– 专为 AI 服务器、电动汽车充电器及工业应用中的高效率电源系统而设计
– 低 RDS(ON)、快速恢复体二极管及集成齐纳二极管，实现更高性能与可靠性
韩国首尔，2026年6月 —— 美格纳半导体公司（NYSE: MX，“美格纳”）宣布推出两款全新的第六代 600V 超结（SJ）MOSFET。该产品旨在满足 AI 服务器、电动汽车充电系统及工业电源应用对性能与效率不断提升的需求。
新产品具备 36mΩ 和 37mΩ 的低导通电阻，有助于降低导通损耗，并提升整体电源转换效率。此外，两款器件均在栅极与源极之间集成了齐纳二极管，可增强静电放电（ESD）保护能力，从而提升器件可靠性。与上一代产品相比，芯片尺寸也实现了显著缩小，有助于提高系统集成度和设计灵活性。
其中，MMTB60R037G6FZVRH 集成快速恢复体二极管，可降低反向恢复损耗，并改善高频电源转换系统中的开关性能。这些特性使其非常适用于 AI 服务器电源等对效率、热管理和功率密度要求较高的应用。
两款器件均采用 TOLL 封装，面向高功率、大电流应用设计。同时，产品还采用 Kelvin Source 结构，可降低寄生电感并提升开关稳定性。
随着 AI 服务器、电动汽车充电系统和工业电源领域对高能效电源转换方案的需求持续增长，先进功率半导体的采用正在加速。更高效率、更优热性能和更高功率密度，已成为下一代电源系统的关键要求。
据 Omdia 预测，计算与数据存储应用中的分立半导体市场规模将从 2025 年约 37 亿美元增长至 2030 年约 59 亿美元，复合年增长率约为 9%。高密度、高效率服务器电源架构的普及，预计将进一步推动包括 SJ MOSFET 在内的功率分立器件需求。
美格纳首席技术官禹赫表示：“随着 AI 基础设施、电动汽车充电系统和工业应用对更高效率与可靠性的电源系统需求持续增长，功率半导体的性能正变得越来越重要。我们的第六代 600V SJ MOSFET 结合了低导通电阻、增强的开关特性以及高可靠性设计，可帮助客户提升下一代电源设计中的效率和功率密度。”
该系列新 SJ MOSFET 适用于多种需要高效率和高可靠性的电源应用，包括 AI 服务器电源、工业电源、通信基础设施以及电动汽车充电系统。
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