– 典型RSS(on)低于1mΩ —— 为电池保护电路（PCM）提供超低导通电阻
– 比导通电阻（Rsp）降低48%，电流密度提升185%
– 满足下一代智能手机超快充电与高效电池保护需求
韩国首尔，2026年4月 —— 美格纳半导体公司（NYSE: MX，“美格纳”）今日宣布推出两款全新第八代超低导通电阻12V低压（LV）MOSFET，专为高性能智能手机电池保护电路（PCM）设计。
该产品面向下一代智能手机应用，在超快充电与能效日益重要的趋势下，进一步扩展了美格纳的产品阵容，并增强了其在移动电池保护FET市场的竞争力。其中一款产品已实现量产，目前正在向全球主要智能手机厂商供货，其性能与可靠性已得到验证。
随着智能手机不断集成先进AI功能及高性能应用，计算负载持续提升，推动了对功耗效率与充电性能的更高要求。因此，用于电池保护电路（PCM）的MOSFET需要在有限电路板空间内实现低导通电阻、高电流密度及高效率表现。
同时，折叠屏、卷曲屏等创新形态设备的普及，使电路设计空间更加受限，从而进一步凸显了在相同尺寸下提升性能并减少元器件数量的重要性。
该系列产品作为智能手机电池保护电路中的主要开关器件，可实现过充、过放保护以及充放电电流控制等关键功能。
首先，在相同封装尺寸下显著降低导通电阻，从而减少发热。例如，MDWC12D013PERH相较于同尺寸第七代产品，Rss(on)性能提升超过50%，在相同测试条件下温度最多降低10°C，有助于延长电池寿命并提升充电稳定性。
其次，提升电流密度并实现引脚兼容，使其可直接替换并集成至现有电路设计中，减少PCB占用面积及FET数量，从而降低生产成本，同时为更大电池容量或更轻薄设计提供空间。
该产品采用美格纳第八代技术，基于高密度沟槽单元结构，与前一代相比，比导通电阻（Rsp）降低约48%，电流密度提升约185%，实现典型RSS(on)低于1mΩ。
根据Omdia数据，生成式人工智能已成为技术市场的重要趋势，并在消费级市场推动下快速发展。预计市场规模将从2022年的约77亿美元增长至2028年的304亿美元，其中智能手机将占据主要应用份额。
顺应这一市场趋势，美格纳计划在年内推出22V超低导通电阻产品，进一步扩展其面向高性能移动设备的LV MOSFET产品组合。
美格纳首席技术官禹赫表示：“在有限空间内实现低导通电阻与优异的热性能，是智能手机电池保护电路设计中的关键挑战。我们的第八代超低导通电阻12V MOSFET正是为满足这些需求而设计，能够提供更高效率与可靠性，并在该应用领域展现出具有竞争力的技术价值。未来，美格纳将继续依托在功率半导体设计与制造方面的专业能力，不断提升产品竞争力，拓展移动等多元应用领域。”
在德国纽伦堡举行的PCIM Europe 2026（6号馆，337展位）上，美格纳将展示包括该产品在内的功率半导体解决方案。
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