– 先进屏蔽栅沟槽（SGT）技术同步提升电流密度与开关速度
-面向高温可靠性与能效要求的下一代电源市场
韩国首尔，2026年3月– 美格纳半导体公司（纽约证交所：MX，以下简称“美格纳”）今日宣布推出全新第八代40V与60V中压（MV）MOSFET产品，专为服务器及高性能PC电源模块（PSU）设计。
随着全球服务器及数据中心市场电力需求持续攀升，电源效率与功率密度已成为服务器及数据中心应用中功率半导体解决方案的重要考量因素。凭借全新第八代MV MOSFET产品，美格纳进一步拓展其解决方案布局，在快速增长的服务器及高性能计算（HPC）电源市场中，同步满足客户对高效率与高可靠性的双重需求，持续强化其在高附加值电源解决方案领域的竞争力。
上述新产品专为服务器及PC电源系统的同步整流（SR）级设计。采用先进SGT技术，40V产品相较上一代可实现最高40%的电流密度提升及约25%的开关速度提升；60V产品则可实现最高50%的电流密度提升及60%的开关速度提升。
该系列器件支持高达175°C的宽温度工作范围，确保在高温环境下仍能稳定运行，并采用紧凑型PDFN56封装，助力实现高密度紧凑型电源设计。产品符合JEDEC标准，不仅适用于服务器及高性能PC电源模块，亦可广泛应用于对高效率与高可靠性有较高要求的太阳能逆变器及工业电源系统。
继2025年5月推出0.7mΩ 40V产品后，美格纳此次新增三款产品——0.8mΩ 40V、1.0mΩ 40V及1.05mΩ 60V，进一步丰富第八代MV MOSFET产品组合，提供多元化的电压及RDS(on)选项。据全球市场研究机构Omdia预测，全球服务器及数据中心电源市场（计算与数据存储领域）规模预计将从2025年的约23亿美元增长至2029年的30亿美元，复合年均增长率（CAGR）为7.4%。借助扩展后的产品阵容，美格纳致力于在快速增长的功率半导体市场中进一步提升技术竞争力与市场份额。
“这批新产品有望成为提升服务器及高性能PC电源系统效率与可靠性的理想解决方案，’美格纳首席技术官禹赫禹赫表示，‘依托多年积累的功率半导体设计专长与成熟的制造能力，美格纳将持续推出面向服务器、PC及工业应用的高附加值电源解决方案。’
美格纳将携最新MV MOSFET解决方案亮相德国纽伦堡PCIM Europe 2026展览会（6号展馆，337号展位），重点展示其在高效率、高密度电源系统中的核心作用。
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