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    Date   2018/02/12
    Subject   매그나칩, 고밀도 내장형 플래시 메모리가 집적된 2세대 0.13micron BCD 공정 기술 제공

매그나칩, 고밀도 내장형 플래시 메모리가 집적된 2세대 0.13micron BCD 공정 기술 제공


아날로그 및 혼성신호 반도체 플랫폼 솔루션의 설계 및 제조 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 고밀도 내장형 플래시 메모리가 집적된 2세대 0.13micron BCD 공정 기술을 제공한다고 밝혔다. 이번 2세대 BCD 공정은 이전의 BCD 공정에 비해, 최대 64kilo byte의 고밀도 플래시 메모리, 최대 40V의 Low specific Ron of Power LDMOS 및 적은 수의 포토 스텝과 자동차 수준 신뢰성 등의 고급 기능을 제공한다. 이러한 특성을 통해, 이번 차세대 BCD 공정은 프로그래밍이 가능한 PMIC, 무선 전력 충전기 및 USB-C 전력 공급 IC 제품과 자동차 전력 IC에 매우 적합한 것이 특징이다.

기존 BCD 공정의 비휘발성 메모리는 트리밍을 위해 밀도가 256byte 이하 일만큼 낮았다. 하지만 오늘날의 전자 기기는 더욱 복잡한 기능과 낮은 전력 소모를 요구하고 있어, BCD공정의 고밀도 내장형 비 휘발성 메모리에 대한 시장 수요가 더욱 커졌다. 이러한 메모리에는 프로그래밍이 가능한 PMIC, 무선 충전기 및 USB-C 전력 공급 IC 등을 포함한 전력용 IC에 사용되는 플래시 메모리가 포함된다. 일부 애플리케이션에서는 64kilo byte 이상의 고밀도 플래시 메모리가 트리밍 데이터뿐 아니라, 프로그래밍 코드 저장을 위해 사용되고 있다. 지금까지, 다른 BCD 공정에서의 고밀도 내장형 메모리 구현의 단점은 전체 제조 공정수 증가에 있었다.

매그나칩은 공정 최적화를 통해, 1세대 대비 2세대 BCD 공정에서 8개의 포토 스텝을 축소할 수 있었다. 내장형 비휘발성 메모리 외에도, 2세대에서는 최대 40V 고전력 요구 조건에 적합한 전력 LDMOS관련 특정 Ron 성능 향상을 달성했다. IoT와 자동차용 애플리케이션의 경우, 이번 BCD 공정은 매우 낮은 누설 전류 수준과 저전력 소모가 가능한 1.5V와 5V CMOS 소자를 제공한다. 또한, 이번 신규 BCD 공정은 Hall Sensor, Varactor, Inductor 및 RF CMOS 소자에 적합한 다양한 옵션 소자들을 갖추고 있어 시스템 크기와 비용을 줄이는 고집적 IC 솔루션에 유용하다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “아날로그 기반 BCD와 고밀도 비휘발성 메모리의 결합은 스마트폰, IoT 장치 및 USB-C 애플리케이션에 사용되는 전력 관리 솔루션, 무선 충전기 및 전력 IC에 적합한 IC 및 시스템 설계를 가능하게 한다.”며, “매그나칩의 목표는 파운드리 고객의 변화하는 시장 요구 조건을 충족시킬 수 있는 전문화되고 혁신적인 공정 기술을 지속적으로 개발해 나가는 것”이라고 말했다.

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