– 新封装产品阵容面向高端消费电子和高功率/高电流市场
– 计划针对 AI 数据中心推出更多 SJ MOSFET TOLL 系列产品
首尔，2025 年 10 月 29 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（NYSE：MX，以下简称“美格纳”）当日宣布，公司发布了两款新的 650V 超结 MOSFET (SJ MOSFET) 产品，这两款产品采用无引线 TO (TOLL) 封装，专为满足高端电视、游戏显示器、AI 笔记本适配器及充电器等高端消费电子产品对高功率、高电流的需求而设计。
目前美格纳 TOLL 封装产品（如 80V – 200V 极限沟槽 MOSFET）均采用 非开尔文配置。新型 650V SJ MOSFET 采用 开尔文配置，可最大程度降低寄生电感对栅源回路的影响，通过减少栅极振荡（振铃）现象提升开关稳定性与整体电源效率。
相较传统的 D2PAK 封装， TOLL 封装的电流承载能力提升超 100%，占用面积减少 24%，高度降低 48%。因此， TOLL 封装适用于对电源效率与散热性能具有较高要求的小型 PCB 及高功率密度应用场景。
美格纳首席技术官 禹赫 表示：“我们的新款 650V SJ MOSFET TOLL 产品旨在满足超薄应用对 PCB 空间节省与高性能的双重需求。美格纳将于近期持续扩展 650V TOLL 封装产品阵容，以支持 AI 数据中心及下一代高功率应用需求。”
美格纳新款 TOLL 封装 650V SJ MOSFET
| 产品 | VDS [V] | *RDS(on)，最高 | 封装 | 应用 |
| MMTB65R099RFRH | 650V | 99mΩ | TOLL | 高端电视、游戏显示器、AI 笔记本适配器、 及充电器等 |
| MMTB65R130RFRH | 650V | 130mΩ | TOLL |
*RDS(on)：MOSFET 导通时漏极与源极之间的测量电阻
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