– Advanced Field Stop Trench 적용, 이전 세대 대비 셀 간격 40% 축소
– 전류 밀도RBSOA(역 바이어스 안전 동작 영역) 향상으로 제품 신뢰성·확장성 강화
– 다양한 용량 라인업으로 시장 점유율 확대 가속
서울 2026년 1월 20일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 카밀로 마티노, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 태양광 인버터와 산업용 에너지저장장치(ESS)에 적합한 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor) 신제품 시리즈를 출시하며, 고효율 전력반도체 시장 공략을 강화한다고 밝혔다.
이번에 선보인 650V 및 1200V ‘신세대 디스크리트(Discrete) IGBT’ 제품은 태양광 인버터와 에너지저장장치(ESS)에 적용할 수 있도록 설계되었다. 이전 세대 대비 셀(Cell) 간격을 줄여 전류 용량을 대폭 높였고, 역 바이어스 안전 동작 영역(RBSOA)이 향상되어 고전압·고전류의 가혹한 구동 환경에서도 뛰어난 안정성을 보장한다. 또한 표준 TO-247 패키지와 고용량 대응이 가능한 TO-247 Plus 패키지 두 가지 옵션으로 제공되어 고객의 다양한 설계 요구를 충족하며 폭넓은 애플리케이션에 적용할 수 있다.
시장조사업체 옴디아에 따르면 글로벌 태양광 인버터·에너지저장장치(ESS) 시장은 2024년 약 14억 달러 규모에서 2029년 약 27억 달러로 성장할 전망이며, 연평균 성장률은 약 10.6%로 예상된다. 전 세계적인 탄소 중립 정책 확대에 따라 태양광 발전 설비가 빠르게 증가하면서, 인버터 시장에서 에너지 효율과 고출력 밀도가 핵심 경쟁력으로 부상했다.
매그나칩은 이미 주요 국내외 태양광 인버터 제조사에 IGBT 제품을 공급하며 품질과 기술력을 인정받고 있다. 이번 신제품 출시로 저용량부터 고용량까지 포괄하는 폭넓은 포트폴리오를 구축하게 되었으며, 주거용 인버터부터 150kW급 산업용 인버터에 적합한 제품 구성을 강화하여 고객은 사용 환경에 맞는 제품을 선택할 수 있다.
신규 IGBT에는 Advanced Field Stop Trench 기술이 적용되어 이전 세대 대비 설계 및 공정 미세화를 통해 성능이 향상되었다. 특히 셀(Cell) 간격을 약 40% 줄임으로써 동일 면적 내 전류 용량을 크게 높였고, 반도체의 안전 동작 영역인 역 바이어스 안전 동작 영역(RBSOA: Reverse Bias Safe Operating Area)이 30% 이상 향상되어 고전압·고전류 환경에서도 뛰어난 안정성을 확보했다. 이를 통해 다양한 전력 애플리케이션으로의 확장이 가능해졌다.
매그나칩은 2026년 상반기까지 제품 라인업을 더욱 확장해 650V 150A급 ‘High Current’ 시리즈와 750V 전압 라인업을 선보일 예정이며, 스위칭 효율을 높이는 켈빈 핀(Kelvin Pin) 구조의 ‘TO-247-4Lead’ 패키지도 추가 출시할 계획이다. 이를 통해 고용량화, 고효율화 되는 태양광 및 ESS 시장 고객에게 한층 폭넓은 설계 옵션을 제공할 수 있게 되었다.
매그나칩 우혁 CTO는 “이번에 출시된 최신 IGBT는 미세 공정 기술을 기반으로 효율과 안정성을 동시에 강화한 제품”이라며 “이미 태양광 시장에서 검증된 기술력과 생산 역량을 바탕으로, 다변화된 라인업으로 고객의 요구에 적합한 솔루션을 지속적으로 확장해 나갈 것”이라고 밝혔다.
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파워솔루션 > Discrete IGBTs > 1200V
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