-나비타스의 1,200V·2,300V·3,300V 이상 GeneSiC™ 4·5세대 기술 라이선스
– 나비타스의 SiC 공급망 및 소재 생태계 활용 에너지·그리드 인프라, 에너지 저장장치, 산업 전동화, 자동차 등 고전력 시장 공략
매그나칩반도체(CEO Chae Lee)는 차세대 GaN·SiC 전력반도체 기업 나비타스 세미컨덕터(Nasdaq: NVTS)와 고전압(HV) 및 초고전압(UHV) 전력 시장에서 실리콘카바이드(SiC) 기술 도입을 가속하기 위한 전략적 파트너십을 체결했다고 밝혔다.
이번 계약에 따라 매그나칩은 나비타스의 GeneSiC™ 4세대 및 5세대 트렌치 보조 평면(Trench-Assisted Planar™, TAP) 기술을 라이선스해 고전압 및 초고전압 SiC 시장에 진출한다.
라이선스 대상에는 1,200V, 2,300V, 3,300V 및 그 이상의 전압을 지원하는 GeneSiC 기술이 포함된다. 매그나칩은 나비타스의 검증된 SiC 소자 플랫폼을 기반으로 차세대 전력 변환 애플리케이션을 위한 제품 역량을 강화할 계획이다.
또한 매그나칩은 나비타스가 구축한 SiC 공급망과 소재 생태계를 활용해 시장 진입을 앞당길 방침이다. 이와 함께 해당 기술을 매그나칩의 국내 팹으로 이관하고 검증 및 내재화하는 작업도 추진할 계획이다.
양사는 이러한 협력 방식이 나비타스의 기존 기술 및 소재 기반과의 연속성을 유지하면서 매그나칩의 SiC 시장 진입을 가속하는 데 기여할 것으로 기대하고 있다.
이번에 도입되는 기술은 에너지 및 그리드 인프라, 에너지 저장장치, 산업 전동화, 자동차를 비롯한 국내 다양한 고전력 시스템을 지원할 것으로 기대된다.
양사는 이번 계약이 SiC를 넘어 보다 폭넓은 협력을 포함한다고 밝혔다. 추가 협력 분야에 대해서는 향후 구체적인 내용을 발표할 예정이다.
크리스 알렉산드르(Chris Allexandre) 나비타스 대표이사 겸 최고경영자는 “매그나칩과의 전략적 파트너십은 고전압 및 초고전압 전력 시장에서 GeneSiC 기술의 적용을 확대하려는 나비타스의 장기 비전을 반영한다”며 “검증된 GeneSiC 기술을 라이선스하고 공급망 및 소재 생태계를 통해 매그나칩을 지원함으로써 첨단 SiC 솔루션의 시장 확대를 앞당기는 동시에 양사 간 장기적이고 긴밀한 협력 기반을 마련할 것”이라고 말했다.
Chae Lee 매그나칩 CEO는 “이번 계약은 매그나칩이 고전압 및 초고전압 SiC 시장에 진출할 수 있는 중요한 기회”라며 “GeneSiC 기술을 기존 MOSFET 및 전력반도체 포트폴리오에 추가함으로써 높은 에너지 효율과 고전압 성능, 더욱 신뢰성 높은 전력 변환 솔루션을 요구하는 고객의 수요에 대응할 수 있게 됐다”고 말했다.
나비타스 세미컨덕터 소개
나비타스 반도체는 질화갈륨(GaN) 전력반도체 및 집적회로와 고전압 SiC 기술을 기반으로 AI 데이터센터, 고성능 컴퓨팅, 에너지 및 그리드 인프라, 산업 전동화 시장을 지원하는 차세대 전력반도체 기업이다. 나비타스의 GeneSiC™ 고전압 SiC 소자는 특허받은 트렌치 보조 평면 기술을 적용해 중전압 그리드 및 인프라 애플리케이션에 필요한 전압 성능과 효율성, 신뢰성을 제공한다.
매그나칩반도체 소개
매그나칩반도체는 산업, 자동차, 통신, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션을 위한 아날로그·혼합신호 전력반도체 플랫폼 솔루션을 설계하고 제조하는 기업이다. 매그나칩의 전력 솔루션 포트폴리오는 다양한 고부가가치 전자 시스템의 전력 효율과 시스템 성능을 향상하기 위한 MOSFET 및 Power IC 기술로 구성돼 있다.
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