– 基于Super-Short Channel FET技术，实现芯片尺寸缩小约26%，导通电阻Rss(on)性能提升约31%
– 拓展电池保护解决方案，覆盖更广泛的移动终端应用
韩国首尔 —— 美格纳半导体（NYSE: MX，“美格纳”）今日宣布，推出全新第七代24V MXT LV MOSFET，专为下一代三折叠智能手机电池保护电路设计，进一步巩固公司在高端折叠智能手机市场的地位。该产品已实现量产，目前正向全球主要智能手机厂商供货，并已通过性能与可靠性验证。
此次推出的24V双N沟道MOSFET（型号：MDWC24D058ERH）采用美格纳自主研发的Super-Short Channel FET（SSCFET®）技术。与上一代产品相比，芯片尺寸缩小约26%。该技术可帮助客户将电池保护电路模块（PCM）板面积减少超过20%，节省的空间可用于提升电池容量或实现更纤薄的终端设计。
三折叠智能手机采用双折结构设计，可同时支持三块屏幕运行，实现高性能多任务处理。随着内部结构日益复杂，电源效率与可靠性在终端设计中变得尤为关键。因此，这类设备对高集成度、高效率的MOSFET解决方案提出更高要求，以确保复杂系统架构下的电源稳定运行。
除三折叠智能手机外，该产品亦适用于可穿戴设备、平板电脑等多种移动终端应用。产品将功率损耗的重要因数——Rss(on)——最高降低约31%，有效减少发热。同时，相较传统沟槽工艺，其单位面积电流密度提升约48%，在高电流条件下可实现更稳定的电压控制。此外，该产品集成超过2kV的静电放电（ESD）防护能力，有效提升电池系统对外部干扰的防护性能。
根据市场研究机构Omdia数据显示，包括智能手机BatteryFET在内的40V以下硅基功率MOSFET市场规模预计将从2025年的约42亿美元增长至2029年的约52亿美元，复合年增长率约为4.6%。其中，高端智能手机市场（包括三折叠机型）将成为主要增长驱动力，受益于对高性能与高效率元器件需求的持续提升。
美格纳首席技术官Hyuk Woo表示：“三折叠智能手机代表高端移动终端的发展方向，对技术水平与元器件可靠性提出更高要求。通过此次新产品的成功量产供货，我们再次展现了美格纳在功率半导体设计领域的技术实力与竞争优势。未来，公司将持续推进技术创新，不断拓展面向智能手机、可穿戴设备及平板电脑等移动应用领域的功率半导体产品组合。”美格纳的新款
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