 애플리케이션을 적극적으로 공략해, 향후 당사 제품 구성에서 이들 분야의 비중이 확대될 것으로 기대한다.”라고 밝혔다.

 

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장래예측정보 (Forward-Looking Statements)

본 보도자료는 1995년 사적 증권소송개혁법(Private Securities Litigation Reform Act of 1995)에 따라 정의된 장래예측정보를 포함하고 있으며, 해당 법률에 따른 면책조항의 적용을 받습니다. 과거 또는 현재의 사실이 아닌 진술, 특히 믿음이나 예상에 관한 진술은 장래예측정보에 해당됩니다. 이러한 장래예측정보는 종종 “~할 수 있음”, “~할 것임”, “예상함”, “추정함”, “계획함”, “전망함”, “지속되는”, “계속되는”, “기대함”, “믿음”, “의도함”, “예측함”, “잠재적인”, “미래의”, “전략”, “기회” 등의 단어 또는 구문, 또는 이와 유사하거나 이와 반대되는 표현을 통해 나타나나, 항상 그러한 것은 아닙니다. 장래예측정보는 그 자체에 내재된 위험 및 불확실성이 관련되어 있으며 중요한 요소로 인하여 예상된 결과와 중요한 부분에서 다른 결과가 발생할 수 있으며, 그 중요한 요소는 다음을 포함하나 이에 한정되지 않습니다: 미국이 발표한 최근의 무역 및 관세 조치와 그에 따른 보복관세 및 공급망과 글로벌 무역의 혼란 등과 관련하여 발생하거나 이에 기인한 거시경제 여건의 변화; 인플레이션, 경기 침체 또는 기타 경제 악화, 경제 불안정 또는 사회불안; 러시아-우크라이나 간, 이스라엘-하마스 간의 갈등 및 홍해 지역에서의 군사행동과 분쟁의 장기화 등 지정학적 갈등; 생산 능력의 제약이나 공급망의 혼란으로 인해 당사 제품의 공급이 지연되거나 부품 가격이 상승하여 비용 증가로 이어질 수 있으며, 이와 유사한 제약 또는 혼란으로 영향을 받는 고객사의 수요에도 영향을 미칠 수 있음; 경쟁 제품 및 가격의 영향; 당사 디자인에 대한 고객의 시기적절한 수용 여부; 신제품 및 신기술의 적기 출시 여부; 신제품의 양산 확대 능력; 반도체 산업 전반의 수급 변동; 업계 또는 당사 내 과잉 생산능력; 생산능력의 효과적이고 비용 효율적인 활용 여부; 해외 금융 시장의 안정성 및 환율 영향; 예기치 못한 비용 발생 또는 제거 가능한 비용의 식별 실패; 당사, 고객 및 유통업체의 미국 및 국제 무역 및 수출 규제의 준수 여부; 환경, 보건 및 안전 관련 법령 등 국내외 법령의 변경 또는 제정; 공중보건 문제; 공급, 납품, 또는 수요에 영향을 미치는 그 외 사업 차질; 그 외 미국 증권거래위원회(SEC)에 제출된 당사의 보고서, 특히 2025년 3월 14일자로 제출된 연간보고서(Form 10-K) 및 이후 제출되는 등록신고서, 수정서 또는 기타 보고서에 수시로 공시되는 기타 위험요소 등입니다. 이들 보고서는 www.magnachip.com 또는 www.sec.gov에서 확인하실 수 있습니다. 장래예측정보는 해당 정보가 발표된 시점을 기준으로만 하여 제공되며, 매그나칩은 이후 발생할 수 있는 새로운 정보나 향후 사건 등을 반영하여 이를 지속적으로 업데이트 할 의무를 지지 않습니다.

 

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매그나칩반도체, 현대모비스와 공동 개발한 전동화향 인버터용 IGBT 기술로 산업용 IGBT 사업 확대 추진 – 전자신문

프리미엄 전자제품 및 고전력·고전류 시장 대응을 위한 신규 패키지 라인업 공개

향후 AI 데이터센터용 전력 공급 맞춤 제품 추가 출시 예정

 

서울 2025년 10월 29일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 카밀로 마티노, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 프리미엄 전자제품 및 고성능 전력 시장의 수요에 대응하기 위해 TOLL(TO-Leadless) 패키지를 적용한 650V급 SJ MOSFET(Super Junction MOSFET) 신제품 2종을 출시했다고 밝혔다.

이번 출시된 TOLL 패키지 신제품은 프리미엄 TV, 게이밍 모니터, AI 노트북 어댑터, 충전기 등 고전력·고전류 애플리케이션의 요구사항을 충족하도록 설계되었으며, 기존 자사의 80V~200V eXtreme Trench MOSFET TOLL 패키지 제품에 적용된 3핀 구조와 달리 4핀 Kelvin 소스 방식을 도입하였다. Kelvin 소스 방식의 4핀 구조는 게이트-소스 리턴 경로의 기생 인덕턴스(Parasitic Inductance) 영향을 최소화하여 스위칭 안정성을 높이고, 게이트 오실레이션(Ringing)을 저감시켜 전력 효율을 개선하였다.

기존 자사의 D2PAK 패키지 대비 TOLL 패키지는 전류 성능(Current Capability)이 100% 이상 향상되었으며, 풋프린트(Footprint)는 24%, 높이는 48% 감소하였다. 신규 TOLL 패키지는 면적당 전력 효율과 방열(Heat Dissipation) 성능이 개선되어, PCB 소형화와 높은 전력 밀도(Power Density)를 동시에 요구하는 애플리케이션에 적합한 솔루션이다.

매그나칩 우혁 CTO는 “이번 650V SJ MOSFET TOLL 신제품은 슬림 폼팩터(Slim form-factor) 애플리케이션의 PCB 면적 효율과 고성능 요구를 충족하도록 설계되었으며, 매그나칩은 AI 데이터센터 및 차세대 고전력 애플리케이션을 위한 600V급 TOLL 패키지 제품 라인업을 빠른 시일 내 시장에 선보일 것”이라고 말했다.

 

650V SJ MOSFET TOLL 신제품

제품명 VDS [V] *RDS(on), max 패키지 애플리케이션
MMTB65R099RFRH 650V 99mΩ TOLL 프리미엄 TV, 게이밍 모니터,
AI 노트북 어댑터, 충전기 등
MMTB65R130RFRH 650V 130mΩ TOLL

*RDS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

 

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